SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IRF6721STRPBF Infineon Technologies IRF6721STPBF -
RFQ
ECAD 3333 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Sq 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 30 v 14A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 7.3mohm @ 14a, 10V 2.4V @ 25µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 1430 pf @ 15 v - 2.2W (TA), 42W (TC)
BSC252N10NSFGATMA1 Infineon Technologies BSC252N10NSFGATMA1 1.3900
RFQ
ECAD 11 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC252 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 7.2A (TA), 40A (TC) 10V 25.2MOHM @ 20A, 10V 4V @ 43µA 17 nc @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 50 v - 78W (TC)
IPB029N06N3GE8187ATMA1 Infineon Technologies IPB029N06N3GE8187ATMA1 2.6200
RFQ
ECAD 6760 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB029 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 3.2mohm @ 100a, 10V 4V @ 118µA 165 NC @ 10 v ± 20V 13000 pf @ 30 v - 188W (TC)
IRF3707L Infineon Technologies IRF3707L -
RFQ
ECAD 7773 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF3707L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 62A (TC) 4.5V, 10V 12.5mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 20V 1990 pf @ 15 v - 87W (TC)
IRFH8330TR2PBF Infineon Technologies IRFH8330TR2PBF -
RFQ
ECAD 8798 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PQFN (5x6) 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 30 v 17A (TA), 56A (TC) 6.6MOHM @ 20A, 10V 2.35V @ 25µA 20 nc @ 10 v 1450 pf @ 25 v -
PTAC260302SCV1R250XTMA2 Infineon Technologies PTAC260302SCV1R250XTMA2 -
RFQ
ECAD 2688 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001170840 쓸모없는 0000.00.0000 250 - - - - -
IRF6603 Infineon Technologies IRF6603 -
RFQ
ECAD 4117 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Mt MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Mt 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 30 v 27A (TA), 92A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 25a, 10V 2.5V @ 250µA 72 NC @ 4.5 v +20V, -12V 6590 pf @ 15 v - 3.6W (TA), 42W (TC)
IRF3205ZL Infineon Technologies IRF3205ZL -
RFQ
ECAD 4655 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF3205ZL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 6.5mohm @ 66a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 3450 pf @ 25 v - 170W (TC)
BSS169 E6327 Infineon Technologies BSS169 E6327 -
RFQ
ECAD 8471 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 170ma (TA) 0V, 10V 6ohm @ 170ma, 10V 1.8V @ 50µA 2.8 NC @ 7 v ± 20V 68 pf @ 25 v 고갈 고갈 360MW (TA)
IRLR7811WCPBF Infineon Technologies IRLR7811WCPBF -
RFQ
ECAD 2739 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 64A (TC) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 31 NC @ 4.5 v ± 12V 2260 pf @ 15 v - 71W (TC)
IPD90N03S4L02ATMA1 Infineon Technologies IPD90N03S4L02ATMA1 2.5300
RFQ
ECAD 7660 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD90 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 90A (TC) 4.5V, 10V 2.2MOHM @ 90A, 10V 2.2V @ 90µA 140 NC @ 10 v ± 16V 9750 pf @ 25 v - 136W (TC)
IPB65R065C7ATMA1 Infineon Technologies IPB65R065C7ATMA1 -
RFQ
ECAD 8602 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P6 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB65R MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001080110 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 2.4a, 10V 4.5V @ 200µA 12 nc @ 10 v ± 20V 557 pf @ 100 v - 171W (TC)
FZ1200R17HP4B2BOSA2 Infineon Technologies FZ1200R17HP4B2BOSA2 962.2100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 IHM-B 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FZ1200 7800 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 반 반 트렌치 트렌치 정지 1700 v 1200 a 2.25V @ 15V, 1200A 5 MA 아니요 97 NF @ 25 v
BC860CWE6327 Infineon Technologies BC860CWE6327 0.0200
RFQ
ECAD 113 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 250MHz
BCR523E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR523E6327HTSA1 0.3900
RFQ
ECAD 16 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR523 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V 100MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
BC848BL3E6327 Infineon Technologies BC848BL3E6327 0.0900
RFQ
