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트랜지스터 (13833)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	테스트 테스트	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IPP530N15N3GXKSA1	-	RFQ	5087	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP530		MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널			150 v	21A (TC)	8V, 10V	53mohm @ 18a, 10V	4V @ 35µA	12 nc @ 10 v	± 20V	887 pf @ 75 v	-	68W (TC)
BSC035N04LSGATMA1	1.4200	RFQ	42	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	BSC035		MOSFET (금속 (()			PG-TDSON-8-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널			40 v	21A (TA), 100A (TC)	4.5V, 10V	3.5mohm @ 50a, 10V	2V @ 36µA	64 NC @ 10 v	± 20V	5100 pf @ 20 v	-	2.5W (TA), 69W (TC)
BCR108SH6433XTMA1	-	RFQ	9588	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BCR108			250MW		PG-SOT363-PO	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000																	50V	100ma						-			2 npn--바이어스 (듀얼)	300MV @ 500µA, 10MA	70 @ 5MA, 5V	170MHz	2.2kohms	47kohms
FP50R12KT4B11BPSA1	148.8000	RFQ	6339	인피온 인피온	Econopim ™ 2	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	FP50R12			280 W.	3 정류기 정류기 브리지	Ag-Econo2b	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	15	3 단계 인버터															트렌치 트렌치 정지	1200 v	50 a		2.15V @ 15V, 50A				1 MA	예	2.8 NF @ 25 v
IRGS4630DTRLPBF	-	RFQ	5173	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		기준		206 w		D2PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001540958	귀 99	8541.29.0095	800			400V, 18A, 22OHM, 15V												100 ns	-	600 v	47 a	54 a	1.95V @ 15V, 18A	95µJ (on), 350µJ (OFF)	35 NC	40ns/105ns
IPB04N03LA g	-	RFQ	2478	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IPB04N		MOSFET (금속 (()			PG-to263-3-2	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널			25 v	80A (TC)	4.5V, 10V	3.9mohm @ 55a, 10V	2V @ 60µA	32 NC @ 5 v	± 20V	3877 pf @ 15 v	-	107W (TC)
IPD082N10N3GATMA1	2.2600	RFQ	39	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD082		MOSFET (금속 (()			PG-to252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널			100 v	80A (TC)	6V, 10V	8.2MOHM @ 73A, 10V	3.5V @ 75µA	55 NC @ 10 v	± 20V	3980 pf @ 50 v	-	125W (TC)
IRF3711ZCSTRR	-	RFQ	6870	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널			20 v	92A (TC)	4.5V, 10V	6MOHM @ 15A, 10V	2.45V @ 250µA	24 nc @ 4.5 v	± 20V	2150 pf @ 10 v	-	79W (TC)
IFF2400P17LE4BPSA1	-	RFQ	6122	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 65 ° C (TA)	-	기준 기준					-	기준 기준	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는		1	반 반															-	1700 v			-					아니요
BSM200GB60DLCHOSA1	-	RFQ	4043	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	기준 기준	BSM200			730 w	기준	기준 기준	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10	하나의															-	600 v	230 a		2.45V @ 15V, 200a				500 µA	아니요	9 nf @ 25 v
BC848BE6433HTMA1	0.0418	RFQ	1849	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC848			330 MW		PG-SOT23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000																	30 v	100 MA						15NA (ICBO)			NPN	600mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	250MHz
IRG4BC40W-SPBF	-	RFQ	6719	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRG4BC40	기준		160 W.		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			480V, 20A, 10ohm, 15V													-	600 v	40 a	160 a	2.5V @ 15V, 20A	110µJ (on), 230µJ (OFF)	98 NC	27ns/100ns
IRF7807D2TR	-	RFQ	4752	인피온 인피온	Fetky ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MOSFET (금속 (()			도 8-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000		n 채널			30 v	8.3A (TA)	4.5V	25mohm @ 7a, 4.5v	1V @ 250µA	17 nc @ 5 v	± 12V		Schottky 분리 (다이오드)	2.5W (TC)
irf9530nstrrpbf	-	RFQ	2717	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001572446	귀 99	8541.29.0095	800		p 채널			100 v	14A (TC)	10V	200mohm @ 8.4a, 10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 v	± 20V	760 pf @ 25 v	-	3.8W (TA), 79W (TC)
BC850BE6327HTSA1	0.0532	RFQ	2301	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC850			330 MW		PG-SOT23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																	45 v	100 MA						15NA (ICBO)			NPN	600mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	250MHz
