SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
IGW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies IGW50N65H5FKSA1 5.2200
RFQ
ECAD 3818 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IGW50N65 기준 305 w PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 25A, 12ohm, 15V - 650 v 80 a 150 a 2.1V @ 15V, 50A 520µJ (on), 180µJ (OFF) 120 NC 21ns/180ns
IRFU5305PBF Infineon Technologies IRFU5305PBF 1.3300
RFQ
ECAD 20 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU5305 MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 55 v 31A (TC) 10V 65mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 110W (TC)
AUIRFR48ZTRL Infineon Technologies auirfr48ztrl 1.4064
RFQ
ECAD 7564 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 auirfr48 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001520288 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 42A (TC) 10V 11mohm @ 37a, 10V 4V @ 50µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1720 pf @ 25 v - 91W (TC)
SIPC10N80C3X1SA1 Infineon Technologies SIPC10N80C3X1SA1 -
RFQ
ECAD 8466 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 SIPC10 - Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 SP000927916 0000.00.0000 1 -
AUIRFS3004-7P Infineon Technologies AUIRFS3004-7p -
RFQ
ECAD 5111 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() PG-to263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 240A (TC) 10V 1.25mohm @ 195a, 10V 4V @ 250µA 240 NC @ 10 v ± 20V 9130 pf @ 25 v - 380W (TC)
BCW 66KG E6433 Infineon Technologies BCW 66kg E6433 -
RFQ
ECAD 3156 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW 66 500MW PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 800 MA 20NA (ICBO) NPN 450MV @ 50MA, 500MA 160 @ 100MA, 1V 170MHz
AUIRFP4110 Infineon Technologies AUIRFP4110 7.2200
RFQ
ECAD 4055 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 AUIRFP4110 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001517386 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 100 v 120A (TC) 10V 4.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 210 nc @ 10 v ± 20V 9620 pf @ 50 v - 370W (TC)
ISP06P005LXTSA1 Infineon Technologies ISP06P005LXTSA1 -
RFQ
ECAD 9576 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ISP06P - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001728014 쓸모없는 0000.00.0000 1,000
BSZ060NE2LSATMA1 Infineon Technologies BSZ060NE2LSATMA1 0.8300
RFQ
ECAD 60 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ060 MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8-FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 25 v 12A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 20A, 10V 2V @ 250µA 9.1 NC @ 10 v ± 20V 670 pf @ 12 v - 2.1W (TA), 26W (TC)
IRFL024NPBF Infineon Technologies IRFL024NPBF -
RFQ
ECAD 8085 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,760 n 채널 55 v 2.8A (TA) 10V 75mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 18.3 NC @ 10 v ± 20V 400 pf @ 25 v - 1W (TA)
IRG4BC40UPBF-INF Infineon Technologies irg4bc40upbf-inf 1.8600
RFQ
ECAD 684 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1
IRF7799L2TR1PBF Infineon Technologies IRF7799L2TR1PBF -
RFQ
ECAD 5002 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 250 v 375A (TC) 10V 38mohm @ 21a, 10V 5V @ 250µA 165 NC @ 10 v ± 30V 6714 pf @ 25 v - 4.3W (TA), 125W (TC)
IPB085N06L G Infineon Technologies IPB085N06L g -
RFQ
ECAD 5908 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB085N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 80A (TC) 8.2MOHM @ 80A, 10V 2V @ 125µA 104 NC @ 10 v 3500 pf @ 30 v -
IRF7807VD1PBF Infineon Technologies IRF7807VD1PBF -
RFQ
ECAD 7616 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001551528 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 8.3A (TA) 4.5V 25mohm @ 7a, 4.5v 3V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V Schottky 분리 (다이오드) 2.5W (TA)
IRFR3711TRR Infineon Technologies irfr3711trr -
RFQ
ECAD 5505 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 100A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ± 20V 2980 pf @ 10 v - 2.5W (TA), 120W (TC)
