SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
SPI80N04S2-04 Infineon Technologies SPI80N04S2-04 -
RFQ
ECAD 6200 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA SPI80N MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 3.7mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 6980 pf @ 25 v - 300W (TC)
IPB240N03S4LR8ATMA1 Infineon Technologies IPB240N03S4LR8ATMA1 5.2600
RFQ
ECAD 7931 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IPB240 MOSFET (금속 (() PG-to263-7-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 240A (TC) 4.5V, 10V 0.76MOHM @ 100A, 10V 2.2V @ 230µA 380 nc @ 10 v ± 16V 26000 pf @ 25 v - 300W (TC)
BCW66KE6359HTMA1 Infineon Technologies BCW66KE6359HTMA1 -
RFQ
ECAD 5132 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 500MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000271901 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 800 MA 20NA (ICBO) NPN 450MV @ 50MA, 500MA 40 @ 500ma, 1V 170MHz
IRG4BC30KD-STRR Infineon Technologies irg4bc30kd-strr -
RFQ
ECAD 9220 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 100 W. D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 480V, 16A, 23OHM, 15V 42 ns - 600 v 28 a 58 a 2.7V @ 15V, 16A 600µJ (on), 580µJ (OFF) 67 NC 60ns/160ns
IKD10N60R Infineon Technologies IKD10N60R -
RFQ
ECAD 5339 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IKD10N 기준 150 W. PG-to252-3-11 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400V, 10A, 23ohm, 15V 62 ns 도랑 600 v 20 a 30 a 2.1V @ 15V, 10A 590µJ 64 NC 14ns/192ns
IRGR4045DTRPBF Infineon Technologies irgr4045dtrpbf -
RFQ
ECAD 7728 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRGR4045 기준 77 w D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 400V, 6A, 47ohm, 15V 74 ns 도랑 600 v 12 a 18 a 2V @ 15V, 6A 56µJ (on), 122µJ (OFF) 19.5 NC 27ns/75ns
BCX42E6327 Infineon Technologies BCX42E6327 1.0000
RFQ
ECAD 5927 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 125 v 800 MA 10µA 900mv @ 30ma, 300ma 63 @ 100MA, 1V 150MHz
IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon Technologies IAUC120N04S6L005ATMA1 4.0600
RFQ
ECAD 9844 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IAUC120 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-53 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 120A (TJ) 4.5V, 10V 0.55mohm @ 60a, 10V 2V @ 130µA 177 NC @ 10 v ± 16V 11203 pf @ 25 v - 187W (TC)
IRFS4410ZPBF Infineon Technologies IRFS4410ZPBF -
RFQ
ECAD 5724 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001576190 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 97A (TC) 10V 9mohm @ 58a, 10V 4V @ 150µA 120 nc @ 10 v ± 20V 4820 pf @ 50 v - 230W (TC)
BCR 101L3 E6327 Infineon Technologies BCR 101L3 E6327 -
RFQ
ECAD 9461 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-101, SOT-883 BCR 101 250 MW PG-TSLP-3-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 15,000 50 v 50 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 5MA, 5V 100MHz 100 KOHMS 100 KOHMS
FZ400R12KP4HOSA1 Infineon Technologies Fz400R12KP4HOSA1 151.9500
RFQ
ECAD 7094 0.00000000 인피온 인피온 기음 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FZ400R12 2400 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 트렌치 트렌치 정지 1200 v 400 a 2.05V @ 15V, 400A 5 MA 아니요 28 nf @ 25 v
IRF7805TRPBF Infineon Technologies IRF7805TRPBF -
RFQ
ECAD 7467 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 13A (TA) 4.5V 11mohm @ 7a, 4.5v 3V @ 250µA 31 NC @ 5 v ± 12V - 2.5W (TA)
FS20R06XE3BOMA1 Infineon Technologies FS20R06XE3BOMA1 -
RFQ
ECAD 2136 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™ 쟁반 쓸모없는 FS20R06 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 20
BSS87L6327HTSA1 Infineon Technologies BSS87L6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 9038 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA MOSFET (금속 (() PG-SOT89 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 240 v 260MA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 260ma, 10V 1.8V @ 108µA 5.5 nc @ 10 v ± 20V 97 pf @ 25 v - 1W (TA)
IRLS3034TRL7PP Infineon Technologies irls3034trl7pp 3.7000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB IRLS3034 MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 240A (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 200a, 10V 2.5V @ 250µA 180 NC @ 4.5 v ± 20V 10990 pf @ 40 v - 380W (TC)
