SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
IRLML0030TRPBF Infineon Technologies irlml0030trpbf 0.4800
RFQ
ECAD 257 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 IRLML0030 MOSFET (금속 (() Micro3 ™/SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 5.3A (TA) 4.5V, 10V 27mohm @ 5.2a, 10V 2.3V @ 25µA 2.6 NC @ 4.5 v ± 20V 382 pf @ 15 v - 1.3W (TA)
BSC020N025S G Infineon Technologies BSC020N025S g -
RFQ
ECAD 4984 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 25 v 30A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 2MOHM @ 50A, 10V 2V @ 110µA 66 NC @ 5 v ± 20V 8290 pf @ 15 v - 2.8W (TA), 104W (TC)
BSC0993NDATMA1 Infineon Technologies BSC0993NDATMA1 1.7200
RFQ
ECAD 100 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC0993 MOSFET (금속 (() PG-Tison-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 17A (TA) 5mohm @ 7a, 10V 2V @ 250µA -
IKB06N60TATMA1 Infineon Technologies IKB06N60TATMA1 1.9900
RFQ
ECAD 780 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IKB06N 기준 88 W. PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 6A, 23ohm, 15V 123 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 12 a 18 a 2.05V @ 15V, 6A 200µJ 42 NC 9ns/130ns
IRFR3412TRLPBF Infineon Technologies irfr3412trlpbf -
RFQ
ECAD 3872 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 48A (TC) 10V 25mohm @ 29a, 10V 5.5V @ 250µA 89 NC @ 10 v ± 20V 3430 pf @ 25 v - 140W (TC)
SPD30N03S2L-20 Infineon Technologies SPD30N03S2L-20 -
RFQ
ECAD 2994 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 spd30n MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 18a, 10V 2V @ 23µA 19 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 60W (TC)
IRF6626TRPBF Infineon Technologies irf6626trpbf -
RFQ
ECAD 8331 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 st MOSFET (금속 (() DirectFet ™ st 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 30 v 16A (TA), 72A (TC) 4.5V, 10V 5.4mohm @ 16a, 10V 2.35V @ 250µA 29 NC @ 4.5 v ± 20V 2380 pf @ 15 v - 2.2W (TA), 42W (TC)
IPB80N06S207ATMA4 Infineon Technologies IPB80N06S207ATMA4 -
RFQ
ECAD 3693 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 80A (TC) 10V 6.3MOHM @ 68A, 10V 4V @ 180µA 110 NC @ 10 v ± 20V 3400 pf @ 25 v - 250W (TC)
IRF6609TR1 Infineon Technologies IRF6609TR1 -
RFQ
ECAD 6687 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Mt MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Mt 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 SP001529252 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 20 v 31A (TA), 150A (TC) 4.5V, 10V 2MOHM @ 31A, 10V 2.45V @ 250µA 69 NC @ 4.5 v ± 20V 6290 pf @ 10 v - 1.8W (TA), 89W (TC)
IRF640NLPBF Infineon Technologies IRF640NLPBF 2.3400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF640 MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 18A (TC) 10V 150mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 1160 pf @ 25 v - 150W (TC)
FF400R33KF2CNOSA1 Infineon Technologies FF400R33KF2CNOSA1 -
RFQ
ECAD 9603 0.00000000 인피온 인피온 Primepack ™ 2 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF400R33 4800 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 2 독립 - 3300 v 660 a 4.25V @ 15V, 400A 5 MA 아니요 50 nf @ 25 v
IRLR8103VPBF Infineon Technologies IRLR8103VPBF -
RFQ
ECAD 3625 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 91A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 27 NC @ 5 v ± 20V 2672 pf @ 16 v - 115W (TC)
IPD60R650CEATMA1 Infineon Technologies IPD60R650CEATMA1 -
RFQ
ECAD 8600 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 650mohm @ 2.4a, 10V 3.5V @ 200µA 20.5 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 100 v - 63W (TC)
IRF7353D2 Infineon Technologies IRF7353D2 -
RFQ
ECAD 4207 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF7353D2 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 6.5A (TA) 4.5V, 10V 29mohm @ 5.8a, 10V 1V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 20V 650 pf @ 25 v Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA)
BSP123L6327HTSA1 Infineon Technologies BSP123L6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 4989 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 370MA (TA) 2.8V, 10V 6ohm @ 370ma, 10V 1.8V @ 50µA 2.4 NC @ 10 v ± 20V 70 pf @ 25 v - 1.79W (TA)
