SIC
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트랜지스터 (13833)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
F475R12KS4B11BPSA1 Infineon Technologies F475R12KS4B11BPSA1 196.1053
RFQ
 ECAD 3334 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 F475R12 500 W. 기준 Ag-ECONO2C 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 전체 전체 인버터 - 1200 v 100 a 3.75V @ 15V, 75A 1 MA 예 5.1 NF @ 25 v
64-2084PBF Infineon Technologies 64-2084pbf 1.0000
RFQ
 ECAD 1313 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
2ED300C17SROHSBPSA1 Infineon Technologies 2ED300C17SROHSBPSA1 163.0500
RFQ
 ECAD 9369 0.00000000 인피온 인피온 EICEDRIVER ™ 쟁반 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 기준 기준 2ed300 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8543.70.9860 12 반 반 - 1700 v - 아니요
IRLZ34NPBF Infineon Technologies IRLZ34NPBF 1.7800
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRLZ34 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 30A (TC) 4V, 10V 35mohm @ 16a, 10V 2V @ 250µA 25 nc @ 5 v ± 16V 880 pf @ 25 v - 68W (TC)
BSZ100N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSZ100N03LSGATMA1 0.8500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ100 MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 12A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 10MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 15 v - 2.1W (TA), 30W (TC)
FF150R12KT3GHOSA1 Infineon Technologies FF150R12KT3GHOSA1 145.0400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 기음 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF150R12K 780 W. 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 단일 단일 트렌치 트렌치 정지 1200 v 225 a 2.15V @ 15V, 150A 5 MA 아니요 11 nf @ 25 v
BUZ103SL-E3045A Infineon Technologies BUZ103SL-E3045A -
RFQ
 ECAD 6984 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 28A (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 20a, 10V 2V @ 50µA 50 nc @ 10 v -20V 960 pf @ 25 v - 75W (TC)
BFP405H6327XTSA1 Infineon Technologies BFP405H6327XTSA1 0.4600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 BFP405 75MW PG-SOT343-3D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 23db 5V 25MA NPN 60 @ 5MA, 4V 25GHz 1.25dB @ 1.8GHz
IRFU12N25DPBF Infineon Technologies IRFU12N25DPBF -
RFQ
 ECAD 5461 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 260mohm @ 8.4a, 10V 5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 30V 810 pf @ 25 v - 144W (TC)
IRF3709STRRPBF Infineon Technologies IRF3709STRRPBF -
RFQ
 ECAD 4962 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 90A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 41 NC @ 5 v ± 20V 2672 pf @ 16 v - 3.1W (TA), 120W (TC)
BSC119N03MSCG Infineon Technologies BSC119N03MSCG 0.2500
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 11A (TA), 39A (TC) 4.5V, 10V 11.9MOHM @ 30A, 10V 2V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 28W (TC)
SPB80N03S2L-06 Infineon Technologies SPB80N03S2L-06 -
RFQ
 ECAD 3337 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 5.9mohm @ 80a, 10V 2V @ 80µa 68 NC @ 10 v ± 20V 2530 pf @ 25 v - 150W (TC)
AUIRFL024N Infineon Technologies auirfl024n -
RFQ
 ECAD 8872 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001515986 귀 99 8541.29.0095 80 n 채널 55 v 2.8A (TA) 10V 75mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 18.3 NC @ 10 v ± 20V 400 pf @ 25 v - 1W (TA)
IRF9952QTRPBF Infineon Technologies IRF9952QTRPBF -
RFQ
 ECAD 8491 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF995 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 및 p 채널 30V 3.5a, 2.3a 100mohm @ 2.2a, 10V 1V @ 250µA 14NC @ 10V 190pf @ 15V 논리 논리 게이트
IPB79CN10N G Infineon Technologies IPB79CN10N g -
RFQ
 ECAD 4272 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB79C MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 13A (TC) 10V 79mohm @ 13a, 10V 4V @ 12µA 11 NC @ 10 v ± 20V 716 pf @ 50 v - 31W (TC)
BCR166B6327HTLA1 Infineon Technologies BCR166B6327HTLA1 -
RFQ
 ECAD 3969 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR166 200 MW PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 30,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 160MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
