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트랜지스터 (13833)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	테스트 테스트	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
irfu220n	-	RFQ	4069	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA			MOSFET (금속 (()			IPAK (TO-251AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	75		n 채널			200 v	5A (TC)	10V	600mohm @ 2.9a, 10V	4V @ 250µA	23 nc @ 10 v	± 20V	300 pf @ 25 v	-	43W (TC)
IRLR7843TRPBF	1.5100	RFQ	35	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRLR7843		MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널			30 v	161A (TC)	4.5V, 10V	3.3mohm @ 15a, 10V	2.3V @ 250µA	50 nc @ 4.5 v	± 20V	4380 pf @ 15 v	-	140W (TC)
IRF6619TR1	1.8400	RFQ	7	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DirectFet ™ ™ 메트릭 MX			MOSFET (금속 (()			DirectFet ™ MX	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널			20 v	30A (TA), 150A (TC)	4.5V, 10V	2.2MOHM @ 30A, 10V	2.45V @ 250µA	57 NC @ 4.5 v	± 20V	5040 pf @ 10 v	-	2.8W (TA), 89W (TC)
FP10R12W1T4B11BOMA1	46.0700	RFQ	1123	인피온 인피온	Econopim ™ 3	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C	섀시 섀시	기준 기준	FP10R12			105 w	기준	기준 기준	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	24	3 단계 인버터															-	1200 v	20 a		2.25V @ 15V, 10A				1 MA	예	600 pf @ 25 v
DDB6U50N16W1RPB11BPSA1	69.1800	RFQ	4866	인피온 인피온	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	DDB6U50				3 정류기 정류기 브리지	Ag-Easy1b	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30	단일 단일															트렌치 트렌치 정지	1200 v	50 a		1.5V @ 15V, 50A				6.2 µA	아니요	11.1 NF @ 25 v
IRF6614	-	RFQ	9561	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DirectFet ™ ™ 메트릭 st			MOSFET (금속 (()			DirectFet ™ st	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,800		n 채널			40 v	12.7A (TA), 55A (TC)	4.5V, 10V	8.3mohm @ 12.7a, 10V	2.25V @ 250µA	29 NC @ 4.5 v	± 20V	2560 pf @ 20 v	-	2.1W (TA), 42W (TC)
DDB6U100N16RRBPSA1	104.7500	RFQ	6	인피온 인피온	-	쟁반	마지막으로 마지막으로	150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	DDB6U100			350 w	기준	Ag-Econo2a	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	15	단일 단일															-	1200 v	50 a		3.2V @ 20V, 50A				1 MA	아니요	3.3 NF @ 25 v
IRF2807pbf	2.0800	RFQ	4	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF2807		MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널			75 v	82A (TC)	10V	13mohm @ 43a, 10V	4V @ 250µA	160 nc @ 10 v	± 20V	3820 pf @ 25 v	-	230W (TC)
IRL540NSPBF	-	RFQ	5328	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널			100 v	36A (TC)	4V, 10V	44mohm @ 18a, 10V	2V @ 250µA	74 NC @ 5 v	± 16V	1800 pf @ 25 v	-	3.8W (TA), 140W (TC)
BSC0910ndiatma1	2.5600	RFQ	9	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	BSC0910		MOSFET (금속 (()	1W		PG-Tison-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000	2 n 채널 (채널) 비대칭				25V	11a, 31a		4.6mohm @ 25a, 10V	2V @ 250µA	6.6NC @ 4.5V		4500pf @ 12v	논리 논리 게이트, 4.5V 드라이브
IRGB20B60PD1PBF	-	RFQ	8775	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		기준		215 W.		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			390v, 13a, 10ohm, 15v												28 ns	NPT	600 v	40 a	80 a	2.8V @ 15V, 20A	95µJ (on), 100µJ (OFF)	68 NC	20ns/115ns
MA13034801NDSA1	-	RFQ	3299	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는										-			영향을받지 영향을받지	448-MA13034801NDSA1	귀 99	8541.29.0095	1
IPB03N03LAG	1.0100	RFQ	1	인피온 인피온	최적화 ™	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()			PG-to263-3-2	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널			25 v	80A (TC)	4.5V, 10V	2.7mohm @ 55a, 10V	2V @ 100µa	57 NC @ 5 v	± 20V	7027 pf @ 15 v	-	150W (TC)
IRGI4059DPBF	-	RFQ	2659	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-	구멍을 구멍을	TO-220-3		기준				TO-220AB	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			-													-				-	-		-
IRFU3704PBF	-	RFQ	9456	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA			MOSFET (금속 (()			IPAK (TO-251AA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	75		n 채널			20 v	75A (TC)	10V	9.5mohm @ 15a, 10V	3V @ 250µA	19 NC @ 4.5 v	± 20V	1996 PF @ 10 v	-	90W (TC)
