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트랜지스터 (13833)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7328PBF | - |  | 5269 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF732 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001555158 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,800 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 8a | 21mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 78NC @ 10V | 2675pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPD02N60S5BTMA1 | - | | 2451 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SPD02N | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 1.8A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.1a, 10V | 5.5V @ 80µa | 9.5 nc @ 10 v | ± 20V | 240 pf @ 25 v | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSS138IXTSA1 | 0.4100 | | 771 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 230MA (TA) | 4.5V, 10V | 3.5ohm @ 230ma, 10V | 1.4V @ 26µA | 1 nc @ 10 v | ± 20V | 32 pf @ 25 v | - | 360MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFU5410PBF | 1.1000 | | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU5410 | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 100 v | 13A (TC) | 10V | 205mohm @ 7.8a, 10V | 4V @ 250µA | 58 NC @ 10 v | ± 20V | 760 pf @ 25 v | - | 66W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF6724MTR1PBF | - | | 5937 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 MX | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ MX | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 27A (TA), 150A (TC) | 4.5V, 10V | 2.5mohm @ 27a, 10V | 2.35V @ 100µa | 54 NC @ 4.5 v | ± 20V | 4404 pf @ 15 v | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRL1104STRR | - | | 8950 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 104A (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 62a, 10V | 1V @ 250µA | 68 NC @ 4.5 v | ± 16V | 3445 pf @ 25 v | - | 2.4W (TA), 167W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| irfr2405trlpbf | 1.6000 | | 3 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR2405 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 55 v | 56A (TC) | 10V | 16mohm @ 34a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 2430 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP60R330P6XKSA1 | - | | 4295 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P6 | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP60R | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001017060 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 12A (TC) | 10V | 330mohm @ 4.5a, 10V | 4.5V @ 370µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 1010 pf @ 100 v | - | 93W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | irll014npbf | - | | 2042 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001550472 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 80 | n 채널 | 55 v | 2A (TA) | 4V, 10V | 140mohm @ 2a, 10V | 2V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 16V | 230 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRG4BC20MDPBF | - | | 5715 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 기준 | 60 W. | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V, 11a, 50ohm, 15V | 37 ns | - | 600 v | 18 a | 36 a | 2.1V @ 15V, 11a | 410µJ (on), 2.03mj (OFF) | 39 NC | 21ns/463ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPB80N03S2L05T | - | | 1397 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB80N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000016255 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 4.9mohm @ 55a, 10V | 2V @ 110µA | 89.7 NC @ 10 v | ± 20V | 3320 pf @ 25 v | - | 167W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPW60R099ZH | 2.5800 | | 8493 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 2156-IPW60R099ZH | 101 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FS30R06W1E3B11BOMA1 | 38.0833 | | 6860 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EasyPack ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS30R06 | 150 W. | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 24 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 45 a | 2V @ 15V, 30A | 1 MA | 예 | 1.65 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC042N03LSGATMA1 | 1.1500 | | 10 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC042 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 20A (TA), 93A (TC) | 4.5V, 10V | 4.2MOHM @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 20V | 3500 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 57W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRF1018E | 1.2115 | | 6901 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | AUIRF1018 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001519520 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 79A (TC) | 8.4mohm @ 47a, 10V | 4V @ 100µa | 69 NC @ 10 v | 2290 pf @ 50 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPC100N04S51R2ATMA1 | 2.8700 | | 6869 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | IPC100 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-34 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 7V, 10V | 1.2mohm @ 50a, 10V | 3.4V @ 90µA | 131 NC @ 10 v | ± 20V | 7650 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BDP954E6327HTSA1 | - | | 2694 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | 5 w | PG-SOT223-4-10 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 100 v | 3 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200ma, 2a | 85 @ 500ma, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF2805STPBF | - | | 7260 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 135A (TC) | 10V | 4.7mohm @ 104a, 10V | 4V @ 250µA | 230 nc @ 10 v | ± 20V | 5110 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PTFA260851E V1 R250 | - | | 2172 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 65 v | 표면 표면 | 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 | PTFA260851 | 2.68GHz | LDMOS | H-30248-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | 10µA | 900 MA | 85W | 14db | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7807A | - | | 1942 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF7807A | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 30 v | 8.3A (TA) | 4.5V | 25mohm @ 7a, 4.5v | 1V @ 250µA | 17 nc @ 5 v | ± 12V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | irg7ph42ud2pbf | - | | 1763 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | irg7ph42 | 기준 | 321 w | TO-247AC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 600V, 30A, 10ohm, 15V | 도랑 | 1200 v | 60 a | 90 a | 2.02V @ 15V, 30A | 1.32mj (OFF) | 234 NC | -/233ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSO612CVGXUMA1 | 0.4700 | | 5973 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| spp15p10phxksa1 | - | | 4223 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | spp15p | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | p 채널 | 100 v | 15A (TC) | 10V | 240mohm @ 10.6a, 10V | 2.1V @ 1.54ma | 48 NC @ 10 v | ± 20V | 1280 pf @ 25 v | - | 128W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF1010ZL | - | | 9312 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF1010ZL | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 7.5mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 95 NC @ 10 v | ± 20V | 2840 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BSP322PL6327HTSA1 | - | | 5729 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4-21 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 100 v | 1A (TC) | 4.5V, 10V | 800mohm @ 1a, 10V | 1V @ 380µA | 16.5 nc @ 10 v | ± 20V | 372 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCX53-16E6433 | 0.0900 | | 393 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | 2 w | PG-SOT89-4-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 3,463 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | 500mv @ 50ma, 500ma | 40 @ 50MA, 2V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPW65R050CFD7AXKSA1 | 12.6000 | | 2055 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™ CFD7A | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IPW65R050 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 45A (TC) | 10V | 50mohm @ 24.8a, 10V | 4.5V @ 1.24ma | 102 NC @ 10 v | ± 20V | 4975 pf @ 400 v | - | 227W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP60R190C6XKSA1 | 3.7100 | | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP60R190 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 20.2A (TC) | 10V | 190mohm @ 9.5a, 10V | 3.5V @ 630µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 100 v | - | 151W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IRL540NPBF | 1.7100 | | 27 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRL540 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 36A (TC) | 4V, 10V | 44mohm @ 18a, 10V | 2V @ 250µA | 74 NC @ 5 v | ± 16V | 1800 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD70P04P4L08AUMA2 | - | | 4755 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos®-P2 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD70 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-313 | - | 쓸모없는 | 1 | p 채널 | 40 v | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 7.8mohm @ 70a, 10V | 2.2V @ 120µA | 92 NC @ 10 v | +5V, -16V | 5430 pf @ 25 v | - | 75W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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