BCR108WH6433XTMA1	0.0553	RFQ	8947	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로		표면 표면	SC-70, SOT-323	BCR108			250 MW		PG-SOT323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000																	50 v	100 MA						100NA (ICBO)			npn-사전-	300MV @ 500µA, 10MA	70 @ 5MA, 5V	170 MHz	2.2 Kohms	47 Kohms
SPA08N50C3XKSA1	-	RFQ	1873	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	SPA08N		MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-31	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500		n 채널			560 v	7.6A (TC)	10V	600mohm @ 4.6a, 10V	3.9V @ 350µA	32 NC @ 10 v	± 20V	750 pf @ 25 v	-	32W (TC)
IPD13N03LA g	-	RFQ	2316	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD13N		MOSFET (금속 (()			PG-to252-3-11	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널			25 v	30A (TC)	4.5V, 10V	12.8mohm @ 30a, 10V	2V @ 20µA	8.3 NC @ 5 v	± 20V	1043 pf @ 15 v	-	46W (TC)
irg4bc20ud-strl	-	RFQ	1894	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		기준		60 W.		D2PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	irg4bc20udstrl	귀 99	8541.29.0095	800			480V, 6.5A, 50ohm, 15V												37 ns	-	600 v	13 a	52 a	2.1V @ 15V, 6.5A	160µJ (on), 130µJ (OFF)	27 NC	39ns/93ns
BCM856SE6327BTSA1	-	RFQ	9172	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BCM856			250MW		PG-SOT363-PO	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																	65V	100ma						15NA (ICBO)			2 PNP (()	650MV @ 5MA, 100MA	200 @ 2mA, 5V	250MHz
SPD09P06PL	-	RFQ	4184	인피온 인피온	SIPMOS®	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SPD09p		MOSFET (금속 (()			PG-to252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널			60 v	9.7A (TC)	4.5V, 10V	250mohm @ 6.8a, 10V	2V @ 250µA	21 NC @ 10 v	± 20V	450 pf @ 25 v	-	42W (TC)
FF450R17ME4PBOSA1	384.9300	RFQ	8342	인피온 인피온	Econodual ™ 3	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C	섀시 섀시	기준 기준	FF450R17			20 MW	기준	기준 기준	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	6	반 반															트렌치 트렌치 정지	1700 v	900 a		2.3V @ 15V, 450A				3 MA	예	36 nf @ 25 v
irg4ph30kdpbf	-	RFQ	1969	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		기준		100 W.		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	400			800V, 10A, 23ohm, 15V												50 ns	-	1200 v	20 a	40 a	4.2V @ 15V, 10A	950µJ (on), 1.15mj (OFF)	53 NC	39ns/220ns
IRF1404LPBF	3.1500	RFQ	266	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IRF1404		MOSFET (금속 (()			TO-262	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널			40 v	162A (TC)	10V	4mohm @ 95a, 10V	4V @ 250µA	200 nc @ 10 v	± 20V	7360 pf @ 25 v	-	3.8W (TA), 200W (TC)
IRG4BC30KPBF	-	RFQ	2062	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		기준		100 W.		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			480V, 16A, 23OHM, 15V													-	600 v	28 a	58 a	2.7V @ 15V, 16A	360µJ (on), 510µJ (OFF)	67 NC	26ns/130ns
IRFI3306GPBF	-	RFQ	6872	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	IRFI3306		MOSFET (금속 (()			TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널			60 v	71A (TC)	10V	4.2MOHM @ 43A, 10V	4V @ 150µA	135 NC @ 10 v	± 20V	4685 pf @ 50 v	-	46W (TC)
DDB6U180N16RRB11BPSA2	146.0700	RFQ	4850	인피온 인피온	EconoPack ™ 2	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	DDB6U180			515 w	기준	Ag-Econo2b	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	15	단일 단일															트렌치 트렌치 정지	1200 v	140 a		2.2V @ 15V, 100A				1 MA	아니요	6.3 NF @ 25 v
IRF3707ZCL	-	RFQ	6010	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA			MOSFET (금속 (()			TO-262	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF3707ZCL	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널			30 v	59A (TC)	4.5V, 10V	9.5mohm @ 21a, 10V	2.25V @ 250µA	15 nc @ 4.5 v	± 20V	1210 pf @ 15 v	-	57W (TC)
BFG135AE6327XT	-	RFQ	7600	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	BFG135			1W		PG-SOT223-4	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,000				9db ~ 14db													15V	150ma									NPN		80 @ 100MA, 8V	6GHz			1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IPA60R190E6XKSA1	2.3213	RFQ	6514	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	IPA60R		MOSFET (금속 (()			PG-to220-FP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500		n 채널			600 v	20.2A (TC)	10V	190mohm @ 9.5a, 10V	3.5V @ 630µA	63 NC @ 10 v	± 20V	1400 pf @ 100 v	-	34W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²