SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
IPP037N08N3GHKSA1 Infineon Technologies IPP037N08N3GHKSA1 -
RFQ
ECAD 3095 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP037N MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000435332 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 80 v 100A (TC) 6V, 10V 3.75mohm @ 100a, 10V 3.5V @ 155µA 117 NC @ 10 v ± 20V 8110 pf @ 40 v - 214W (TC)
SPI08N80C3 Infineon Technologies SPI08N80C3 -
RFQ
ECAD 2837 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA SPI08N MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 8A (TC) 10V 650mohm @ 5.1a, 10V 3.9V @ 470µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 100 v - 104W (TC)
IRF6894MTRPBF Infineon Technologies IRF6894MTRPBF -
RFQ
ECAD 8783 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 25 v 32A (TA), 160A (TC) 4.5V, 10V 1.3mohm @ 33a, 10V 2.1v @ 100µa 39 NC @ 4.5 v ± 16V 4160 pf @ 13 v Schottky Diode (Body) 2.1W (TA), 54W (TC)
SGB15N60HSATMA1 Infineon Technologies SGB15N60HSATMA1 -
RFQ
ECAD 5110 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SGB15N 기준 138 w PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 15a, 23ohm, 15V NPT 600 v 27 a 60 a 3.15V @ 15V, 15a 530µj 80 NC 13ns/209ns
IPP70N10S312AKSA1 Infineon Technologies IPP70N10S312AKSA1 -
RFQ
ECAD 7609 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP70N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 70A (TC) 10V 11.6MOHM @ 70A, 10V 4V @ 83µA 66 NC @ 10 v ± 20V 4355 pf @ 25 v - 125W (TC)
AUIRFN8478TR Infineon Technologies auirfn8478tr 1.0300
RFQ
ECAD 21 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-auirfn8478tr-448 1
AUIRFP4310Z Infineon Technologies AUIRFP4310Z -
RFQ
ECAD 2791 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() PG-to247-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 100 v 128A (TC) 10V 6MOHM @ 77A, 10V 4V @ 150µA 188 NC @ 10 v ± 20V 7120 pf @ 50 v - 278W (TC)
IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies IRF1018ESTRLPBF 1.5900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF1018 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 79A (TC) 10V 8.4mohm @ 47a, 10V 4V @ 100µa 69 NC @ 10 v ± 20V 2290 pf @ 50 v - 110W (TC)
IRF6633ATR1PBF Infineon Technologies IRF6633ATR1PBF -
RFQ
ECAD 5209 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MU MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MU 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 20 v 16A (TA), 69A (TC) 4.5V, 10V 5.6mohm @ 16a, 10V 2.2V @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 1410 pf @ 10 v - 2.3W (TA), 42W (TC)
IHW30N65R5 Infineon Technologies IHW30N65R5 -
RFQ
ECAD 4933 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 176 w PG-to247-3 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 30A, 13ohm, 15V 95 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 60 a 90 a 1.7V @ 15V, 30A 850µJ (on), 240µJ (OFF) 153 NC 29ns/220ns
IRLR3110ZTRRPBF Infineon Technologies IRLR3110ZTRRPBF -
RFQ
ECAD 8608 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR3110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 42A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 38a, 10V 2.5V @ 100µa 48 NC @ 4.5 v ± 16V 3980 pf @ 25 v - 140W (TC)
IRF6626TRPBF Infineon Technologies irf6626trpbf -
RFQ
ECAD 8331 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 st MOSFET (금속 (() DirectFet ™ st 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 30 v 16A (TA), 72A (TC) 4.5V, 10V 5.4mohm @ 16a, 10V 2.35V @ 250µA 29 NC @ 4.5 v ± 20V 2380 pf @ 15 v - 2.2W (TA), 42W (TC)
IRF7326D2PBF Infineon Technologies IRF7326D2PBF -
RFQ
ECAD 7836 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001559796 귀 99 8541.29.0095 95 p 채널 30 v 3.6A (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 1.8a, 10V 1V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 25 v Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA)
IRFR4105ZTRLPBF Infineon Technologies irfr4105ztrlpbf -
RFQ
ECAD 4247 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001560656 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 30A (TC) 10V 24.5mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 740 pf @ 25 v - 48W (TC)
BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies BSC0910ndiatma1 2.5600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC0910 MOSFET (금속 (() 1W PG-Tison-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 비대칭 25V 11a, 31a 4.6mohm @ 25a, 10V 2V @ 250µA 6.6NC @ 4.5V 4500pf @ 12v 논리 논리 게이트, 4.5V 드라이브
