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트랜지스터 (13833)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	전압 - 평가	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	빈도	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	현재 현재 (amp)	테스트 테스트	현재 - 테스트	전원 - 출력	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	노이즈 노이즈	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	전압 - 테스트	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IAUS300N08S5N014ATMA1	-	RFQ	5495	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101, Optimos ™	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 갈매기 날개				MOSFET (금속 (()			PG-HSOG-8-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,800		n 채널						80 v	300A (TC)	6V, 10V	1.4mohm @ 100a, 10V	3.8V @ 230µA	187 NC @ 10 v	± 20V	13178 pf @ 40 v	-	300W (TC)
FF400R12KT3PEHOSA1	316.3300	RFQ	2478	인피온 인피온	기음	쟁반	새로운 새로운 아닙니다		-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	기준 기준	FF400R12					기준	기준 기준	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	8	반 반																			트렌치 트렌치 정지	1200 v	400 a		2.15V @ 15V, 400A					5 MA	아니요	28 nf @ 25 v
BFG 19S E6327	-	RFQ	7584	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	BFG 19				1W		PG-SOT223-4	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000							14dB ~ 8.5dB														15V	210ma										NPN	70 @ 70ma, 8V	5.5GHz	2DB ~ 3db @ 900MHz ~ 1.8GHz
SPP03N60S5XKSA1	-	RFQ	3029	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	spp03n			MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500		n 채널						600 v	3.2A (TC)	10V	1.4ohm @ 2a, 10V	5.5V @ 135µA	16 nc @ 10 v	± 20V	420 pf @ 25 v	-	38W (TC)
SIHB33N60E-GE3	-	RFQ	6579	인피온 인피온	*	테이프 & tr (TR)	활동적인					SIHB33							-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SIHB33N60E-GE3IN	귀 99	8541.29.0095	1,000
IRFS30067ppbf	-	RFQ	4792	인피온 인피온	Hexfet®	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB				MOSFET (금속 (()			D2PAK (7- 리드)	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널						60 v	240A (TC)	10V	2.1mohm @ 168a, 10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 v	± 20V	8850 pf @ 50 v	-	375W (TC)
SIGC28T60EX1SA3	-	RFQ	4869	인피온 인피온	TrenchStop ™	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	주사위	SIGC28	기준					주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1				-																트렌치 트렌치 정지	600 v	50 a	150 a	1.85V @ 15V, 50A	-		-
IPN70R360P7SATMA1	1.1400	RFQ	4	인피온 인피온	Coolmos ™ P7	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	IPN70R360			MOSFET (금속 (()			PG-SOT223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널						700 v	12.5A (TC)	10V	360mohm @ 3a, 10V	3.5V @ 150µA	16.4 NC @ 10 v	± 16V	517 pf @ 400 v	-	7.2W (TC)
IRLR8113TRRPBF	-	RFQ	7898	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63				MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널						30 v	94A (TC)	4.5V, 10V	6MOHM @ 15A, 10V	2.25V @ 250µA	32 NC @ 4.5 v	± 20V	2920 pf @ 15 v	-	89W (TC)
PTFA072401ELV4XWSA1	-	RFQ	8638	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는	65 v		섀시 섀시	H-33288-2			765MHz	LDMOS			H-33288-2	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		5A991G	8541.21.0095	40			-		1.8 a	220W	19db											-										30 v
ipu07n03la	-	RFQ	4382	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	sic에서 중단되었습니다		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	IPU07N			MOSFET (금속 (()			P-to251-3-1	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500		n 채널						25 v	30A (TC)	4.5V, 10V	6.5mohm @ 30a, 10V	2V @ 40µA	22 nc @ 5 v	± 20V	2653 pf @ 15 v	-	83W (TC)
IPD105N03LGATMA1	-	RFQ	5615	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD105N			MOSFET (금속 (()			PG-to252-3-11	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널						30 v	35A (TC)	4.5V, 10V	10.5mohm @ 30a, 10V	2.2V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 20V	1500 pf @ 15 v	-	38W (TC)
IKWH70N65WR6XKSA1	5.8200	RFQ	3406	인피온 인피온	TrenchStop ™ 5 WR6	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IKWH70N	기준			290 W.		PG-to247-3-32	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30				400V, 70A, 15ohm, 15V																트렌치 트렌치 정지	650 v	122 a	210 a	1.85V @ 15V, 70A	2.2mj (on), 1.07mj (OFF)	269 NC	42ns/378ns
IPB80P03P4L04ATMA2	3.1200	RFQ	3833	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101, Optimos®-P2	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IPB80p			MOSFET (금속 (()			PG-to263-3-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		p 채널						30 v	80A (TC)		4.4mohm @ 80a, 10V	2V @ 253µA	160 nc @ 10 v	+5V, -16V	11300 pf @ 25 v	-	137W (TC)