BSM200GA170DN2SE325HOSA1 Infineon Technologies BSM200GA170DN2SE325HOSA1 -
RFQ
ECAD 4698 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 BSM200 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1
BSO604NS2XUMA1 Infineon Technologies BSO604NS2XUMA1 -
RFQ
ECAD 3014 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) BSO604NS2 MOSFET (금속 (() 2W PG-DSO-8 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 55V 5a 35mohm @ 2.5a, 10V 2V @ 30µA 26NC @ 10V 870pf @ 25v 논리 논리 게이트
IRL3714ZPBF Infineon Technologies IRL3714ZPBF -
RFQ
ECAD 2681 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 36A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 15a, 10V 2.55V @ 250µA 7.2 NC @ 4.5 v ± 20V 550 pf @ 10 v - 35W (TC)
IRFH5250TR2PBF Infineon Technologies IRFH5250TR2PBF -
RFQ
ECAD 6388 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 25 v 45A (TA), 100A (TC) 1.15mohm @ 50a, 10V 2.35V @ 150µA 110 NC @ 10 v 7174 pf @ 13 v -
IRLML6402TR Infineon Technologies irlml6402tr -
RFQ
ECAD 6960 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() Micro3 ™/SOT-23 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.7A (TA) 65mohm @ 3.7a, 4.5v 1.2V @ 250µA 12 nc @ 5 v 633 pf @ 10 v -
AUIRFS3306TRL Infineon Technologies auirfs3306trl -
RFQ
ECAD 9709 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB AUIRFS3306 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 4.2MOHM @ 75A, 10V 4V @ 150µA 125 nc @ 10 v ± 20V 4520 pf @ 50 v - 230W (TC)
IRLR014NTRR Infineon Technologies irlr014ntrr -
RFQ
ECAD 6985 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 10A (TC) 4.5V, 10V 140mohm @ 6a, 10V 1V @ 250µA 7.9 NC @ 5 v ± 16V 265 pf @ 25 v - 28W (TC)
IRFR540ZTRLPBF Infineon Technologies irfr540ztrlpbf 1.1800
RFQ
ECAD 32 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR540 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 35A (TC) 10V 28.5mohm @ 21a, 10V 4V @ 50µA 59 NC @ 10 v ± 20V 1690 pf @ 25 v - 91W (TC)
IRG4PSC71UPBF Infineon Technologies irg4psc71upbf -
RFQ
ECAD 3003 0.00000000 인피온 인피온 - 가방 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-274AA IRG4PSC71 기준 350 w Super-247 ™ (TO-274AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 480V, 60A, 5ohm, 15V - 600 v 85 a 200a 2V @ 15V, 60A 420µJ (on), 1.99mj (OFF) 340 NC 34ns/56ns
IRF7425TR Infineon Technologies IRF7425TR -
RFQ
ECAD 8898 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 20 v 15A (TA) 2.5V, 4.5V 8.2mohm @ 15a, 4.5v 1.2V @ 250µA 130 NC @ 4.5 v ± 12V 7980 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
SPW17N80C3A Infineon Technologies SPW17N80C3A -
RFQ
ECAD 5862 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SPW17N MOSFET (금속 (() PG-to247-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 800 v 17A (TC) 10V 290mohm @ 11a, 10V 3.9V @ 1mA 177 NC @ 10 v ± 20V 2320 pf @ 25 v - 227W (TC)
FF650R17IE4VBOSA1 Infineon Technologies FF650R17IE4VBOSA1 697.0933
RFQ
ECAD 6935 0.00000000 인피온 인피온 Primepack ™ 2 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF650R17 4150 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3 2 독립 - 1700 v 2.45V @ 15V, 650A 5 MA 54 NF @ 25 v
FZ2400R17HP4B28BOSA2 Infineon Technologies FZ2400R17HP4B28BOSA2 1.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 IHM-B 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FZ2400 15500 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 단일 단일 트렌치 트렌치 정지 1700 v 4800 a 2.25V @ 15V, 2400A 5 MA 아니요 195 NF @ 25 v
AUIRGSL30B60K Infineon Technologies auirgsl30b60k -
RFQ
ECAD 5959 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA auirgsl30 기준 370 W. TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 30A, 10ohm, 15V NPT 600 v 78 a 120 a 2.35V @ 15V, 30A 350µJ (on), 825µJ (OFF) 102 NC 46ns/185ns
IRFZ34NPBF Infineon Technologies IRFZ34NPBF 1.1500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ34 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 29A (TC) 10V 40mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 68W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고