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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IGW50N65H5FKSA1 | 5.2200 | ![]() | 3818 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IGW50N65 | 기준 | 305 w | PG-to247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 25A, 12ohm, 15V | - | 650 v | 80 a | 150 a | 2.1V @ 15V, 50A | 520µJ (on), 180µJ (OFF) | 120 NC | 21ns/180ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFU5305PBF | 1.3300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU5305 | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 55 v | 31A (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | auirfr48ztrl | 1.4064 | ![]() | 7564 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | auirfr48 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001520288 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 55 v | 42A (TC) | 10V | 11mohm @ 37a, 10V | 4V @ 50µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 1720 pf @ 25 v | - | 91W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | SIPC10N80C3X1SA1 | - | ![]() | 8466 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | SIPC10 | - | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | SP000927916 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFS3004-7p | - | ![]() | 5111 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | MOSFET (금속 (() | PG-to263-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 40 v | 240A (TC) | 10V | 1.25mohm @ 195a, 10V | 4V @ 250µA | 240 NC @ 10 v | ± 20V | 9130 pf @ 25 v | - | 380W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BCW 66kg E6433 | - | ![]() | 3156 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCW 66 | 500MW | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 45 v | 800 MA | 20NA (ICBO) | NPN | 450MV @ 50MA, 500MA | 160 @ 100MA, 1V | 170MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFP4110 | 7.2200 | ![]() | 4055 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | AUIRFP4110 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001517386 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 100 v | 120A (TC) | 10V | 4.5mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 210 nc @ 10 v | ± 20V | 9620 pf @ 50 v | - | 370W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | ISP06P005LXTSA1 | - | ![]() | 9576 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ISP06P | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001728014 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSZ060NE2LSATMA1 | 0.8300 | ![]() | 60 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSZ060 | MOSFET (금속 (() | PG-TSDSON-8-FL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 25 v | 12A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 6MOHM @ 20A, 10V | 2V @ 250µA | 9.1 NC @ 10 v | ± 20V | 670 pf @ 12 v | - | 2.1W (TA), 26W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRFL024NPBF | - | ![]() | 8085 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,760 | n 채널 | 55 v | 2.8A (TA) | 10V | 75mohm @ 2.8a, 10V | 4V @ 250µA | 18.3 NC @ 10 v | ± 20V | 400 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | irg4bc40upbf-inf | 1.8600 | ![]() | 684 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7799L2TR1PBF | - | ![]() | 5002 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 250 v | 375A (TC) | 10V | 38mohm @ 21a, 10V | 5V @ 250µA | 165 NC @ 10 v | ± 30V | 6714 pf @ 25 v | - | 4.3W (TA), 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB085N06L g | - | ![]() | 5908 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB085N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 80A (TC) | 8.2MOHM @ 80A, 10V | 2V @ 125µA | 104 NC @ 10 v | 3500 pf @ 30 v | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7807VD1PBF | - | ![]() | 7616 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Fetky ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001551528 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 30 v | 8.3A (TA) | 4.5V | 25mohm @ 7a, 4.5v | 3V @ 250µA | 14 nc @ 4.5 v | ± 20V | Schottky 분리 (다이오드) | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | irfr3711trr | - | ![]() | 5505 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 44 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2980 pf @ 10 v | - | 2.5W (TA), 120W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BSM200GA170DN2SE325HOSA1 | - | ![]() | 4698 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | BSM200 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO604NS2XUMA1 | - | ![]() | 3014 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | BSO604NS2 | MOSFET (금속 (() | 2W | PG-DSO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 55V | 5a | 35mohm @ 2.5a, 10V | 2V @ 30µA | 26NC @ 10V | 870pf @ 25v | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3714ZPBF | - | ![]() | 2681 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 20 v | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 15a, 10V | 2.55V @ 250µA | 7.2 NC @ 4.5 v | ± 20V | 550 pf @ 10 v | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFH5250TR2PBF | - | ![]() | 6388 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 25 v | 45A (TA), 100A (TC) | 1.15mohm @ 50a, 10V | 2.35V @ 150µA | 110 NC @ 10 v | 7174 pf @ 13 v | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irlml6402tr | - | ![]() | 6960 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | Micro3 ™/SOT-23 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3.7A (TA) | 65mohm @ 3.7a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 12 nc @ 5 v | 633 pf @ 10 v | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | auirfs3306trl | - | ![]() | 9709 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AUIRFS3306 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 120A (TC) | 10V | 4.2MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 125 nc @ 10 v | ± 20V | 4520 pf @ 50 v | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | irlr014ntrr | - | ![]() | 6985 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 55 v | 10A (TC) | 4.5V, 10V | 140mohm @ 6a, 10V | 1V @ 250µA | 7.9 NC @ 5 v | ± 16V | 265 pf @ 25 v | - | 28W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | irfr540ztrlpbf | 1.1800 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR540 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 35A (TC) | 10V | 28.5mohm @ 21a, 10V | 4V @ 50µA | 59 NC @ 10 v | ± 20V | 1690 pf @ 25 v | - | 91W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | irg4psc71upbf | - | ![]() | 3003 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 가방 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-274AA | IRG4PSC71 | 기준 | 350 w | Super-247 ™ (TO-274AA) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 480V, 60A, 5ohm, 15V | - | 600 v | 85 a | 200a | 2V @ 15V, 60A | 420µJ (on), 1.99mj (OFF) | 340 NC | 34ns/56ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7425TR | - | ![]() | 8898 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 20 v | 15A (TA) | 2.5V, 4.5V | 8.2mohm @ 15a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 130 NC @ 4.5 v | ± 12V | 7980 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | SPW17N80C3A | - | ![]() | 5862 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SPW17N | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | n 채널 | 800 v | 17A (TC) | 10V | 290mohm @ 11a, 10V | 3.9V @ 1mA | 177 NC @ 10 v | ± 20V | 2320 pf @ 25 v | - | 227W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FF650R17IE4VBOSA1 | 697.0933 | ![]() | 6935 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Primepack ™ 2 | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FF650R17 | 4150 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3 | 2 독립 | - | 1700 v | 2.45V @ 15V, 650A | 5 MA | 예 | 54 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ2400R17HP4B28BOSA2 | 1.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | IHM-B | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FZ2400 | 15500 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 단일 단일 | 트렌치 트렌치 정지 | 1700 v | 4800 a | 2.25V @ 15V, 2400A | 5 MA | 아니요 | 195 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | auirgsl30b60k | - | ![]() | 5959 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | auirgsl30 | 기준 | 370 W. | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 30A, 10ohm, 15V | NPT | 600 v | 78 a | 120 a | 2.35V @ 15V, 30A | 350µJ (on), 825µJ (OFF) | 102 NC | 46ns/185ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRFZ34NPBF | 1.1500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFZ34 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 29A (TC) | 10V | 40mohm @ 16a, 10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 25 v | - | 68W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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