SIC
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트랜지스터 (13833)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
IRF8301MTRPBF Infineon Technologies IRF8301MTRPBF 2.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Mt IRF8301 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Mt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 30 v 34A (TA), 192a (TC) 4.5V, 10V 1.5mohm @ 32a, 10V 2.35V @ 150µA 77 NC @ 4.5 v ± 20V 6140 pf @ 15 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
IPI47N10S33AKSA1 Infineon Technologies IPI47N10S33AKSA1 1.4573
RFQ
 ECAD 3731 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI47N10 MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 47A (TC) 10V 33mohm @ 33a, 10V 4V @ 2MA 105 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 25 v - 175W (TC)
AUIRFP4004 Infineon Technologies AUIRFP4004 -
RFQ
 ECAD 6024 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001519614 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 40 v 195a (TC) 10V 1.7mohm @ 195a, 10V 4V @ 250µA 330 nc @ 10 v ± 20V 8920 pf @ 25 v - 380W (TC)
AUIRFSL8405 Infineon Technologies auirfsl8405 -
RFQ
 ECAD 4904 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 2.3mohm @ 100a, 10V 3.9V @ 100µA 161 NC @ 10 v ± 20V 5193 pf @ 25 v - 163W (TC)
IRF3710PBF Infineon Technologies IRF3710pbf 1.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF3710 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 57A (TC) 10V 23mohm @ 28a, 10V 4V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 3130 pf @ 25 v - 200W (TC)
IRFR3410TRLPBF Infineon Technologies irfr3410trlpbf 1.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR3410 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 31A (TC) 10V 39mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 20V 1690 pf @ 25 v - 3W (TA), 110W (TC)
IPW60R170CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPW60R170CFD7XKSA1 4.9200
RFQ
 ECAD 9794 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW60R170 MOSFET (금속 (() PG-to247-3-21 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 14A (TC) 10V 170mohm @ 6a, 10V 4.5V @ 300µA 28 nc @ 10 v ± 20V 1199 pf @ 400 v - 75W (TC)
IPP80N06S2LH5AKSA1 Infineon Technologies IPP80N06S2LH5AKSA1 -
RFQ
 ECAD 1868 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 80A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 80A, 10V 2V @ 250µA 190 NC @ 10 v ± 20V 5000 pf @ 25 v - 300W (TC)
BCP5416H6433XTMA1 Infineon Technologies BCP5416H6433XTMA1 0.2968
RFQ
 ECAD 9925 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP54 2 w PG-SOT223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 45 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 100MHz
IRF7811ATRPBF Infineon Technologies IRF7811ATRPBF -
RFQ
 ECAD 2925 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 28 v 11A (TA) 4.5V 10mohm @ 11a, 10v 3V @ 250µA 26 NC @ 4.5 v ± 12V 1760 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IRG7PG42UD-EPBF Infineon Technologies irg7pg42ud-epbf -
RFQ
 ECAD 4892 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 irg7pg 기준 320 w TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001533740 귀 99 8541.29.0095 25 600V, 30A, 10ohm, 15V 153 ns 도랑 1000 v 85 a 90 a 2V @ 15V, 30A 2.11mj (on), 1.18mj (OFF) 157 NC 25ns/229ns
PTFB192557SHV1R250XTMA1 Infineon Technologies PTFB192557SHV1R250XTMA1 -
RFQ
 ECAD 7064 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 H-34288G-4/2 1.99GHz LDMOS H-34288G-4/2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001028954 쓸모없는 0000.00.0000 1 - 1.35 a 60W 19db - 28 v
FF450R06ME3BOSA1 Infineon Technologies FF450R06ME3BOSA1 214.7420
RFQ
 ECAD 5422 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF450R06 1250 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 트렌치 트렌치 정지 600 v 550 a 1.9V @ 15V, 450A 5 MA 예 28 nf @ 25 v
IHW25N140R5LXKSA1 Infineon Technologies IHW25N140R5LXKSA1 3.1300
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30
FP35R12W2T4B11BOMA1 Infineon Technologies FP35R12W2T4B11BOMA1 62.3000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FP35R12 215 W. 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 54 a 2.25V @ 15V, 35A 1 MA 예 2 NF @ 25 v
