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트랜지스터 (13833)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7204 | - |  | 1220 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF7204 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | p 채널 | 20 v | 5.3A (TA) | 4.5V, 10V | 60mohm @ 5.3a, 10V | 2.5V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 12V | 860 pf @ 10 v | - | 2.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IRFU13N15D | - | | 3954 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *irfu13n15d | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 150 v | 14A (TC) | 10V | 180mohm @ 8.3a, 10V | 5.5V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 30V | 620 pf @ 25 v | - | 86W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | BCP5316E6433HTMA1 | - | | 1351 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BCP53 | 2 w | PG-SOT223-4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 2v | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | irg4ph50spbf | - | | 8679 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | irg4ph50 | 기준 | 200 w | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | 960V, 33A, 5ohm, 15V | - | 1200 v | 57 a | 114 a | 1.7V @ 15V, 33A | 1.8mj (on), 19.6mj (OFF) | 167 NC | 32ns/845ns | |||||||||||||||||||||||||
 | IAUZ40N06S5N050ATMA1 | 1.2500 | | 8 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ -5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | IAUZ40 | MOSFET (금속 (() | PG-TSDSON-8-33 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 40A (TJ) | 5MOHM @ 20A, 10V | 3.4V @ 29µA | 30.5 nc @ 10 v | ± 20V | 2200 pf @ 30 v | - | 71W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | IRFC4368D | - | | 9120 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001577952 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP80N04S2H4AKSA1 | - | | 1646 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP80N | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 40 v | 80A (TC) | 10V | 4mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 148 NC @ 10 v | ± 20V | 4400 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | IRGS8B60KPBF | - | | 1927 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRGS8B | 기준 | 167 w | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 8A, 50ohm, 15V | NPT | 600 v | 28 a | 34 a | 2.2V @ 15V, 8A | 160µJ (on), 160µJ (OFF) | 29 NC | 23ns/140ns | ||||||||||||||||||||||||||
 | BCX5616E6327HTSA1 | - | | 7110 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | BCX56 | 2 w | PG-SOT89 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 2v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4BC30K-S | - | | 8091 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 100 W. | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRG4BC30K-S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V, 16A, 23OHM, 15V | - | 600 v | 28 a | 58 a | 2.7V @ 15V, 16A | 360µJ (on), 510µJ (OFF) | 67 NC | 26ns/130ns | |||||||||||||||||||||||||
| FS35R12YT3BOMA1 | 35.7800 | | 240 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 225 w | 기준 | - | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 3 단계 인버터 | - | 1200 v | 40 a | 2.15V @ 15V, 35A | 5 MA | 예 | 2.5 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||
 | IPZ60R099C7XKSA1 | 7.7400 | | 9457 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ C7 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | IPZ60R099 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | n 채널 | 600 v | 22A (TC) | 10V | 99mohm @ 9.7a, 10V | 4V @ 490µA | 42 NC @ 10 v | ± 20V | 1819 pf @ 400 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | SPI80N06S2L-05 | - | | 8832 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | SPI80N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 55 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 80a, 10V | 2V @ 250µA | 230 nc @ 10 v | ± 20V | 7530 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IRLR3802PBF | - | | 4258 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 12 v | 84A (TC) | 2.8V, 4.5V | 8.5mohm @ 15a, 4.5v | 1.9V @ 250µA | 41 NC @ 5 v | ± 12V | 2490 pf @ 6 v | - | 88W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | F475R12KS4B11BOSA1 | - | | 8538 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EconoPack ™ 2 | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | F475R12 | 500 W. | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 3 단계 인버터 | - | 1200 v | 100 a | 3.75V @ 15V, 75A | 1 MA | 예 | 5.1 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||
| IPI50R140CPXKSA1 | - | | 2160 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | ipi50r | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 500 v | 23A (TC) | 10V | 140mohm @ 14a, 10V | 3.5V @ 930µA | 64 NC @ 10 v | ± 20V | 2540 pf @ 100 v | - | 192W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| IRFZ48NSTRR | - | | 6299 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | = 94-4223 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 64A (TC) | 10V | 14mohm @ 32a, 10V | 4V @ 250µA | 81 NC @ 10 v | ± 20V | 1970 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 130W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | BC860BWE6327HTSA1 | - | | 1388 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC860 | 250 MW | PG-SOT323 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 220 @ 2MA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| IPP030N10N5AKSA1 | 5.4500 | | 8882 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP030 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 120A (TC) | 6V, 10V | 3MOHM @ 100A, 10V | 3.8V @ 184µA | 139 NC @ 10 v | ± 20V | 10300 pf @ 50 v | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| FZ1500R33HL3B60BPSA1 | 2.0000 | | 2626 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | IHM-B | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FZ1500 | 2400000 w | 기준 | AG-IHVB190 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 단일 단일 | 트렌치 트렌치 정지 | 3300 v | 1500 a | 2.85V @ 15V, 1.5KA | 5 MA | 아니요 | 280 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||
| BCV49H6327XTSA1 | 0.2875 | | 5937 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | BCV49 | 1 W. | PG-SOT89 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | npn-달링턴 | 1V @ 100µa, 100ma | 10000 @ 100MA, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| BCP51H6327XTSA1 | - | | 3305 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BCP51 | 2 w | PG-SOT223-4-10 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 45 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50ma, 500ma | 40 @ 150ma, 2v | 125MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRFS4127TRLPBF | 3.5900 | | 27 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS4127 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 72A (TC) | 10V | 22mohm @ 44a, 10V | 5V @ 250µA | 150 nc @ 10 v | ± 20V | 5380 pf @ 50 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| IKZA100N65EH7XKSA1 | 10.8000 | | 240 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUZ32HXKSA1 | 0.5900 | | 7 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | 9.5A (TC) | 10V | 400mohm @ 6a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 530 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| IRF7322D1 | - | | 9549 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Fetky ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF7322D1 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | p 채널 | 20 v | 5.3A (TA) | 2.7V, 4.5V | 62mohm @ 2.9a, 4.5v | 700mv @ 250µa (최소) | 29 NC @ 4.5 v | ± 12V | 780 pf @ 15 v | Schottky 분리 (다이오드) | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | IRF5805 | - | | 7520 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | Micro6 ™ (TSOP-6) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | p 채널 | 30 v | 3.8A (TA) | 4.5V, 10V | 98mohm @ 3.8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 511 pf @ 25 v | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPLK80R2K0P7ATMA1 | 1.3000 | | 8657 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | 8-powertdfn | IPLK80 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | - | 800 v | - | - | - | - | ± 20V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPA60R520E6XKSA1 | - | | 3796 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA60R | MOSFET (금속 (() | PG-to220-FP | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 8.1A (TC) | 10V | 520mohm @ 2.8a, 10V | 3.5V @ 230µA | 23.4 NC @ 10 v | ± 20V | 512 pf @ 100 v | - | 29W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | BCR148WH6327 | - | | 5417 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BCR148 | 250 MW | PG-SOT323-3-1 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 70 @ 5MA, 5V | 100MHz | 47 Kohms | 47 Kohms |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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