PTFA191001EV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA19100101EV4XWSA1 -
RFQ
 ECAD 6731 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드 PTFA191001 1.96GHz LDMOS H-36248-2 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 10µA 900 MA 44dbm 17dB - 30 v
ICA22V13X1SA1 Infineon Technologies ICA22V13X1SA1 -
RFQ
 ECAD 8407 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001174082 쓸모없는 0000.00.0000 1
FP35R12KT4BOSA1 Infineon Technologies FP35R12KT4BOSA1 -
RFQ
 ECAD 4424 0.00000000 인피온 인피온 Econopim ™ 2 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FP35R12 210 W. 기준 기준 기준 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 35 a 2.25V @ 15V, 35A 1 MA 예 2 NF @ 25 v
BCR185E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR185E6327HTSA1 0.0517
RFQ
 ECAD 6641 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR185 200 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 200MHz 10 KOHMS 47 Kohms
IPD50N06S2L13ATMA1 Infineon Technologies IPD50N06S2L13ATMA1 -
RFQ
 ECAD 8209 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD50 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 50A (TC) 4.5V, 10V 12.7mohm @ 34a, 10V 2V @ 80µa 69 NC @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 25 v - 136W (TC)
BSC059N03ST Infineon Technologies BSC059N03ST -
RFQ
 ECAD 5090 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000014717 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 19A (TA), 89A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 50a, 10V 2V @ 35µA 21 NC @ 5 v ± 20V 2670 pf @ 15 v - -
IRF3709S Infineon Technologies IRF3709S -
RFQ
 ECAD 3183 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF3709S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 90A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 41 NC @ 5 v ± 20V 2672 pf @ 16 v - 3.1W (TA), 120W (TC)
IRGB4086PBF Infineon Technologies IRGB4086PBF -
RFQ
 ECAD 4547 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 160 W. TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001546074 귀 99 8541.29.0095 50 196V, 25A, 10ohm 도랑 300 v 70 a 2.96V @ 15V, 120A - 65 NC 36ns/112ns
FS200R12A1T4H5BOMA1 Infineon Technologies FS200R12A1T4H5BOMA1 -
RFQ
 ECAD 7718 0.00000000 인피온 인피온 * 쟁반 쓸모없는 FS200R12 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001129690 쓸모없는 0000.00.0000 16
IRLR3105TRLPBF Infineon Technologies irlr3105trlpbf -
RFQ
 ECAD 4954 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001552778 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 25A (TC) 5V, 10V 37mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 5 v ± 16V 710 pf @ 25 v - 57W (TC)
BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC340N08NS3GATMA1 0.9200
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC340 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 80 v 7A (TA), 23A (TC) 6V, 10V 34mohm @ 12a, 10V 3.5V @ 12µA 9.1 NC @ 10 v ± 20V 756 pf @ 40 v - 2.5W (TA), 32W (TC)
BSZ021N04LS6ATMA1 Infineon Technologies BSZ021N04LS6ATMA1 1.9500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ021 MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8-FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 25A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 2.1MOHM @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 20 v - 2.5W (TA), 83W (TC)
IRF7842TRPBF Infineon Technologies IRF7842TRPBF 1.8000
RFQ
 ECAD 4122 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7842 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 40 v 18A (TA) 4.5V, 10V 5mohm @ 17a, 10V 2.25V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 4500 pf @ 20 v - 2.5W (TA)
IRLR3705ZPBF Infineon Technologies IRLR3705ZPBF -
RFQ
 ECAD 7783 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 55 v 42A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 42a, 10V 3V @ 250µA 66 NC @ 5 v ± 16V 2900 pf @ 25 v - 130W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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