IRFC4227EB Infineon Technologies IRFC4227EB -
RFQ
 ECAD 4517 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001572536 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
IPI65R600C6XKSA1 Infineon Technologies IPI65R600C6XKSA1 -
RFQ
 ECAD 5282 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI65R MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 2.1a, 10V 3.5V @ 210µA 23 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 100 v - 63W (TC)
IRFR3303TR Infineon Technologies irfr3303tr -
RFQ
 ECAD 1854 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001572808 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 33A (TC) 10V 31mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 750 pf @ 25 v - 57W (TC)
BCW60B Infineon Technologies BCW60B 0.0400
RFQ
 ECAD 4286 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 다운로드 적용 적용 수 할 귀 99 8541.21.0075 7,000 32 v 100 MA 20NA NPN 550MV @ 1.25ma, 50ma 180 @ 2MA, 5V 125MHz
IPA60R170CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPA60R170CFD7XKSA1 3.6600
RFQ
 ECAD 6517 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA60R MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 8A (TC) 10V 170mohm @ 6a, 10V 4.5V @ 300µA 28 nc @ 10 v ± 20V 1199 pf @ 400 v - 26W (TC)
SPD35N10 Infineon Technologies SPD35N10 -
RFQ
 ECAD 1452 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SPD35N MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 35A (TC) 10V 44mohm @ 26.4a, 10V - 65 nc @ 10 v ± 20V 1570 pf @ 25 v - 150W (TC)
IPA50R520CP Infineon Technologies IPA50R520CP -
RFQ
 ECAD 5792 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-31 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 7.1A (TC) 10V 520mohm @ 3.8a, 10V 3.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 680 pf @ 100 v - 66W (TC)
ISC119N20NM6ATMA1 Infineon Technologies ISC119N20NM6ATMA1 2.7185
RFQ
 ECAD 8433 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 5,000
BSM50GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies BSM50GD120DN2BOSA1 -
RFQ
 ECAD 8954 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 BSM50G 350 w 기준 기준 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 전체 전체 - 1200 v 72 a 3V @ 15V, 50A 1 MA 아니요 3.3 NF @ 25 v
BCR555E6433HTMA1 Infineon Technologies BCR555E6433HTMA1 0.0838
RFQ
 ECAD 7802 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR555 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 500 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V 150MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
IRFZ34NL Infineon Technologies IRFZ34NL -
RFQ
 ECAD 7824 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFZ34NL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 29A (TC) 10V 40mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 68W (TC)
IRF1010EZ Infineon Technologies IRF1010EZ -
RFQ
 ECAD 8996 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF1010EZ 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 75A (TC) 10V 8.5mohm @ 51a, 10V 4V @ 100µa 86 NC @ 10 v ± 20V 2810 pf @ 25 v - 140W (TC)
IRF7706 Infineon Technologies IRF7706 -
RFQ
 ECAD 4160 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 p 채널 30 v 7A (TA) 4.5V, 10V 22mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 2211 pf @ 25 v - 1.51W (TA)
IRF3205ZSTRRPBF Infineon Technologies IRF3205ZSTRRPBF -
RFQ
 ECAD 6193 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001561540 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 6.5mohm @ 66a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 3450 pf @ 25 v - 170W (TC)
PTFB211803ELV1R0XTMA1 Infineon Technologies PTFB211803ELV1R0XTMA1 -
RFQ
 ECAD 1373 0.00000000 인피온 인피온 - 조각 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 H-33288-6 2.17GHz LDMOS H-33288-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001413940 귀 99 8542.33.0001 50 - 1.3 a 40W 17.5dB - 30 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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