SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BSS192PE6327 Infineon Technologies BSS192PE6327 -
RFQ
ECAD 7606 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA MOSFET (금속 (() PG-SOT89 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 250 v 190ma (TA) 2.8V, 10V 12ohm @ 190ma, 10V 2V @ 130µA 6.1 NC @ 10 v ± 20V 104 pf @ 25 v - 1W (TA)
IRFR18N15DPBF Infineon Technologies IRFR18N15DPBF -
RFQ
ECAD 3053 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 150 v 18A (TC) 10V 125mohm @ 11a, 10V 5.5V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 30V 900 pf @ 25 v - 110W (TC)
IRF3415STRLPBF Infineon Technologies IRF3415STRLPBF 2.8400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF3415 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 43A (TC) 10V 42mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 200 nc @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
AUIRF1324STRL7P Infineon Technologies AUIRF1324STRL7P -
RFQ
ECAD 7673 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001515572 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 24 v 340A (TC) 10V 1.65mohm @ 195a, 10V 4V @ 250µA 240 NC @ 10 v ± 20V 7590 pf @ 24 v - 300W (TC)
IRFP22N50APBFXKMA1 Infineon Technologies IRFP22N50APBFXKMA1 -
RFQ
ECAD 9886 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001560506 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 500 v 22A (TC) 10V 230mohm @ 13a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 30V 3450 pf @ 25 v - 277W (TC)
IPAN60R800CEXKSA1 Infineon Technologies IPAN60R800CEXKSA1 1.2000
RFQ
ECAD 490 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPAN60 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 SP001508822 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 8.4A (TC) 10V 800mohm @ 2a, 10V 3.5V @ 170µA 17.2 NC @ 10 v ± 20V 373 PF @ 100 v - 27W (TC)
BC860BWH6327 Infineon Technologies BC860BWH6327 0.0400
RFQ
ECAD 9665 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 250 MW PG-SOT323-3-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 6,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 250MHz
IRF6607TR1 Infineon Technologies IRF6607tr1 -
RFQ
ECAD 2358 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Mt MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Mt 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 SP001530714 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 27A (TA), 94A (TC) 4.5V, 7V 3.3mohm @ 25a, 10V 2V @ 250µA 75 NC @ 4.5 v ± 12V 6930 pf @ 15 v - 3.6W (TA), 42W (TC)
BCP 54-16 H6778 Infineon Technologies BCP 54-16 H6778 -
RFQ
ECAD 7890 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP 54 2 w PG-SOT223-4 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 45 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 100MHz
BC857CB5003XT Infineon Technologies BC857CB5003XT -
RFQ
ECAD 5034 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 250MHz
AUIRFL014N Infineon Technologies auirfl014n -
RFQ
ECAD 1253 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001520734 귀 99 8541.29.0095 80 n 채널 55 v 1.5A (TA) 10V 160mohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 190 pf @ 25 v - 1W (TA)
IPB075N04LG Infineon Technologies IPB075N04LG -
RFQ
ECAD 1654 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 50A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 50a, 10V 2V @ 20µA 36 nc @ 10 v ± 20V 2800 pf @ 25 v - 56W (TC)
IRF5801TRPBF Infineon Technologies IRF5801TRPBF 0.6200
RFQ
ECAD 772 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 IRF5801 MOSFET (금속 (() Micro6 ™ (TSOP-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 600MA (TA) 10V 2.2ohm @ 360ma, 10V 5.5V @ 250µA 3.9 NC @ 10 v ± 30V 88 pf @ 25 v - 2W (TA)
AUIRF5210S Infineon Technologies AUIRF5210S -
RFQ
ECAD 1837 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 100 v 38A (TC) 10V 60mohm @ 38a, 10V 4V @ 250µA 230 nc @ 10 v ± 20V 2780 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 170W (TC)
IRF7321D2 Infineon Technologies IRF7321D2 -
RFQ
ECAD 9317 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF7321D2 귀 99 8541.29.0095 95 p 채널 30 v 4.7A (TA) 4.5V, 10V 62mohm @ 4.9a, 10V 1V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 710 pf @ 25 v Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA)
