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트랜지스터 (13833)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	전압 - 평가	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	빈도	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	현재 현재 (amp)	테스트 테스트	현재 - 테스트	전원 - 출력	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	노이즈 노이즈	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	전압 - 테스트	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
IPP80N06S2-H5	1.0000	RFQ	4562	인피온 인피온	Coolmos ™	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3				MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-1	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1		n 채널						55 v	80A (TC)	10V	5.5mohm @ 80a, 10V	4V @ 230µA	155 NC @ 10 v	± 20V	4400 pf @ 25 v	-	300W (TC)
BC817K40E6433HTMA1	0.3700	RFQ	75	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC817				500MW		PG-SOT23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000																					45 v	500 MA							100NA (ICBO)			NPN	700mv @ 50ma, 500ma	250 @ 100MA, 1V	170MHz
BCX52E6327	1.0000	RFQ	3720	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA					2 w		PG-SOT89-4-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,000																					60 v	1 a							100NA (ICBO)				500mv @ 50ma, 500ma	100 @ 150ma, 2v	125MHz
IRG5U200SD12B	-	RFQ	6030	인피온 인피온	-	상자	쓸모없는		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	Powir® 62 2					1430 w	기준	Powir® 62	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	15	하나의																			-	1200 v	320 a		3.5V @ 15V, 200a					3 MA	아니요	23 NF @ 25 v
IKB40N65EH5ATMA1	5.0700	RFQ	1	인피온 인피온	TrenchStop ™ 5	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IKB40N65	기준			250 W.		PG-to263-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000				400V, 40A, 15ohm, 15V															78 ns	트렌치 트렌치 정지	650 v	74 a	160 a	2.1V @ 15V, 40A	1.1mj (on), 400µJ (OFF)	95 NC	20ns/157ns
IHW30N90TFKSA1	-	RFQ	7195	인피온 인피온	TrenchStop®	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		기준			428 w		PG-to247-3-1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	240				600V, 30A, 15ohm, 15V																트렌치 트렌치 정지	900 v	60 a	90 a	1.7V @ 15V, 30A	1.8mj (OFF)	280 NC	45NS/556NS
auirls3034-7p	-	RFQ	1872	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA				MOSFET (금속 (()			D2PAK (7- 리드)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널						40 v	240A (TC)	4.5V, 10V	1.4mohm @ 200a, 10V	2.5V @ 250µA	180 NC @ 4.5 v	± 20V	10990 pf @ 40 v	-	380W (TC)
FF400R12KE3S5HOSA1	191.8000	RFQ	67	인피온 인피온	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준					2000 w	기준	Ag-62mm	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.29.0095	1	하프 하프 인버터																			-	1200 v	580 a		2.15V @ 15V, 400A					5 MA	아니요	28 nf @ 25 v
IPD50N06S4L08ATMA2	1.3200	RFQ	7	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101, Optimos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD50			MOSFET (금속 (()			PG-to252-3-11	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널						60 v	50A (TC)	4.5V, 10V	7.8mohm @ 50a, 10V	2.2V @ 35µA	64 NC @ 10 v	± 16V	4780 pf @ 25 v	-	71W (TC)
PTFA181001GL V1 R250	-	RFQ	3564	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	65 v		표면 표면	2- 플랫 팩, 핀 리드	PTFA181001		1.88GHz	LDMOS			PG-63248-2	다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	250			1µA		750 MA	100W	16.5dB											-										28 v
FS300R12OE4PNOSA1	519.6100	RFQ	5764	인피온 인피온	EconoPack ™+	쟁반	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C	섀시 섀시	기준 기준	FS300R12				20 MW	기준	기준 기준	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4	전체 전체																			트렌치 트렌치 정지	1200 v	600 a		2.1V @ 15V, 300A					3 MA	예	18.5 nf @ 25 v
SPP20N60CFDHKSA1	-	RFQ	6502	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	spp20n			MOSFET (금속 (()			PG-to220-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP000014475	귀 99	8541.29.0095	500		n 채널						650 v	20.7A (TC)	10V	220mohm @ 13.1a, 10V	5V @ 1MA	124 NC @ 10 v	± 20V	2400 pf @ 25 v	-	208W (TC)
IRFR3707	-	RFQ	9863	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63				MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFR3707	귀 99	8541.29.0095	75		n 채널						30 v	61A (TC)	4.5V, 10V	13mohm @ 15a, 10V	3V @ 250µA	19 NC @ 4.5 v	± 20V	1990 pf @ 15 v	-	87W (TC)
IKP15N60TXKSA1	2.6800	RFQ	2227	인피온 인피온	TrenchStop®	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IKP15N60	기준			130 W.		PG-to220-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50				400V, 15a, 15ohm, 15V															34 ns	트렌치 트렌치 정지	600 v	30 a	45 a	2.05V @ 15V, 15a	570µJ	87 NC	17ns/188ns
