SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IPW60R280C6FKSA1 Infineon Technologies IPW60R280C6FKSA1 -
RFQ
ECAD 3016 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW60R MOSFET (금속 (() PG-to247-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 600 v 13.8A (TC) 10V 280mohm @ 6.5a, 10V 3.5V @ 430µA 43 NC @ 10 v ± 20V 950 pf @ 100 v - 104W (TC)
IRFH8303TRPBF Infineon Technologies irfh8303trpbf 1.9400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IRFH8303 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 43A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1.1mohm @ 50a, 10V 2.2V @ 150µA 179 NC @ 10 v ± 20V 7736 pf @ 24 v - 3.7W (TA), 156W (TC)
IRL3302 Infineon Technologies irl3302 -
RFQ
ECAD 6305 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL3302 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 39A (TC) 4.5V, 7V 20mohm @ 23a, 7v 700mv @ 250µa (최소) 31 NC @ 4.5 v ± 10V 1300 pf @ 15 v - 57W (TC)
IRF3707ZSTRLP Infineon Technologies IRF3707ZSTRLP -
RFQ
ECAD 4417 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 59A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 21a, 10V 2.25V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V 1210 pf @ 15 v - 57W (TC)
BCV26E6327HTSA1 Infineon Technologies BCV26E6327HTSA1 0.0815
RFQ
ECAD 5261 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCV26 360 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 500 MA 100NA (ICBO) pnp- 달링턴 1V @ 100µa, 100ma 20000 @ 100MA, 5V 200MHz
BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR503E6327HTSA1 0.4100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR503 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 40 @ 50MA, 5V 100MHz 2.2 Kohms 2.2 Kohms
IRLU2905 Infineon Technologies IRLU2905 -
RFQ
ECAD 6483 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 55 v 42A (TC) 4V, 10V 27mohm @ 25a, 10V 2V @ 250µA 48 NC @ 5 v ± 16V 1700 pf @ 25 v - 110W (TC)
FB15R06KL4B1BOMA1 Infineon Technologies FB15R06KL4B1BOMA1 -
RFQ
ECAD 3365 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 20
IRFR1010ZTRRPBF Infineon Technologies irfr1010ztrrpbf -
RFQ
ECAD 9388 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 42A (TC) 10V 7.5mohm @ 42a, 10V 4V @ 100µa 95 NC @ 10 v ± 20V 2840 pf @ 25 v - 140W (TC)
BSL207SPH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL207SPH6327XTSA1 0.7400
RFQ
ECAD 4127 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 BSL207 MOSFET (금속 (() PG-TSOP6-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6A (TA) 2.5V, 4.5V 41mohm @ 6a, 4.5v 1.2V @ 40µA 20 nc @ 10 v ± 12V 1007 pf @ 15 v - 2W (TA)
IRF1310NL Infineon Technologies IRF1310NL -
RFQ
ECAD 6659 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF1310NL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 42A (TC) 10V 36mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 160W (TC)
PZTA14H6327XTSA1 Infineon Technologies PZTA14H6327XTSA1 0.3091
RFQ
ECAD 4331 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PZTA14 1.5 w PG-SOT223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 30 v 300 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
IRFS17N20DTRL Infineon Technologies IRFS17N20DTRL -
RFQ
ECAD 1478 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 16A (TC) 10V 170mohm @ 9.8a, 10V 5.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 140W (TC)
BCR 185T E6327 Infineon Technologies BCR 185T E6327 -
RFQ
ECAD 5508 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-75, SOT-416 BCR 185 250 MW PG-SC-75 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 200MHz 10 KOHMS 47 Kohms
BC848CE6433HTMA1 Infineon Technologies BC848CE6433HTMA1 0.0418
RFQ
ECAD 6106 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 250MHz
IRF6691TR1 Infineon Technologies IRF6691TR1 -
RFQ
ECAD 5439 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Mt MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Mt 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 SP001530888 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 20 v 32A (TA), 180A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 71 NC @ 4.5 v ± 12V 6580 pf @ 10 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
