SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
F3L600R10W4S7FH11BPSA1 Infineon Technologies F3L600R10W4S7FH11BPSA1 225.1700
RFQ
ECAD 6798 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-F3L600R10W4S7FH11BPSA1 6
IPDQ65R060CFD7AXTMA1 Infineon Technologies IPDQ65R060CFD7AXTMA1 5.9223
RFQ
ECAD 7256 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 22-powerbsop op MOSFET (금속 (() PG-HDSOP-22-1 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 750 n 채널 650 v 45A (TC) 10V 60mohm @ 16.4a, 10V 4.5V @ 820µA 65 nc @ 10 v ± 20V 3288 pf @ 400 v - 272W (TC)
IQE036N08NM6CGSCATMA1 Infineon Technologies iqe036n08nm6cgscatma1 1.2170
RFQ
ECAD 5164 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-iqe036n08nm6cgscatma1tr 6,000
AIMZH120R020M1TXKSA1 Infineon Technologies AIMZH120R020M1TXKSA1 29.1415
RFQ
ECAD 5359 0.00000000 인피온 인피온 * 튜브 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-AIMZH120R020M1TXKSA1 240
IPF042N10NF2SATMA1 Infineon Technologies IPF042N10NF2SATMA1 2.5100
RFQ
ECAD 792 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() PG-to263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 21A (TA), 139A (TC) 6V, 10V 4.25mohm @ 80a, 10V 3.8V @ 93µA 85 NC @ 10 v ± 20V 4000 pf @ 50 v - 3.8W (TA), 167W (TC)
IPD055N08NF2SATMA1 Infineon Technologies IPD055N08NF2SATMA1 1.8700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 2 컷 컷 (CT) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 17A (TA), 98A (TC) 6V, 10V 5.5mohm @ 60a, 10V 3.8V @ 55µA 54 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 40 v - 3W (TA), 107W (TC)
FF4MR12W2M1HB11BPSA1 Infineon Technologies FF4MR12W2M1HB11BPSA1 263.3300
RFQ
ECAD 1912 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF4MR12 실리콘 실리콘 (sic) 20MW 기준 기준 - Rohs3 준수 448-FF4MR12W2M1HB11BPSA1 귀 99 8542.39.0001 15 2 n 채널 (채널 교량) 1200V 170A (TJ) 4mohm @ 200a, 18V 5.15V @ 80MA 594NC @ 18V 17600pf @ 800V 실리콘 실리콘 (sic)
IPSH6N03LB G Infineon Technologies ipsh6n03lb g -
RFQ
ECAD 1043 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK IPSH6N MOSFET (금속 (() PG-to251-3-11 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 50a, 10V 2V @ 40µA 22 nc @ 5 v ± 20V 2800 pf @ 15 v - 83W (TC)
IPN50R650CEATMA1 Infineon Technologies IPN50R650CEATMA1 0.8700
RFQ
ECAD 9222 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IPN50R650 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 9A (TC) 13V 650mohm @ 1.8a, 13v 3.5V @ 150µA 15 nc @ 10 v ± 20V 342 pf @ 100 v - 5W (TC)
PTFB193408SVV1XWSA1 Infineon Technologies PTFB193408SVV1XWSA1 -
RFQ
ECAD 4327 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 H-34275G-6/2 1.99GHz LDMOS H-34275G-6/2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001028956 쓸모없는 0000.00.0000 1 이중, 소스 일반적인 - 2.65 a 80W 19db - 30 v
IPD096N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPD096N08N3GATMA1 1.4000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD096 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 80 v 73A (TC) 6V, 10V 9.6mohm @ 46a, 10V 3.5V @ 46µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2410 pf @ 40 v - 100W (TC)
IRF7854TRPBF Infineon Technologies IRF7854TRPBF 1.6800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7854 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 80 v 10A (TA) 10V 13.4mohm @ 10a, 10V 4.9V @ 100µA 41 NC @ 10 v ± 20V 1620 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
BSC0908NSATMA1 Infineon Technologies BSC0908NSATMA1 -
RFQ
ECAD 5808 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 34 v 14A (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 1220 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 30W (TC)
IRFS3207ZPBF Infineon Technologies IRFS3207ZPBF -
RFQ
ECAD 9337 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 75 v 120A (TC) 10V 4.1mohm @ 75a, 10V 4V @ 150µA 170 nc @ 10 v ± 20V 6920 pf @ 50 v - 300W (TC)
BSC0904NSIATMA1 Infineon Technologies BSC0904NSITMA1 0.9100
RFQ
ECAD 30 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC0904 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 20A (TA), 78A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 30a, 10V 2V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 37W (TC)
