SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IRF3708STRLPBF Infineon Technologies IRF3708STRLPBF -
RFQ
ECAD 3617 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 62A (TC) 2.8V, 10V 12MOHM @ 15A, 10V 2V @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 12V 2417 pf @ 15 v - 87W (TC)
IAUCN04S6N018TATMA1 Infineon Technologies IAUCN04S6N018TATMA1 1.2090
RFQ
ECAD 5573 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 2,000
IRF7477PBF Infineon Technologies IRF7477pbf -
RFQ
ECAD 3781 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001575216 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 14A (TA) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 14a, 10V 2.5V @ 250µA 38 NC @ 4.5 v ± 20V 2710 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
AUIRG4BC30S-S Infineon Technologies auirg4bc30s-s -
RFQ
ECAD 8682 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB auirg4 기준 100 W. D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001511470 귀 99 8541.29.0095 1,000 480V, 18A, 23OHM, 15V - 600 v 34 a 68 a 1.6V @ 15V, 18A 260µJ (on), 3.45mj (OFF) 50 NC 22ns/540ns
IRFZ24NL Infineon Technologies IRFZ24NL -
RFQ
ECAD 7286 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFZ24NL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 17A (TC) 10V 70mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 370 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 45W (TC)
BC 856B E6327 Infineon Technologies BC 856B E6327 -
RFQ
ECAD 2466 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC 856 330 MW PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 250MHz
BSS87E6327T Infineon Technologies BSS87E6327T -
RFQ
ECAD 1265 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA MOSFET (금속 (() PG-SOT89-4-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 240 v 260MA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 260ma, 10V 1.8V @ 108µA 5.5 nc @ 10 v ± 20V 97 pf @ 25 v - 1W (TA)
IRG5K100HF06A Infineon Technologies IRG5K100HF06A -
RFQ
ECAD 2679 0.00000000 인피온 인피온 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Powir® 34 4 405 w 기준 Powir® 34 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001547942 귀 99 8541.29.0095 20 반 반 - 600 v 170 a 2.1V @ 15V, 100A 1 MA 아니요 6.2 NF @ 25 v
BCV62CE6327HTSA1 Infineon Technologies BCV62CE6327HTSA1 0.4400
RFQ
ECAD 31 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BCV62 300MW PG-SOT-143-3D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 250MHz
IPAN70R450P7SXKSA1 Infineon Technologies IPAN70R450P7SXKSA1 1.3800
RFQ
ECAD 6876 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPAN70 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 700 v 10A (TC) 10V 450mohm @ 2.3a, 10V 3.5V @ 120µA 13.1 NC @ 10 v ± 16V 424 pf @ 400 v - 22.7W (TC)
IRFR13N20DTRRP Infineon Technologies irfr13n20dtrrp -
RFQ
ECAD 8191 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001560540 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 13A (TC) 10V 235mohm @ 8a, 10V 5.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 830 pf @ 25 v - 110W (TC)
BFR340FH6327XTSA1 Infineon Technologies BFR340FH6327XTSA1 0.4100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 BFR340 75MW PG-TSFP-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 13dB ~ 28dB 9V 20MA NPN 90 @ 5MA, 3V 14GHz 0.9dB ~ 1.2db @ 100MHz ~ 2.4GHz
IPB50R140CPATMA1 Infineon Technologies IPB50R140CPATMA1 3.0123
RFQ
ECAD 4621 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB50R140 MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 550 v 23A (TC) 10V 140mohm @ 14a, 10V 3.5V @ 930µA 64 NC @ 10 v ± 20V 2540 pf @ 100 v - 192W (TC)
IRF2807ZL Infineon Technologies IRF2807ZL -
RFQ
ECAD 6644 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF2807ZL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 75A (TC) 10V 9.4mohm @ 53a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 3270 pf @ 25 v - 170W (TC)
BSB013NE2LXIXUMA1 Infineon Technologies BSB013NE2LXIXUMA1 1.9500
RFQ
ECAD 19 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-Wdson BSB013 MOSFET (금속 (() Mg-Wdson-2, Canpak M ™ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 25 v 36A (TA), 163A (TC) 4.5V, 10V 1.3MOHM @ 30A, 10V 2V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 20V 4400 pf @ 12 v - 2.8W (TA), 57W (TC)