ECAD 180 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW PG-SOT23 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,468 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
BC 846PN H6727 Infineon Technologies BC 846pn H6727 -
RFQ
ECAD 6310 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC 846 250MW PG-SOT363-PO 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 650MV @ 5MA, 100MA 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IRLR3410PBF-INF Infineon Technologies IRLR3410PBF-INF -
RFQ
ECAD 4239 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 100 v 17A (TC) 4V, 10V 10A @ 10A, 10V 2V @ 250µA 34 NC @ 5 v ± 16V 800 pf @ 25 v - 79W (TC)
IMYH200R024M1HXKSA1 Infineon Technologies IMYH200R024M1HXKSA1 93.0800
RFQ
ECAD 226 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IMYH200 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) PG-to247-4-U04 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 2000 v 89A (TC) 15V, 18V 33mohm @ 40a, 18V 5.5V @ 24MA 137 NC @ 18 v +20V, -7V - 576W (TC)
IPU95R750P7AKMA1 Infineon Technologies IPU95R750P7AKMA1 2.1600
RFQ
ECAD 8472 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPU95R750 MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 950 v 9A (TC) 10V 750mohm @ 4.5a, 10V 3.5V @ 220µA 23 nc @ 10 v ± 20V 712 pf @ 400 v - 73W (TC)
IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies IPD60R950C6ATMA1 1.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 4.4A (TC) 10V 950mohm @ 1.5a, 10V 3.5V @ 130µA 13 nc @ 10 v ± 20V 280 pf @ 100 v - 37W (TC)
IPA60R120C7XKSA1 Infineon Technologies IPA60R120C7XKSA1 5.5100
RFQ
ECAD 8932 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA60R MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001385040 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 120mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 390µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 400 v - 32W (TC)
IRFB5615PBFXKMA1 Infineon Technologies IRFB5615PBFXKMA1 -
RFQ
ECAD 5367 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 448-IRFB5615PBFXKMA1 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 150 v 35A (TC) 10V 39mohm @ 21a, 10V 5V @ 100µa 40 nc @ 10 v ± 20V 1750 pf @ 50 v - 144W (TC)
BCR166E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR166E6327HTSA1 0.0517
RFQ
ECAD 4858 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR166 200 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 160MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
AUIRLS4030 Infineon Technologies auirls4030 -
RFQ
ECAD 3120 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB auirls4030 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 180A (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 110a, 10V 2.5V @ 250µA 130 NC @ 4.5 v ± 16V 11360 pf @ 50 v - 370W (TC)
IPT60R035CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPT60R035CFD7XTMA1 13.7500
RFQ
ECAD 6580 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn IPT60R035 MOSFET (금속 (() PG-HSOF-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 67A (TC) 10V 35mohm @ 24.9a, 10V 4.5V @ 1.25ma 109 NC @ 10 v ± 20V 4354 pf @ 400 v - 351W (TC)
BG5120KH6327XTSA1 Infineon Technologies BG5120KH6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 7662 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 8 v 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 800MHz MOSFET PG-SOT363-PO 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20MA 10 MA - 23db 1.1DB 5 v
IRF9317PBF Infineon Technologies IRF9317pbf -
RFQ
ECAD 3454 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001572200 귀 99 8541.29.0095 95 p 채널 30 v 16A (TA) 4.5V, 10V 6.6mohm @ 16a, 10V 2.4V @ 50µA 92 NC @ 10 v ± 20V 2820 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IRF520NPBF Infineon Technologies IRF520NPBF 1.2900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF520 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 9.7A (TC) 10V 200mohm @ 5.7a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 330 pf @ 25 v - 48W (TC)
BFR720L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies Bfr720L3RHE6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 2017 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 BFR720 80MW PG-TSLP-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 15,000 24dB 4.7V 20MA NPN 160 @ 13MA, 3V 45GHz 0.5dB ~ 0.8db @ 1.8GHz ~ 6GHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고