IRF7811APBF Infineon Technologies IRF7811APBF -
RFQ
ECAD 4465 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7811 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001555634 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 28 v 11A (TA) 4.5V 10mohm @ 11a, 10v 3V @ 250µA 26 NC @ 4.5 v ± 12V 1760 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IKA15N65ET6XKSA2 Infineon Technologies ika15n65et6xksa2 1.8400
RFQ
ECAD 495 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IKA15N65 기준 45 W. PG-to220-3-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 11.5A, 47OHM, 15V 69 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 17 a 57.5 a 1.9V @ 15V, 11.5A 230µJ (on), 110µJ (OFF) 37 NC 30ns/117ns
BC847SH6327XTSA1 Infineon Technologies BC847SH6327XTSA1 0.4000
RFQ
ECAD 259 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 250MW PG-SOT363-PO 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IRFB7545PBF Infineon Technologies IRFB7545PBF 1.0000
RFQ
ECAD 64 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB7545 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 95A (TC) 6V, 10V 5.9mohm @ 57a, 10V 3.7v @ 100µa 110 NC @ 10 v ± 20V 4010 pf @ 25 v - 125W (TC)
IPD09N03LB G Infineon Technologies IPD09N03LB g -
RFQ
ECAD 5971 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD09N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 9.1mohm @ 50a, 10V 2V @ 20µA 13 nc @ 5 v ± 20V 1600 pf @ 15 v - 58W (TC)
BCW60BE6327 Infineon Technologies BCW60BE6327 0.0400
RFQ
ECAD 17 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,013 32 v 100 MA 20NA (ICBO) NPN 550MV @ 1.25ma, 50ma 180 @ 2MA, 5V 250MHz
IRFL014NPBF Infineon Technologies IRFL014NPBF -
RFQ
ECAD 1150 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001570856 귀 99 8541.29.0095 80 n 채널 55 v 1.9A (TA) 10V 160mohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 190 pf @ 25 v - 1W (TA)
BSC080N03MSGATMA1 Infineon Technologies BSC080N03MSGATMA1 0.8700
RFQ
ECAD 29 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC080 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 13A (TA), 53A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 30a, 10V 2V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 35W (TC)
IRL3402PBF Infineon Technologies IRL3402PBF -
RFQ
ECAD 1803 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 85A (TC) 4.5V, 7V 8mohm @ 51a, 7v 700mv @ 250µa (최소) 78 NC @ 4.5 v ± 10V 3300 pf @ 15 v - 110W (TC)
IRFH7440TRPBF Infineon Technologies IRFH7440TRPBF 1.6300
RFQ
ECAD 23 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IRFH7440 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 40 v 85A (TC) 6V, 10V 2.4mohm @ 50a, 10V 3.9V @ 100µA 138 NC @ 10 v ± 20V 4574 pf @ 25 v - 104W (TC)
BF 770A E6327 Infineon Technologies BF 770A E6327 -
RFQ
ECAD 4642 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 9.5dB ~ 14.5dB 12V 90ma NPN 70 @ 30MA, 8V 6GHz 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
FP35R12W2T4PBPSA1 Infineon Technologies FP35R12W2T4PBPSA1 71.9200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 EasyPIM ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FP35R12 20 MW 3 정류기 정류기 브리지 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 18 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 70 a 2.25V @ 15V, 35A 1 MA 2 NF @ 25 v
IRFZ46ZLPBF Infineon Technologies IRFZ46ZLPBF -
RFQ
ECAD 5226 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 51A (TC) 10V 13.6MOHM @ 31A, 10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 1460 pf @ 25 v - 82W (TC)
IRF7815PBF Infineon Technologies IRF7815PBF -
RFQ
ECAD 2017 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001575250 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 150 v 5.1A (TA) 10V 43mohm @ 3.1a, 10V 5V @ 100µa 38 NC @ 10 v ± 20V 1647 pf @ 75 v - 2.5W (TA)
IPI50N12S3L15AKSA1 Infineon Technologies IPI50N12S3L15AKSA1 -
RFQ
ECAD 6191 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA ipi50n MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 120 v 50A (TC) 4.5V, 10V 15.7mohm @ 50a, 10V 2.4V @ 60µA 57 NC @ 10 v ± 20V 4180 pf @ 25 v - 100W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고