IPD65R600E6	0.8200	RFQ	34	인피온 인피온	Coolmos ™	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63				MOSFET (금속 (()			PG-to252-3-313	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	0000.00.0000	2,500		n 채널						650 v	7.3A (TC)	10V	600mohm @ 2.1a, 10V	3.5V @ 210µA	23 nc @ 10 v	± 20V	440 pf @ 100 v	-	63W (TC)
irg4rc10ud	-	RFQ	4038	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		기준			38 w		D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	75				480V, 5A, 100ohm, 15V															28 ns	-	600 v	8.5 a	34 a	2.6V @ 15V, 5A	140µJ (on), 120µJ (OFF)	15 NC	40ns/87ns
IPD60N10S412ATMA1	1.8300	RFQ	6	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101, Optimos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD60N10			MOSFET (금속 (()			PG-to252-3-313	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널						100 v	60A (TC)	10V	12.2MOHM @ 60A, 10V	3.5V @ 46µA	34 NC @ 10 v	± 20V	2470 pf @ 25 v	-	94W (TC)
IFF300B12N2E4PB11BPSA1	272.3180	RFQ	7115	인피온 인피온	MIPAQ ™	쟁반	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C	섀시 섀시	기준 기준	IFF300				20 MW	기준	기준 기준	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10	반 반																			트렌치 트렌치 정지	1200 v	600 a		2.1V @ 15V, 300A					1 MA	예	18.5 nf @ 25 v
IRF7404PBF	-	RFQ	4933	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	sic에서 중단되었습니다		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				MOSFET (금속 (()			도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	95		p 채널						20 v	6.7A (TA)	2.7V, 4.5V	40mohm @ 3.2a, 4.5v	700mv @ 250µa (최소)	50 nc @ 4.5 v	± 12V	1500 pf @ 15 v	-	2.5W (TA)
IKB20N60TAATMA1372	-	RFQ	4042	인피온 인피온	*	대부분	활동적인												다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-IKB20N60TAATMA1372-448			1
IRF7322D1	-	RFQ	9549	인피온 인피온	Fetky ™	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				MOSFET (금속 (()			도 8-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF7322D1	귀 99	8541.29.0095	95		p 채널						20 v	5.3A (TA)	2.7V, 4.5V	62mohm @ 2.9a, 4.5v	700mv @ 250µa (최소)	29 NC @ 4.5 v	± 12V	780 pf @ 15 v	Schottky 분리 (다이오드)	2W (TA)
IPZA60R120P7XKSA1	6.3600	RFQ	53	인피온 인피온	Coolmos ™ P7	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-4	IPZA60			MOSFET (금속 (()			PG-to247-4	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30		n 채널						600 v	26A (TC)	10V	120mohm @ 8.2a, 10V	4V @ 410µA	36 nc @ 10 v	± 20V	1544 pf @ 400 v	-	95W (TC)
IRF6708S2TR1PBF	-	RFQ	5696	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DirectFet ™ ™ 메트릭 메트릭 S1				MOSFET (금속 (()			DirectFet ™ ™ 메트릭 메트릭 S1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001523958	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널						30 v	13A (TC)	4.5V, 10V	8.9mohm @ 13a, 10V	2.35V @ 25µA	10 nc @ 4.5 v	± 20V	1010 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 20W (TC)
IRLR2905ZPBF	-	RFQ	9268	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	sic에서 중단되었습니다		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63				MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	75		n 채널						55 v	42A (TC)	4.5V, 10V	13.5mohm @ 36a, 10V	3V @ 250µA	35 NC @ 5 v	± 16V	1570 pf @ 25 v	-	110W (TC)
IRFSL3806PBF	-	RFQ	6738	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA				MOSFET (금속 (()			TO-262	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001571672	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널						60 v	43A (TC)	10V	15.8mohm @ 25a, 10V	4V @ 50µA	30 nc @ 10 v	± 20V	1150 pf @ 50 v	-	71W (TC)
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IPAN70R360P7SXKSA1	1.5700	RFQ	5036	인피온 인피온	Coolmos ™ P7	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	IPAN70			MOSFET (금속 (()			PG-to220-FP	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널						700 v	12.5A (TC)	10V	360mohm @ 3a, 10V	3.5V @ 150µA	16.4 NC @ 10 v	± 16V	517 pf @ 400 v	-	26.5W (TC)
irfhs8342trpbftr	-	RFQ	6163	인피온 인피온	Coolmos ™	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-powervdfn				MOSFET (금속 (()			6-pqfn n (2x2)	다운로드					귀 99	8541.29.0095	1		n 채널						30 v	8.8A (TA), 19A (TC)	4.5V, 10V	16mohm @ 8.5a, 10V	2.35V @ 25µA	8.7 NC @ 10 v	± 20V	600 pf @ 25 v	-	2.1W (TA)
IPW65R150CFDAFKSA1	6.6100	RFQ	6340	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IPW65R150			MOSFET (금속 (()			PG-to247-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	240		n 채널						650 v	22.4A (TC)	10V	150mohm @ 9.3a, 10V	4.5V @ 900µA	86 NC @ 10 v	± 20V	2340 pf @ 100 v	-	195.3W (TC)
AUIRF1405ZS-7P	-	RFQ	8090	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB	AUIRF1405			MOSFET (금속 (()			D2PAK (7- 리드)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001518538	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널						55 v	120A (TC)	10V	4.9mohm @ 88a, 10V	4V @ 150µA	230 nc @ 10 v	± 20V	5360 pf @ 25 v	-	230W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²