전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSS192PE6327 | - | ![]() | 7606 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | MOSFET (금속 (() | PG-SOT89 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 250 v | 190ma (TA) | 2.8V, 10V | 12ohm @ 190ma, 10V | 2V @ 130µA | 6.1 NC @ 10 v | ± 20V | 104 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR18N15DPBF | - | ![]() | 3053 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 150 v | 18A (TC) | 10V | 125mohm @ 11a, 10V | 5.5V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | ± 30V | 900 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3415STRLPBF | 2.8400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF3415 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 150 v | 43A (TC) | 10V | 42mohm @ 22a, 10V | 4V @ 250µA | 200 nc @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF1324STRL7P | - | ![]() | 7673 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001515572 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 24 v | 340A (TC) | 10V | 1.65mohm @ 195a, 10V | 4V @ 250µA | 240 NC @ 10 v | ± 20V | 7590 pf @ 24 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFP22N50APBFXKMA1 | - | ![]() | 9886 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001560506 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 500 v | 22A (TC) | 10V | 230mohm @ 13a, 10V | 4V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 30V | 3450 pf @ 25 v | - | 277W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IPAN60R800CEXKSA1 | 1.2000 | ![]() | 490 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPAN60 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | SP001508822 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 8.4A (TC) | 10V | 800mohm @ 2a, 10V | 3.5V @ 170µA | 17.2 NC @ 10 v | ± 20V | 373 PF @ 100 v | - | 27W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BC860BWH6327 | 0.0400 | ![]() | 9665 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | 250 MW | PG-SOT323-3-1 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 6,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 220 @ 2MA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6607tr1 | - | ![]() | 2358 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 Mt | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ Mt | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | SP001530714 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 27A (TA), 94A (TC) | 4.5V, 7V | 3.3mohm @ 25a, 10V | 2V @ 250µA | 75 NC @ 4.5 v | ± 12V | 6930 pf @ 15 v | - | 3.6W (TA), 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCP 54-16 H6778 | - | ![]() | 7890 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BCP 54 | 2 w | PG-SOT223-4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 45 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 2v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857CB5003XT | - | ![]() | 5034 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 420 @ 2MA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | auirfl014n | - | ![]() | 1253 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001520734 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 80 | n 채널 | 55 v | 1.5A (TA) | 10V | 160mohm @ 1.9a, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 190 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB075N04LG | - | ![]() | 1654 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 3 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 40 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 50a, 10V | 2V @ 20µA | 36 nc @ 10 v | ± 20V | 2800 pf @ 25 v | - | 56W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF5801TRPBF | 0.6200 | ![]() | 772 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | IRF5801 | MOSFET (금속 (() | Micro6 ™ (TSOP-6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 200 v | 600MA (TA) | 10V | 2.2ohm @ 360ma, 10V | 5.5V @ 250µA | 3.9 NC @ 10 v | ± 30V | 88 pf @ 25 v | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF5210S | - | ![]() | 1837 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 100 v | 38A (TC) | 10V | 60mohm @ 38a, 10V | 4V @ 250µA | 230 nc @ 10 v | ± 20V | 2780 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 170W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7321D2 | - | ![]() | 9317 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Fetky ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF7321D2 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | p 채널 | 30 v | 4.7A (TA) | 4.5V, 10V | 62mohm @ 4.9a, 10V | 1V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 710 pf @ 25 v | Schottky 분리 (다이오드) | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7811APBF | - | ![]() | 4465 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF7811 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001555634 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 28 v | 11A (TA) | 4.5V | 10mohm @ 11a, 10v | 3V @ 250µA | 26 NC @ 4.5 v | ± 12V | 1760 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | ika15n65et6xksa2 | 1.8400 | ![]() | 495 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IKA15N65 | 기준 | 45 W. | PG-to220-3-FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 11.5A, 47OHM, 15V | 69 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 17 a | 57.5 a | 1.9V @ 15V, 11.5A | 230µJ (on), 110µJ (OFF) | 37 NC | 30ns/117ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847SH6327XTSA1 | 0.4000 | ![]() | 259 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BC847 | 250MW | PG-SOT363-PO | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 100ma | 15NA (ICBO) | 2 NPN (() | 600mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFB7545PBF | 1.0000 | ![]() | 64 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFB7545 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 95A (TC) | 6V, 10V | 5.9mohm @ 57a, 10V | 3.7v @ 100µa | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 4010 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD09N03LB g | - | ![]() | 5971 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD09N | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 9.1mohm @ 50a, 10V | 2V @ 20µA | 13 nc @ 5 v | ± 20V | 1600 pf @ 15 v | - | 58W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW60BE6327 | 0.0400 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,013 | 32 v | 100 MA | 20NA (ICBO) | NPN | 550MV @ 1.25ma, 50ma | 180 @ 2MA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFL014NPBF | - | ![]() | 1150 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001570856 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 80 | n 채널 | 55 v | 1.9A (TA) | 10V | 160mohm @ 1.9a, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 190 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC080N03MSGATMA1 | 0.8700 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC080 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 13A (TA), 53A (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 30a, 10V | 2V @ 250µA | 27 NC @ 10 v | ± 20V | 2100 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3402PBF | - | ![]() | 1803 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 20 v | 85A (TC) | 4.5V, 7V | 8mohm @ 51a, 7v | 700mv @ 250µa (최소) | 78 NC @ 4.5 v | ± 10V | 3300 pf @ 15 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFH7440TRPBF | 1.6300 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | IRFH7440 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 40 v | 85A (TC) | 6V, 10V | 2.4mohm @ 50a, 10V | 3.9V @ 100µA | 138 NC @ 10 v | ± 20V | 4574 pf @ 25 v | - | 104W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BF 770A E6327 | - | ![]() | 4642 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 9.5dB ~ 14.5dB | 12V | 90ma | NPN | 70 @ 30MA, 8V | 6GHz | 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
FP35R12W2T4PBPSA1 | 71.9200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EasyPIM ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FP35R12 | 20 MW | 3 정류기 정류기 브리지 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 18 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 70 a | 2.25V @ 15V, 35A | 1 MA | 예 | 2 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFZ46ZLPBF | - | ![]() | 5226 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 51A (TC) | 10V | 13.6MOHM @ 31A, 10V | 4V @ 250µA | 46 NC @ 10 v | ± 20V | 1460 pf @ 25 v | - | 82W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7815PBF | - | ![]() | 2017 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001575250 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 150 v | 5.1A (TA) | 10V | 43mohm @ 3.1a, 10V | 5V @ 100µa | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 1647 pf @ 75 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IPI50N12S3L15AKSA1 | - | ![]() | 6191 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | ipi50n | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 120 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 15.7mohm @ 50a, 10V | 2.4V @ 60µA | 57 NC @ 10 v | ± 20V | 4180 pf @ 25 v | - | 100W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고