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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRFS4115-7P | - | ![]() | 5113 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | AUIRFS4115 | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001519772 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 150 v | 105A (TC) | 10V | 11.8mohm @ 63a, 10V | 5V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 5320 pf @ 50 v | - | 380W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irfr2407trpbf | 1.6600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR2407 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 75 v | 42A (TC) | 10V | 26mohm @ 25a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPB42N03S2L-13 g | - | ![]() | 7682 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB42N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 42A (TC) | 4.5V, 10V | 12.6MOHM @ 21A, 10V | 2V @ 37µA | 30.5 nc @ 10 v | ± 20V | 1130 pf @ 25 v | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFP4004 | - | ![]() | 6024 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001519614 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 10V | 1.7mohm @ 195a, 10V | 4V @ 250µA | 330 nc @ 10 v | ± 20V | 8920 pf @ 25 v | - | 380W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFB192557SHV1R250XTMA1 | - | ![]() | 7064 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 섀시 섀시 | H-34288G-4/2 | 1.99GHz | LDMOS | H-34288G-4/2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001028954 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | - | 1.35 a | 60W | 19db | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3205ZSTRRPBF | - | ![]() | 6193 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001561540 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 6.5mohm @ 66a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 3450 pf @ 25 v | - | 170W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGB15N120ATMA1 | 4.1344 | ![]() | 9747 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SGB15N | 기준 | 198 w | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 800V, 15A, 33OHM, 15V | NPT | 1200 v | 30 a | 52 a | 3.6V @ 15V, 15a | 1.9mj | 130 NC | 18ns/580ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF1010EZ | - | ![]() | 8996 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF1010EZ | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 75A (TC) | 10V | 8.5mohm @ 51a, 10V | 4V @ 100µa | 86 NC @ 10 v | ± 20V | 2810 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7406TRPBF | - | ![]() | 3241 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF7406 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 30 v | 5.8A (TA) | 4.5V, 10V | 45mohm @ 2.8a, 10V | 1V @ 250µA | 59 NC @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFP405E6740HTSA1 | - | ![]() | 1946 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-82A, SOT-343 | BFP405 | 75MW | PG-SOT343-3D | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 23db | 5V | 25MA | NPN | 60 @ 5MA, 4V | 25GHz | 1.25dB @ 1.8GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMW120R090M1HXKSA1 | 12.3200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolsic ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IMW120 | sicfet ((카바이드) | PG-to247-3-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1200 v | 26A (TC) | 15V, 18V | 117mohm @ 8.5a, 18V | 5.7v @ 3.7ma | 21 NC @ 18 v | +23V, -7v | 707 pf @ 800 v | - | 115W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF450R06ME3BOSA1 | 214.7420 | ![]() | 5422 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Econodual ™ 3 | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FF450R06 | 1250 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 2 독립 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 550 a | 1.9V @ 15V, 450A | 5 MA | 예 | 28 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IHW25N140R5LXKSA1 | 3.1300 | ![]() | 240 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irfr3410trlpbf | 1.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR3410 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 31A (TC) | 10V | 39mohm @ 18a, 10V | 4V @ 250µA | 56 NC @ 10 v | ± 20V | 1690 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFR35APE6327 | 1.0000 | ![]() | 7028 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 280MW | PG-SOT23-3-11 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 16db | 15V | 45MA | NPN | 70 @ 15ma, 8v | 5GHz | 1.4dB ~ 2db @ 900MHz ~ 1.8GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI4435DYPBF | - | ![]() | 2960 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001569846 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | p 채널 | 30 v | 8A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 8a, 10V | 1V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 2320 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW60B | 0.0400 | ![]() | 4286 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 7,000 | 32 v | 100 MA | 20NA | NPN | 550MV @ 1.25ma, 50ma | 180 @ 2MA, 5V | 125MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA60R170CFD7XKSA1 | 3.6600 | ![]() | 6517 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | CoolMOS ™ CFD7 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA60R | MOSFET (금속 (() | PG-to220-FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 8A (TC) | 10V | 170mohm @ 6a, 10V | 4.5V @ 300µA | 28 nc @ 10 v | ± 20V | 1199 pf @ 400 v | - | 26W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | auirfsl8405 | - | ![]() | 4904 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 10V | 2.3mohm @ 100a, 10V | 3.9V @ 100µA | 161 NC @ 10 v | ± 20V | 5193 pf @ 25 v | - | 163W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3710pbf | 1.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF3710 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 57A (TC) | 10V | 23mohm @ 28a, 10V | 4V @ 250µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 3130 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM150GD60DLC | - | ![]() | 5033 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | BSM150 | 570 W. | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 하나의 | NPT | 600 v | 180 a | 2.45V @ 15V, 150A | 500 µA | 아니요 | 6.5 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR 189F E6327 | - | ![]() | 5087 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SOT-723 | BCR 189 | 250 MW | PG-TSFP-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 120 @ 5MA, 5V | 200MHz | 22 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP230N06L3GXKSA1 | 0.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 60 v | 30A | 4.5V, 10V | 23mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 11µA | 7 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1200 pf @ 30 v | - | 36W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6602 | - | ![]() | 7464 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 MQ | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ MQ | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,800 | n 채널 | 20 v | 11A (TA), 48A (TC) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 11a, 10V | 2.3V @ 250µA | 18 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1420 pf @ 10 v | - | 2.3W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PS3GFANSET30600NOSA1 | - | ![]() | 9502 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | PS3GFANSET30600 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR 142L3 E6327 | - | ![]() | 4288 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | BCR 142 | 250 MW | PG-TSLP-3-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 70 @ 5MA, 5V | 150MHz | 22 KOHMS | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6616TRPBF | - | ![]() | 9620 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 MX | IRF6616 | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ MX | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,800 | n 채널 | 40 v | 19A (TA), 106A (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 19a, 10V | 2.25V @ 250µA | 44 NC @ 4.5 v | ± 20V | 3765 pf @ 20 v | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR 183F E6327 | - | ![]() | 6102 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SOT-723 | BCR 183 | 250 MW | PG-TSFP-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 30 @ 5MA, 5V | 200MHz | 10 KOHMS | 10 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FD600R17KF6CB2NOSA1 | 1.0000 | ![]() | 110 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받습니다 | 2156-FD600R17KF6CB2NOSA1-448 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irfr2405trrpbf | - | ![]() | 5483 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR2405 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 55 v | 56A (TC) | 10V | 16mohm @ 34a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 2430 pf @ 25 v | - | 110W (TC) |
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