IPB05CN10N G Infineon Technologies IPB05CN10N g -
RFQ
ECAD 9195 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB05C MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 100A (TC) 10V 5.1MOHM @ 100A, 10V 4V @ 250µA 181 NC @ 10 v ± 20V 12000 pf @ 50 v - 300W (TC)
BF1005E6327HTSA1 Infineon Technologies BF1005E6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 6936 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 8 v 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BF1005 800MHz MOSFET PG-SOT-143-3D 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 25MA - 19db 1.6dB 5 v
PTFA081501E1V4R250XTMA1 Infineon Technologies PTFA081501E1V4R250XTMA1 -
RFQ
ECAD 5352 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000539346 귀 99 8541.29.0075 250
IPB017N06N3GATMA1 Infineon Technologies IPB017N06N3GATMA1 3.6700
RFQ
ECAD 2668 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IPB017 MOSFET (금속 (() PG-to263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 180A (TC) 10V 1.7mohm @ 100a, 10V 4V @ 196µA 275 NC @ 10 v ± 20V 23000 pf @ 30 v - 250W (TC)
IRF6637TRPBF Infineon Technologies irf6637trpbf -
RFQ
ECAD 9974 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MP IRF6637 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 30 v 14A (TA), 59A (TC) 4.5V, 10V 7.7mohm @ 14a, 10V 2.35V @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 1330 pf @ 15 v - 2.3W (TA), 42W (TC)
IHY20N120R3XKSA1 Infineon Technologies IHY20N120R3XKSA1 -
RFQ
ECAD 1541 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IHY20 기준 310 w PG-to247HC-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 280 600V, 20A, 15ohm, 15V 도랑 1200 v 40 a 60 a 1.7V @ 15V, 20A 950µJ (OFF) 211 NC -/387ns
IRG4BC20F-S Infineon Technologies IRG4BC20F-S -
RFQ
ECAD 5187 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 60 W. TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRG4BC20F-S 귀 99 8541.29.0095 50 480V, 9A, 50ohm, 15V - 600 v 16 a 64 a 2V @ 15V, 9A 70µJ (on), 600µJ (OFF) 27 NC 24ns/190ns
94-3250 Infineon Technologies 94-3250 -
RFQ
ECAD 1865 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MQ IRF6604 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MQ 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 30 v 12A (TA), 49A (TC) 4.5V, 7V 11.5mohm @ 12a, 7v 2.1V @ 250µA 26 NC @ 4.5 v ± 12V 2270 pf @ 15 v - 2.3W (TA), 42W (TC)
SPI08N50C3XKSA1 Infineon Technologies SPI08N50C3XKSA1 -
RFQ
ECAD 3928 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA SPI08N MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 560 v 7.6A (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V @ 350µA 32 NC @ 10 v ± 20V 750 pf @ 25 v - 83W (TC)
IPD50R380CEAUMA1 Infineon Technologies IPD50R380CEAUMA1 1.2500
RFQ
ECAD 30 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD50R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 14.1A (TC) 13V 380mohm @ 3.2a, 13v 3.5V @ 260µA 24.8 nc @ 10 v ± 20V 584 pf @ 100 v - 98W (TC)
IRF6811STRPBF-INF Infineon Technologies irf6811strpbf-inf 0.6400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 DirectFet® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq MOSFET (금속 (() DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 225 n 채널 25 v 19A (TA), 74A (TC) 3.7mohm @ 19a, 10V 2.1V @ 35µA 17 NC @ 4.5 v ± 16V 1590 pf @ 13 v - 2.1W (TA), 32W (TC)
IRF3709ZLPBF Infineon Technologies IRF3709ZLPBF -
RFQ
ECAD 8857 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 87A (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 21a, 10V 2.25V @ 250µA 26 NC @ 4.5 v ± 20V 2130 pf @ 15 v - 79W (TC)
FS15R06VL4B2BOMA1 Infineon Technologies FS15R06VL4B2BOMA1 -
RFQ
ECAD 7742 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 40
BCX52H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX52H6327XTSA1 0.1920
RFQ
ECAD 7645 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX52 2 w PG-SOT89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v 125MHz
PTFA192401FV4R250XTMA1 Infineon Technologies PTFA192401FV4R250XTMA1 -
RFQ
ECAD 4442 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 PTFA192401 1.96GHz LDMOS H-37260-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 250 10µA 1.6 a 50W 16db - 30 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고