IRFR18N15DPBF Infineon Technologies IRFR18N15DPBF -
RFQ
ECAD 3053 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 150 v 18A (TC) 10V 125mohm @ 11a, 10V 5.5V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 30V 900 pf @ 25 v - 110W (TC)
SIPC69SN60C3X2SA2 Infineon Technologies SIPC69SN60C3X2SA2 -
RFQ
ECAD 4158 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 - - - SIPC69 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP003503048 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
IRG4IBC30WPBF Infineon Technologies irg4ibc30wpbf -
RFQ
ECAD 1206 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 기준 45 W. TO-220AB Full-Pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 480v, 12a, 23ohm, 15v - 600 v 17 a 92 a 2.7V @ 15V, 12a 130µJ (on), 130µJ (OFF) 51 NC 25ns/99ns
IPB65R125C7ATMA2 Infineon Technologies IPB65R125C7ATMA2 2.9960
RFQ
ECAD 9399 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB65R125 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 18A (TC) 10V 125mohm @ 8.9a, 10V 4V @ 440µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1670 pf @ 400 v - 101W (TC)
IPB70N10S3L12ATMA1 Infineon Technologies IPB70N10S3L12ATMA1 2.9700
RFQ
ECAD 1896 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB70N10 MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 70A (TC) 4.5V, 10V 11.8mohm @ 70a, 10V 2.4V @ 83µA 80 nc @ 10 v ± 20V 5550 pf @ 25 v - 125W (TC)
ICA32V11X1SA1 Infineon Technologies ICA32V11X1SA1 -
RFQ
ECAD 3724 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001141254 쓸모없는 0000.00.0000 1
IKW30N60TAFKSA1 Infineon Technologies IKW30N60TAFKSA1 -
RFQ
ECAD 1567 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IKW30N60 기준 187 w PG-to247-3-21 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 400V, 30A, 10.6OHM, 15V 143 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 60 a 90 a 2.05V @ 15V, 30A 1.46mj 167 NC 23ns/254ns
BSB044N08NN3GXUMA1 Infineon Technologies BSB044N08NN3GXUMA1 3.8300
RFQ
ECAD 7551 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-Wdson BSB044 MOSFET (금속 (() Mg-Wdson-2, Canpak M ™ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 80 v 18A (TA), 90A (TC) 10V 4.4mohm @ 30a, 10V 3.5V @ 97µA 73 NC @ 10 v ± 20V 5700 pf @ 40 v - 2.2W (TA), 78W (TC)
IRF1324S-7PPBF Infineon Technologies IRF1324S-7PPBF -
RFQ
ECAD 9000 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 24 v 240A (TC) 10V 1MOHM @ 160A, 10V 4V @ 250µA 252 NC @ 10 v ± 20V 7700 pf @ 19 v - 300W (TC)
IRGS4630DTRRPBF Infineon Technologies IRGS4630DTRRPBF -
RFQ
ECAD 5052 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 206 w D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001534256 귀 99 8541.29.0095 800 400V, 18A, 22OHM, 15V 100 ns - 600 v 47 a 54 a 1.95V @ 15V, 18A 95µJ (on), 350µJ (OFF) 35 NC 40ns/105ns
IRF3704STRL Infineon Technologies IRF3704STRL -
RFQ
ECAD 4163 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 20 v 77A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 20V 1996 PF @ 10 v - 87W (TC)
IRG4BC20KD-STRR Infineon Technologies irg4bc20kd-strr -
RFQ
ECAD 5505 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 60 W. D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 480V, 9A, 50ohm, 15V 37 ns - 600 v 16 a 32 a 2.8V @ 15V, 9A 340µJ (ON), 300µJ (OFF) 34 NC 54ns/180ns
BCR133E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR133E6327HTSA1 0.3700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR133 200 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 130MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
IPB50N12S3L15ATMA1 Infineon Technologies IPB50N12S3L15ATMA1 -
RFQ
ECAD 7617 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB50N12 MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 120 v 50A (TC) 4.5V, 10V 15.7mohm @ 50a, 10V 2.4V @ 60µA 57 NC @ 10 v ± 20V 4180 pf @ 25 v - 100W (TC)
IRG4PC30SPBF Infineon Technologies irg4pc30spbf -
RFQ
ECAD 5766 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRG4PC30 기준 100 W. TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 480V, 18A, 23OHM, 15V - 600 v 34 a 68 a 1.6V @ 15V, 18A 260µJ (on), 3.45mj (OFF) 50 NC 22ns/540ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고