SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IRF7328TRPBF Infineon Technologies IRF7328TRPBF 1.8100
RFQ
ECAD 71 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF732 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 30V 8a 21mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 78NC @ 10V 2675pf @ 25V 논리 논리 게이트
IRFH5210TRPBF Infineon Technologies irfh5210trpbf 1.6600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn IRFH5210 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 100 v 10A (TA), 55A (TC) 10V 14.9mohm @ 33a, 10V 4V @ 100µa 59 NC @ 10 v ± 20V 2570 pf @ 25 v - 3.6W (TA), 104W (TC)
IRLR3636PBF Infineon Technologies IRLR3636PBF -
RFQ
ECAD 4003 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 50A (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 100µa 49 NC @ 4.5 v ± 16V 3779 pf @ 50 v - 143W (TC)
IRF7501TRPBF Infineon Technologies IRF7501TRPBF -
RFQ
ECAD 4370 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) IRF7501 MOSFET (금속 (() 1.25W Micro8 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 2.4a 135mohm @ 1.7a, 4.5v 700MV @ 250µA 8NC @ 4.5V 260pf @ 15V 논리 논리 게이트
FZ1200R33KF2CNOSA4 Infineon Technologies FZ1200R33KF2CNOSA4 -
RFQ
ECAD 8685 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FZ1200 14500 w 기준 - 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 전체 전체 - 3300 v 2000 a 4.25V @ 15V, 1.2KA 12 MA 아니요 150 NF @ 25 v
IRLML6402TRPBF-1 Infineon Technologies irlml6402trpbf-1 -
RFQ
ECAD 2794 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() Micro3 ™/SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.7A (TA) 2.5V, 4.5V 65mohm @ 3.7a, 4.5v 1.2V @ 250µA 12 nc @ 5 v ± 12V 633 pf @ 10 v - 1.3W (TA)
IPL60R085P7AUMA1 Infineon Technologies IPL60R085P7AUMA1 6.4200
RFQ
ECAD 2651 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-powertsfn IPL60R085 MOSFET (금속 (() PG-VSON-4 다운로드 Rohs3 준수 2A (4 주) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 39A (TC) 10V 85mohm @ 11.8a, 10V 4V @ 590µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2180 pf @ 400 v - 154W (TC)
BSC030N08NS5ATMA1 Infineon Technologies BSC030N08NS5ATMA1 2.3300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC030 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 80 v 100A (TC) 6V, 10V 3MOHM @ 50A, 10V 3.8V @ 95µA 76 NC @ 10 v ± 20V 5600 pf @ 40 v - 2.5W (TA), 139W (TC)
IPP50N12S3LAKSA1 Infineon Technologies IPP50N12S3LAKSA1 0.8400
RFQ
ECAD 500 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 359
IPD60R2K1CEBTMA1 Infineon Technologies IPD60R2K1CEBTMA1 -
RFQ
ECAD 2315 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 2.3A (TC) 10V 2.1ohm @ 760ma, 10V 3.5V @ 60µA 6.7 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 100 v - 22W (TC)
BSZ0910NDXTMA1 Infineon Technologies BSZ0910NDXTMA1 -
RFQ
ECAD 2009 년 년 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn BSZ0910 MOSFET (금속 (() 1.9W (TA), 31W (TC) PG-Wison-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 30V 9.5A (TA), 25A (TC) 9.5mohm @ 9a, 10V 2V @ 250µA 5.6NC @ 4.5V 800pf @ 15V 논리 논리 게이트, 4.5V 드라이브
IPD60R600P6 Infineon Technologies IPD60R600P6 -
RFQ
ECAD 5090 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P6 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 2.4a, 10V - 12 nc @ 10 v ± 20V 557 pf @ 100 v - 63W (TC)
BC858B Infineon Technologies BC858B 0.0400
RFQ
ECAD 228 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,460 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
PTFA192401EV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA192401EV4XWSA1 -
RFQ
ECAD 7465 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 H-36260-2 PTFA192401 1.96GHz LDMOS H-36260-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 35 10µA 1.6 a 50W 16db - 30 v
IPB200N15N3 Infineon Technologies IPB200N15N3 -
RFQ
ECAD 9591 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 150 v 50A (TC) 8V, 10V 20mohm @ 50a, 10V 4V @ 90µA 31 NC @ 10 v ± 20V 1820 pf @ 75 v - 150W (TC)
BC369 Infineon Technologies BC369 1.0000
RFQ
ECAD 6792 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8541.21.0095 2,000 20 v 1.5 a 10µA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 1a 85 @ 500ma, 1V 45MHz
IRF8734TRPBF Infineon Technologies IRF8734TRPBF 1.1000
RFQ