BSS119 E7796	-	RFQ	9267	인피온 인피온	SIPMOS®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET (금속 (()			PG-SOT23	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000		n 채널			100 v	170ma (TA)	4.5V, 10V	6ohm @ 170ma, 10V	2.3V @ 50µA	2.5 nc @ 10 v	± 20V	78 pf @ 25 v	-	360MW (TA)
spp15p10p	-	RFQ	2265	인피온 인피온	SIPMOS®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	spp15p		MOSFET (금속 (()			PG-to220-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500		p 채널			100 v	15A (TC)	10V	240mohm @ 10.6a, 10V	2.1V @ 1.54ma	50 nc @ 10 v	± 20V	1180 pf @ 25 v	-	128W (TC)
AUIRF7304Q	-	RFQ	3145	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AUIRF7304		MOSFET (금속 (()	2W		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001519450	귀 99	8541.29.0095	95	2 p 채널 (채널)				20V	4.3A		90mohm @ 2.2a, 4.5v	1.5V @ 250µA	22NC @ 4.5V		610pf @ 15V	논리 논리 게이트
IPA100N08N3GXKSA1	-	RFQ	8307	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩			MOSFET (금속 (()			PG-to220-FP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500		n 채널			80 v	40A (TC)	6V, 10V	10MOHM @ 40A, 10V	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 v	± 20V	2410 pf @ 40 v	-	35W (TC)
IKA08N65H5	1.0000	RFQ	8192	인피온 인피온	TrenchStop ™	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		기준		31.2 w		PG-to220-3-111	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1			400V, 4A, 48ohm, 15V												40 ns	트렌치 트렌치 정지	650 v	10.8 a	24 a	2.1V @ 15V, 8A	70µJ (on), 30µJ (OFF)	22 NC	11ns/115ns
BFR380L3E6327XTMA1	0.5400	RFQ	3975	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-101, SOT-883	BFR380			380MW		PG-TSLP-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	15,000				7.5dB ~ 16.5dB													9V	80ma									NPN		90 @ 40MA, 3V	14GHz			0.5dB ~ 2.1db @ 1.8GHz
BFP740ESDH6327XTSA1	0.6700	RFQ	9	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-82A, SOT-343	BFP740			160MW		PG-SOT343-4-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000				8.5dB ~ 30.5dB													4.7V	45MA									NPN		160 @ 25MA, 3V	45GHz			0.55dB ~ 1.8dB @ 150MHz ~ 10GHz
IRFB3077PBF	4.7500	RFQ	4	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRFB3077		MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널			75 v	120A (TC)	10V	3.3mohm @ 75a, 10V	4V @ 250µA	220 NC @ 10 v	± 20V	9400 pf @ 50 v	-	370W (TC)
irlhs6276trpbf	0.7100	RFQ	6	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-vqfn	IRLHS6276		MOSFET (금속 (()	1.5W		6-pqfn (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000	2 n 채널 (채널)				20V	4.5A		45mohm @ 3.4a, 4.5v	1.1V @ 10µA	3.1NC @ 4.5V		310pf @ 10V	논리 논리 게이트
IRF640NPBF	1.4900	RFQ	77	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF640		MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널			200 v	18A (TC)	10V	150mohm @ 11a, 10V	4V @ 250µA	67 NC @ 10 v	± 20V	1160 pf @ 25 v	-	150W (TC)
IPW65R029CFD7XKSA1	16.2400	RFQ	205	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IPW65R029		MOSFET (금속 (()			PG-to247-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30		n 채널			650 v	69A (TC)		29mohm @ 35.8a, 10V	4.5V @ 1.79ma	145 NC @ 10 v	± 20V	7149 pf @ 400 v	-	305W (TC)
IRLR3714TRLPBF	-	RFQ	8058	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널			20 v	36A (TC)	4.5V, 10V	20mohm @ 18a, 10V	3V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 v	± 20V	670 pf @ 10 v	-	47W (TC)
BC 807-25 E6327	-	RFQ	6839	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC 807			330 MW		PG-SOT23	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																	45 v	500 MA						100NA (ICBO)			PNP	700mv @ 50ma, 500ma	160 @ 100MA, 1V	200MHz
BFP183WH6327XTSA1	0.4200	RFQ	15	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-82A, SOT-343	BFP183			450MW		PG-SOT343-3D	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000				22db													12V	65MA									NPN		70 @ 15ma, 8v	8.5GHz			0.9dB ~ 1.4DB @ 900MHz ~ 1.8GHz
BCR185SE6327BTSA1	-	RFQ	7078	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BCR185			250MW		PG-SOT363-PO	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000																	50V	100ma						-			2 pnp--바이어스 (듀얼)	300MV @ 500µA, 10MA	70 @ 5MA, 5V	200MHz	10kohms	47kohms

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²