IRFBA1404P Infineon Technologies IRFBA1404P -
RFQ
ECAD 8718 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-273AA MOSFET (금속 (() Super-220 ™ (TO-273AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFBA1404P 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 206A (TC) 10V 3.7mohm @ 95a, 10V 4V @ 250µA 200 nc @ 10 v ± 20V 7360 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRF7464 Infineon Technologies IRF7464 -
RFQ
ECAD 3973 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF7464 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 200 v 1.2A (TA) 10V 730mohm @ 720ma, 10V 5.5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 280 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
IRF7313TRPBF-1 Infineon Technologies IRF7313TRPBF-1 -
RFQ
ECAD 4060 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF731 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 448-irf7313trpbf-1tr 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 30V 6.5A (TA) 29mohm @ 5.8a, 10V 1V @ 250µA 33NC @ 10V 650pf @ 25V -
FF75R12RT4HOSA1 Infineon Technologies FF75R12RT4HOSA1 73.7200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 Primepack ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF75R12 395 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1200 v 75 a 2.15V @ 15V, 75A 1 MA 아니요 4.3 NF @ 25 v
IRLU014NPBF Infineon Technologies IRLU014NPBF -
RFQ
ECAD 5631 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 55 v 10A (TC) 4.5V, 10V 140mohm @ 6a, 10V 1V @ 250µA 7.9 NC @ 5 v ± 16V 265 pf @ 25 v - 28W (TC)
FZ1200R16KF4S1NOSA1 Infineon Technologies FZ1200R16KF4S1NOSA1 1.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 귀 99 8541.29.0095 1
IRL3303D1 Infineon Technologies IRL3303D1 -
RFQ
ECAD 7861 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL3303D1 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 38A (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 20a, 10V 1V @ 250µA 26 NC @ 4.5 v ± 16V 870 pf @ 25 v - 68W (TC)
IRF9Z24NSTRL Infineon Technologies irf9z24nstrl -
RFQ
ECAD 2287 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 55 v 12A (TC) 10V 175mohm @ 7.2a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 45W (TC)
BC847BE6327HTSA1 Infineon Technologies BC847BE6327HTSA1 0.3200
RFQ
ECAD 82 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IRFR13N20DTRPBF Infineon Technologies irfr13n20dtrpbf -
RFQ
ECAD 4551 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 200 v 13A (TC) 10V 235mohm @ 8a, 10V 5.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 830 pf @ 25 v - 110W (TC)
IKW40N65F5F Infineon Technologies ikw40n65f5f -
RFQ
ECAD 1788 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 255 w PG-to247-3 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 20A, 15ohm, 15V 60 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 74 a 120 a 2.1V @ 15V, 40A 360µJ (on), 100µJ (OFF) 95 NC 19ns/160ns
IKFW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies IKFW75N65EH5XKSA1 9.1200
RFQ
ECAD 4918 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 5 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IKFW75 기준 148 w PG-HSIP247-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 60A, 12ohm, 15V 75 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 80 a 240 a 2.1V @ 15V, 60A 1.8mj (on), 600µJ (OFF) 144 NC 30ns/206ns
IRFS4010PBF Infineon Technologies IRFS4010PBF -
RFQ
ECAD 2943 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001578304 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 180A (TC) 10V 4.7mohm @ 106a, 10V 4V @ 250µA 215 NC @ 10 v ± 20V 9575 pf @ 50 v - 375W (TC)
IRG5U300SD12B Infineon Technologies IRG5U300SD12B -
RFQ
ECAD 9053 0.00000000 인피온 인피온 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Powir® 62 2 2170 w 기준 Powir® 62 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 하나의 - 1200 v 480 a 3.5V @ 15V, 300A 3 MA 아니요 38 NF @ 25 v
IRLMS6702TRPBF Infineon Technologies IRLMS6702TRPBF -
RFQ
ECAD 7010 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 IRLMS6702 MOSFET (금속 (() Micro6 ™ (TSOP-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.4A (TA) 2.7V, 4.5V 200mohm @ 1.6a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 8.8 NC @ 4.5 v ± 12V 210 pf @ 15 v - 1.7W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고