BG3430RH6327XTSA1 Infineon Technologies BG3430RH6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 9448 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 8 v 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 800MHz MOSFET PG-SOT363-PO 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 25MA 14 MA - 25db 1.3db 5 v
IRFH7923TRPBF Infineon Technologies IRFH7923TRPBF -
RFQ
ECAD 1696 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() pqfn (5x6) 단일 다이 다운로드 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 15A (TA), 33A (TC) 8.7mohm @ 15a, 10V 2.35V @ 25µA 13 nc @ 4.5 v 1095 pf @ 15 v -
IPI25N06S3L-22 Infineon Technologies IPI25N06S3L-22 -
RFQ
ECAD 8773 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI25N MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 25A (TC) 5V, 10V 21.6mohm @ 17a, 10V 2.2V @ 20µA 47 NC @ 10 v ± 16V 2260 pf @ 25 v - 50W (TC)
IRF7820PBF Infineon Technologies IRF7820PBF -
RFQ
ECAD 7291 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001570478 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 200 v 3.7A (TA) 10V 78mohm @ 2.2a, 10V 5V @ 100µa 44 NC @ 10 v ± 20V 1750 pf @ 100 v - 2.5W (TA)
AUIRFR6215TRL Infineon Technologies auirfr6215trl 3.0000
RFQ
ECAD 1119 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AUIRFR6215 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 150 v 13A (TC) 10V 295mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 110W (TC)
IPW65R150CFDFKSA2 Infineon Technologies IPW65R150CFDFKSA2 5.2300
RFQ
ECAD 2547 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW65R150 MOSFET (금속 (() PG-to247-3-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 650 v 22.4A (TC) 10V 150mohm @ 9.3a, 10V 4.5V @ 900µA 86 NC @ 10 v ± 20V 2340 pf @ 100 v - 195.3W (TC)
IPB80N08S406ATMA1 Infineon Technologies IPB80N08S406ATMA1 -
RFQ
ECAD 7077 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 80 v 80A (TC) 10V 5.5mohm @ 80a, 10V 4V @ 90µA 70 nc @ 10 v ± 20V 4800 pf @ 25 v - 150W (TC)
IPP60R190E6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R190E6XKSA1 3.7100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R190 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 20.2A (TC) 10V 190mohm @ 9.5a, 10V 3.5V @ 630µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 100 v - 151W (TC)
IPP60R199CPXKSA1 Infineon Technologies IPP60R199CPXKSA1 4.6000
RFQ
ECAD 591 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R199 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 16A (TC) 10V 199mohm @ 9.9a, 10V 3.5V @ 660µA 43 NC @ 10 v ± 20V 1520 pf @ 100 v - 139W (TC)
IPW50R190CEFKSA1 Infineon Technologies IPW50R190CEFKSA1 -
RFQ
ECAD 6538 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW50R MOSFET (금속 (() PG-to247-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 500 v 18.5A (TC) 13V 190mohm @ 6.2a, 13v 3.5V @ 510µA 47.2 NC @ 10 v ± 20V 1137 pf @ 100 v - 127W (TC)
PTFB212507SHV1R250XTMA1 Infineon Technologies PTFB212507SHV1R250XTMA1 -
RFQ
ECAD 9114 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 PTFB212507 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001015178 귀 99 8541.29.0095 250
IPB065N15N3GATMA1 Infineon Technologies IPB065N15N3GATMA1 7.6000
RFQ
ECAD 8130 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IPB065 MOSFET (금속 (() PG-to263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 150 v 130A (TC) 8V, 10V 6.5mohm @ 100a, 10V 4V @ 270µA 93 NC @ 10 v ± 20V 7300 pf @ 75 v - 300W (TC)
IPI80N06S208AKSA1 Infineon Technologies IPI80N06S208AKSA1 -
RFQ
ECAD 5550 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI80N MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 80A (TC) 10V 8mohm @ 58a, 10V 4V @ 150µA 96 NC @ 10 v ± 20V 2860 pf @ 25 v - 215W (TC)
BCW 61D E6327 Infineon Technologies BCW 61d E6327 0.0400
RFQ
ECAD 30 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 6,869 32 v 100 MA 20NA (ICBO) PNP 550MV @ 1.25ma, 50ma 380 @ 2MA, 5V 250MHz
AUIRFZ44N Infineon Technologies auirfz44n -
RFQ
ECAD 8422 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 49A (TC) 10V 17.5mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1470 pf @ 25 v - 94W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고