ECAD 168 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF8734 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 21A (TA) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 21a, 10V 2.35V @ 50µA 30 nc @ 4.5 v ± 20V 3175 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
SPB100N03S2L-03 G Infineon Technologies SPB100N03S2L-03 g -
RFQ
ECAD 9077 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SPB100N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 100A (TC) 10V 2.7mohm @ 80a, 10V 2V @ 250µA 220 NC @ 10 v ± 20V 8180 pf @ 25 v - 300W (TC)
IPD031N03M G Infineon Technologies IPD031N03M g -
RFQ
ECAD 1674 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD031N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 90A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 5300 pf @ 15 v - -
IRFU7740PBF Infineon Technologies IRFU7740pbf -
RFQ
ECAD 2429 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU7740 MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001573600 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 75 v 87A (TC) 6V, 10V 7.2MOHM @ 52A, 10V 3.7v @ 100µa 126 NC @ 10 v ± 20V 4430 pf @ 25 v - 140W (TC)
IRF7809A Infineon Technologies IRF7809A -
RFQ
ECAD 4150 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 14.5A (TA) 4.5V 8.5mohm @ 15a, 4.5v 1V @ 250µA 75 NC @ 5 v ± 12V 7300 pf @ 16 v - 2.5W (TA)
IPB60R120C7ATMA1 Infineon Technologies IPB60R120C7ATMA1 5.5100
RFQ
ECAD 2004 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB60R120 MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 19A (TC) 10V 120mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 390µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 400 v - 92W (TC)
IPAW60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies IPAW60R180P7SXKSA1 2.1500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPAW60 MOSFET (금속 (() PG-to220 20 팩 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 45 n 채널 650 v 18A (TC) 10V 180mohm @ 5.6a, 10V 4V @ 280µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1081 pf @ 400 v - 26W (TC)
IAUA180N04S5N012AUMA1 Infineon Technologies IAUA180N04S5N012AUMA1 3.0100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ -5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 5-powersfn IAUA180 MOSFET (금속 (() PG-HSOF-5-1 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 180A (TC) 7V, 10V 1.2MOHM @ 90A, 10V 3.4V @ 70µA 100 nc @ 10 v ± 20V 6158 pf @ 25 v - 125W (TC)
IPB45N06S3L-13 Infineon Technologies IPB45N06S3L-13 -
RFQ
ECAD 8584 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB45N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 45A (TC) 5V, 10V 13.1MOHM @ 26A, 10V 2.2V @ 30µA 75 NC @ 10 v ± 16V 3600 pf @ 25 v - 65W (TC)
IRF6613TR1 Infineon Technologies IRF6613TR1 -
RFQ
ECAD 9839 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Mt MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Mt 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 23A (TA), 150A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 23a, 10V 2.25V @ 250µA 63 NC @ 4.5 v ± 20V 5950 pf @ 15 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
BCR119SE6327BTSA1 Infineon Technologies BCR119SE6327BTSA1 -
RFQ
ECAD 3943 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR119 250MW PG-SOT363-PO 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma - 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 120 @ 5MA, 5V 150MHz 4.7kohms -
BF886H6327XTSA1 Infineon Technologies BF886H6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 6811 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 BF886 100MW PG-SOT343 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000834798 0000.00.0000 3,000 19db 4V 25MA NPN - 45GHz 0.5dB ~ 0.7dB @ 1.9GHz ~ 5.5GHz
BSC032NE2LSATMA1 Infineon Technologies BSC032NE2LSATMA1 0.9800
RFQ
ECAD 24 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC032 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 25 v 22A (TA), 84A (TC) 4.5V, 10V 3.2MOHM @ 30A, 10V 2V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 12 v - 2.8W (TA), 78W (TC)
IRFR12N25DCPBF Infineon Technologies IRFR12N25DCPBF -
RFQ
ECAD 9853 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 260mohm @ 8.4a, 10V 5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 30V 810 pf @ 25 v - 144W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고