BCR 148W H6433 Infineon Technologies BCR 148W H6433 -
RFQ
ECAD 9526 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 BCR 148 250 MW PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 100MHz 47 Kohms 47 Kohms
IPD50R950CEAUMA1 Infineon Technologies IPD50R950CEAUMA1 0.7000
RFQ
ECAD 9502 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD50R950 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-344 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 4.3A (TC) 13V 950mohm @ 1.2a, 13v 3.5V @ 100µA 10.5 nc @ 10 v ± 20V 231 pf @ 100 v - 53W (TC)
BSZ058N03MSG Infineon Technologies BSZ058N03MSG 0.3100
RFQ
ECAD 11 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 14A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 20A, 10V 2V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 15 v - 2.1W (TA), 45W (TC)
SIGC100T60R3EX1SA4 Infineon Technologies SIGC100T60R3EX1SA4 -
RFQ
ECAD 5278 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC100 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 - 트렌치 트렌치 정지 600 v 200a 600 a 1.9V @ 15V, 200a - -
IRFR024NTRPBF Infineon Technologies IRFR024NTRPBF 0.9800
RFQ
ECAD 191 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR024 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 55 v 17A (TC) 10V 75mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 370 pf @ 25 v - 45W (TC)
PTFB082817FHV1R250XTMA1 Infineon Technologies PTFB082817FHV1R250XTMA1 -
RFQ
ECAD 1168 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 821MHz LDMOS H-34288-4/2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000891182 쓸모없는 0000.00.0000 250 - 2.15 a 60W 19.3db - 28 v
IPP023N08N5AKSA1 Infineon Technologies IPP023N08N5AKSA1 4.6800
RFQ
ECAD 455 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP023 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 120A (TC) 6V, 10V 2.3mohm @ 100a, 10V 3.8V @ 208µA 166 NC @ 10 v ± 20V 12100 pf @ 40 v - 300W (TC)
IRG4PC50FPBF Infineon Technologies irg4pc50fpbf -
RFQ
ECAD 9586 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRG4PC50 기준 200 w TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 480V, 39A, 5ohm, 15V - 600 v 70 a 280 a 1.6V @ 15V, 39A 370µJ (on), 2.1mj (OFF) 190 NC 31ns/240ns
BCR119SH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR119SH6327XTSA1 0.0975
RFQ
ECAD 7824 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR119 250MW PG-SOT363-PO 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma - 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 120 @ 5MA, 5V 150MHz 4.7kohms -
BFR740L3RHE6327XTSA1 Infineon Technologies BFR740L3RHE6327XTSA1 0.9700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 BFR740 160MW PG-TSLP-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 15,000 24.5dB 4.7V 30ma NPN 160 @ 25MA, 3V 42GHz 0.5dB ~ 0.8db @ 1.8GHz ~ 6GHz
SIPC05N80C3X1SA2 Infineon Technologies SIPC05N80C3X1SA2 -
RFQ
ECAD 1230 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 SIPC05 - Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 SP000927912 0000.00.0000 1 -
IRFR1205TRLPBF Infineon Technologies irfr1205trlpbf -
RFQ
ECAD 6199 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR1205 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001575974 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 44A (TC) 10V 27mohm @ 26a, 10V 4V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 107W (TC)
IRF7521D1TR Infineon Technologies IRF7521DT -
RFQ
ECAD 9132 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) MOSFET (금속 (() Micro8 ™ 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 20 v 2.4A (TA) 2.7V, 4.5V 135mohm @ 1.7a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 8 NC @ 4.5 v ± 12V 260 pf @ 15 v Schottky 분리 (다이오드) 1.3W (TA)
IPP90R1K0C3XKSA1 Infineon Technologies IPP90R1K0C3XKSA1 -
RFQ
ECAD 8082 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP90R MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 900 v 5.7A (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10V 3.5V @ 370µA 34 NC @ 10 v ± 20V 850 pf @ 100 v - 89W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고