IRGSL14C40LPBF	-	RFQ	6051	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA		논리			125 w		TO-262	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50				-																-	430 v	20 a		1.75V @ 5V, 14a	-	27 NC	900ns/6µs
IRFZ44VSTRL	-	RFQ	8969	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널						60 v	55A (TC)	10V	16.5mohm @ 31a, 10V	4V @ 250µA	67 NC @ 10 v	± 20V	1812 pf @ 25 v	-	115W (TC)
IRF7105TRPBF	0.9000	RFQ	6	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IRF71			MOSFET (금속 (()	2W		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000	n 및 p 채널							25V	3.5a, 2.3a		100mohm @ 1a, 10V	3V @ 250µA	27NC @ 10V		330pf @ 15V	-
IRFR3103	-	RFQ	6525	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63				MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFR3103	귀 99	8541.29.0095	75		n 채널						400 v	1.7A (TA)	10V	3.6ohm @ 1a, 10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	170 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 25W (TC)
ISK024NE2LM5AUSA1	0.4121	RFQ	1483	인피온 인피온	Optimos ™ 5	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-powervdfn				MOSFET (금속 (()			PG-VSON-6-1	다운로드	Rohs3 준수			448 -ISC024NE2LM5AUSA1TR			3,000		n 채널						40 v	20A (TA), 103A (TC)	4.5V, 10V	-	-		-		-	2.1W (TA), 39W (TC)
IPB80N04S304ATMA1	1.4928	RFQ	4077	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IPB80N			MOSFET (금속 (()			PG-to263-3-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널						40 v	80A (TC)	10V	3.8mohm @ 80a, 10V	4V @ 90µA	80 nc @ 10 v	± 20V	5200 pf @ 25 v	-	136W (TC)
irfu220n	-	RFQ	4069	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA				MOSFET (금속 (()			IPAK (TO-251AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	75		n 채널						200 v	5A (TC)	10V	600mohm @ 2.9a, 10V	4V @ 250µA	23 nc @ 10 v	± 20V	300 pf @ 25 v	-	43W (TC)
IRLR7843TRPBF	1.5100	RFQ	35	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRLR7843			MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널						30 v	161A (TC)	4.5V, 10V	3.3mohm @ 15a, 10V	2.3V @ 250µA	50 nc @ 4.5 v	± 20V	4380 pf @ 15 v	-	140W (TC)
IRF6619TR1	1.8400	RFQ	7	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DirectFet ™ ™ 메트릭 MX				MOSFET (금속 (()			DirectFet ™ MX	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널						20 v	30A (TA), 150A (TC)	4.5V, 10V	2.2MOHM @ 30A, 10V	2.45V @ 250µA	57 NC @ 4.5 v	± 20V	5040 pf @ 10 v	-	2.8W (TA), 89W (TC)
FP10R12W1T4B11BOMA1	46.0700	RFQ	1123	인피온 인피온	Econopim ™ 3	쟁반	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C	섀시 섀시	기준 기준	FP10R12				105 w	기준	기준 기준	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	24	3 단계 인버터																			-	1200 v	20 a		2.25V @ 15V, 10A					1 MA	예	600 pf @ 25 v
DDB6U50N16W1RPB11BPSA1	69.1800	RFQ	4866	인피온 인피온	-	쟁반	활동적인		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	DDB6U50					3 정류기 정류기 브리지	Ag-Easy1b	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30	단일 단일																			트렌치 트렌치 정지	1200 v	50 a		1.5V @ 15V, 50A					6.2 µA	아니요	11.1 NF @ 25 v
IRF6614	-	RFQ	9561	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DirectFet ™ ™ 메트릭 st				MOSFET (금속 (()			DirectFet ™ st	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,800		n 채널						40 v	12.7A (TA), 55A (TC)	4.5V, 10V	8.3mohm @ 12.7a, 10V	2.25V @ 250µA	29 NC @ 4.5 v	± 20V	2560 pf @ 20 v	-	2.1W (TA), 42W (TC)
DDB6U100N16RRBPSA1	104.7500	RFQ	6	인피온 인피온	-	쟁반	마지막으로 마지막으로		150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	DDB6U100				350 w	기준	Ag-Econo2a	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	15	단일 단일																			-	1200 v	50 a		3.2V @ 20V, 50A					1 MA	아니요	3.3 NF @ 25 v
IRF2807pbf	2.0800	RFQ	4	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	새로운 새로운 아닙니다		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF2807			MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널						75 v	82A (TC)	10V	13mohm @ 43a, 10V	4V @ 250µA	160 nc @ 10 v	± 20V	3820 pf @ 25 v	-	230W (TC)
IRL540NSPBF	-	RFQ	5328	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	sic에서 중단되었습니다		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널						100 v	36A (TC)	4V, 10V	44mohm @ 18a, 10V	2V @ 250µA	74 NC @ 5 v	± 16V	1800 pf @ 25 v	-	3.8W (TA), 140W (TC)
BSC0910ndiatma1	2.5600	RFQ	9	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	BSC0910			MOSFET (금속 (()	1W		PG-Tison-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000	2 n 채널 (채널) 비대칭							25V	11a, 31a		4.6mohm @ 25a, 10V	2V @ 250µA	6.6NC @ 4.5V		4500pf @ 12v	논리 논리 게이트, 4.5V 드라이브

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²