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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
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![]() | FS13MR12W2M1HB70BPSA1 | 340.0700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolsic ™ | 쟁반 | 활동적인 | - | - | - | 기준 | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | 3 단계 인버터 | - | 1200 v | - | 아니요 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSP129H6906XTSA1 | 1.2000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BSP129 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 240 v | 350MA (TA) | 0V, 10V | 6ohm @ 350ma, 10V | 1V @ 108µA | 5.7 NC @ 5 v | ± 20V | 108 pf @ 25 v | 고갈 고갈 | 1.8W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6892ST1PBF | - | ![]() | 5529 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 S3C | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ S3C | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 25 v | 28A (TA), 125A (TC) | 4.5V, 10V | 1.7mohm @ 28a, 10V | 2.1V @ 50µA | 25 nc @ 4.5 v | ± 16V | 2510 pf @ 13 v | - | 2.1W (TA), 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7862TRPBF | 1.2300 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF7862 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 21A (TA) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 20a, 10V | 2.35V @ 100µa | 45 NC @ 4.5 v | ± 20V | 4090 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM35GP120BOSA1 | - | ![]() | 9347 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 기준 기준 | BSM35GP120 | 230 w | - | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 3 단계 인버터 | NPT | 1200 v | 45 a | 500 µA | 예 | 1.5 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS35R12W1T4BOMA1 | 47.2000 | ![]() | 9453 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS35R12 | 225 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 24 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 65 a | 2.25V @ 15V, 35A | 1 MA | 예 | 2 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F417MR12W1M1HPB76BPSA1 | 152.9700 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | F417MR12 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Fz600R17KE3HOSA1 | 236.9400 | ![]() | 5513 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 기음 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FZ600R17 | 3150 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 1700 v | 840 a | 2.45V @ 15V, 600A | 3 MA | 아니요 | 54 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM35GD120DN2 | - | ![]() | 2930 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | BSM35G | 280 W. | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 3 단계 인버터 | NPT | 1200 v | 50 a | 3.2V @ 15V, 35A | 아니요 | 2 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS800R07A2E3IB31BPSA1 | - | ![]() | 7645 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hybridpack ™ 2 | 쟁반 | 쓸모없는 | FS800R07 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO051N03ms g | 0.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | PG-DSO-8 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 14A (TA) | 4.5V, 10V | 5.1mohm @ 18a, 10V | 2V @ 250µA | 55 NC @ 10 v | ± 20V | 4300 pf @ 15 v | - | 1.56W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPL60R095CFD7AUMA1 | 6.1800 | ![]() | 6190 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | CoolMOS ™ CFD7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-powertsfn | IPL60R095 | MOSFET (금속 (() | PG-VSON-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2A (4 주) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 25A (TC) | 10V | 95mohm @ 1.4a, 10V | 4.5V @ 570µA | 51 NC @ 10 v | ± 20V | 2103 PF @ 400 v | - | 147W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7807ZTR | - | ![]() | 5382 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001572296 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 11A (TA) | 4.5V, 10V | 13.8mohm @ 11a, 10V | 2.25V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ± 20V | 770 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF200R12W1H3B27BOMA1 | 72.2225 | ![]() | 7929 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | DF200R12 | 375 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 24 | 2 독립 | - | 1200 v | 30 a | 1.3V @ 15V, 30A | 1 MA | 예 | 2 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPI120N06S403AKSA1 | - | ![]() | 4754 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI120N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 60 v | 120A (TC) | 10V | 3.2mohm @ 100a, 10V | 4V @ 120µA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | 13150 pf @ 25 v | - | 167W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3715 | - | ![]() | 9062 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL3715 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 20 v | 54A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 26a, 10V | 3V @ 250µA | 17 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1060 pf @ 10 v | - | 3.8W (TA), 71W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO350N03 | - | ![]() | 6117 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | BSO350N03 | MOSFET (금속 (() | 1.4W | PG-DSO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 5a | 35mohm @ 6a, 10V | 2V @ 6µA | 3.7nc @ 5v | 480pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPA07N60C3XKSA1 | 2.7300 | ![]() | 8938 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | SPA07N60 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-31 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 7.3A (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 3.9V @ 250µA | 27 NC @ 10 v | ± 20V | 790 pf @ 25 v | - | 32W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFP640H6327XTSA1 | 0.6100 | ![]() | 74 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-82A, SOT-343 | BFP640 | 200MW | PG-SOT343-3D | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12.5dB | 4.5V | 50ma | NPN | 110 @ 30MA, 3V | 40GHz | 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SN7002NH6327XTSA1 | - | ![]() | 7403 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SN7002N | MOSFET (금속 (() | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 200MA (TA) | 4.5V, 10V | 5ohm @ 500ma, 10V | 1.8V @ 26µA | 1.5 nc @ 10 v | ± 20V | 45 pf @ 25 v | - | 360MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTVA101K02VV1XWSA1 | - | ![]() | 8837 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 50 v | 섀시 섀시 | H-36275-4 | 1.03GHz ~ 1.09GHz | LDMOS | H-36275-4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001033548 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 이중 | - | 950W | 17.5dB | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGB07N120ATMA1 | 2.7031 | ![]() | 6161 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SGB07N | 기준 | 125 w | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 800V, 8A, 47OHM, 15V | NPT | 1200 v | 16.5 a | 27 a | 3.6V @ 15V, 8A | 1mj | 70 NC | 27ns/440ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irfiz48npbf | - | ![]() | 3572 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB Full-Pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 55 v | 40A (TC) | 10V | 16mohm @ 22a, 10V | 4V @ 250µA | 89 NC @ 10 v | ± 20V | 1900 pf @ 25 v | - | 54W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AIKW20N60CTXKSA1 | 6.5600 | ![]() | 4944 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, TrenchStop ™ | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | AIKW20 | 기준 | 166 w | PG-to247-3-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001346790 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 20A, 12ohm, 15V | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 40 a | 60 a | 2.05V @ 15V, 20A | 310µJ (on), 460µJ (OFF) | 120 NC | 18ns/199ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
FP35R12W2T4PB11BPSA1 | 73.8100 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EasyPIM ™ 2B | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FP35R12 | 20 MW | 3 정류기 정류기 브리지 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 18 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 70 a | 2.2V @ 15V, 35A | 1 MA | 예 | 2 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFA043002E V1 | - | ![]() | 3273 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | 2- 플랫 팩, 핀 리드 | 800MHz | LDMOS | H-30275-4 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 10µA | 1.55 a | 100W | 16db | - | 32 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD70R1K4CEAUMA1 | 0.8200 | ![]() | 2771 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CE | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD70 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 700 v | 5.4A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 1a, 10V | 3.5V @ 130µA | 10.5 nc @ 10 v | ± 20V | 225 pf @ 100 v | - | 53W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPL60R104C7AUMA1 | 6.5800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ C7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-powertsfn | IPL60R | MOSFET (금속 (() | PG-VSON-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2A (4 주) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 20A (TC) | 10V | 104mohm @ 9.7a, 10V | 4V @ 490µA | 42 NC @ 10 v | ± 20V | 1819 pf @ 400 v | - | 122W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS75R07N2E4BPSA1 | 113.8200 | ![]() | 4846 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EconoPack ™ 2 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS75R07 | 250 W. | 기준 | Ag-Econo2b | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 75 a | 1.95V @ 15V, 75A | 1 MA | 예 | 4.6 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7466 | - | ![]() | 1312 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF7466 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 30 v | 11A (TA) | 4.5V, 10V | 12.5mohm @ 11a, 10V | 3V @ 250µA | 23 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2100 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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