IPW65R035CFD7AXKSA1 Infineon Technologies IPW65R035CFD7AXKSA1 19.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™ CFD7A 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW65R035 MOSFET (금속 (() PG-to247-3-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 63A (TC) 10V 35mohm @ 35.8a, 10V 4.5V @ 1.79ma 145 NC @ 10 v ± 20V 7149 pf @ 400 v - 305W (TC)
IRF1503SPBF Infineon Technologies IRF1503SPBF -
RFQ
ECAD 6789 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF1503 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 75A (TC) 10V 3.3mohm @ 140a, 10V 4V @ 250µA 200 nc @ 10 v ± 20V 5730 pf @ 25 v - 200W (TC)
6PS04012E33G43439NOSA1 Infineon Technologies 6PS04012E33G43439NOSA1 -
RFQ
ECAD 1069 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 - 영향을받지 영향을받지 448-6PS04012E33G43439NOSA1 귀 99 8541.29.0095 1
AUIRFS4010TRL Infineon Technologies auirfs4010trl 4.2198
RFQ
ECAD 1304 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 180A (TC) 4.7mohm @ 106a, 10V 4V @ 250µA 215 NC @ 10 v 9575 pf @ 50 v - 375W (TC)
SPB12N50C3ATMA1 Infineon Technologies SPB12N50C3ATMA1 -
RFQ
ECAD 7969 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SPB12N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 560 v 11.6A (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10V 3.9V @ 500µA 49 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
IPU50R950CEAKMA1 Infineon Technologies ipu50r950ceakma1 -
RFQ
ECAD 6521 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA ipu50r MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 500 v 4.3A (TC) 13V 950mohm @ 1.2a, 13v 3.5V @ 100µA 10.5 nc @ 10 v ± 20V 231 pf @ 100 v - 53W (TC)
IPB60R950C6ATMA1 Infineon Technologies IPB60R950C6ATMA1 -
RFQ
ECAD 8199 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C6 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB60R MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 4.4A (TC) 10V 950mohm @ 1.5a, 10V 3.5V @ 130µA 13 nc @ 10 v ± 20V 280 pf @ 100 v - 37W (TC)
IRF7484PBF Infineon Technologies IRF7484PBF -
RFQ
ECAD 2773 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7484 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 40 v 14A (TA) 7V 10mohm @ 14a, 7v 2V @ 250µA 100 nc @ 7 v ± 8V 3520 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
IRF6623TR1 Infineon Technologies IRF6623TR1 -
RFQ
ECAD 9342 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 st MOSFET (금속 (() DirectFet ™ st 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 SP001530184 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 20 v 16A (TA), 55A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 1360 pf @ 10 v - 1.4W (TA), 42W (TC)
IPA65R380E6XKSA1 Infineon Technologies IPA65R380E6XKSA1 2.7400
RFQ
ECAD 475 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA65R380 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 10.6A (TC) 10V 380mohm @ 3.2a, 10V 3.5V @ 320µA 39 NC @ 10 v ± 20V 710 pf @ 100 v - 31W (TC)
IRFR2607ZTRPBF Infineon Technologies irfr2607ztrpbf 1.5500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR2607 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-901 | DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 75 v 42A (TC) 22mohm @ 30a, 10V 4V @ 50µA 51 NC @ 10 v 1440 pf @ 25 v -
IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon Technologies IPA80R1K0CEXKSA2 2.0000
RFQ
ECAD 2554 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA80R1 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 5.7A (TC) 10V 950mohm @ 3.6a, 10V 3.9V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 20V 785 pf @ 100 v - 32W (TC)
IRG7T150CH12B Infineon Technologies IRG7T150CH12B -
RFQ
ECAD 1433 0.00000000 인피온 인피온 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Powir® 62 2 irg7t 910 w 기준 Powir® 62 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 하나의 - 1200 v 300 a 2.2V @ 15V, 150A 2 MA 아니요 20.2 NF @ 25 v
IRGR4610DPBF Infineon Technologies irgr4610dpbf -
RFQ
ECAD 4853 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 기준 77 w D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 400V, 6A, 47ohm, 15V 74 ns - 600 v 16 a 18 a 2V @ 15V, 6A 56µJ (on), 122µJ (OFF) 13 NC 27ns/75ns
FS75R12KT4BPSA1 Infineon Technologies FS75R12KT4BPSA1 -
RFQ
ECAD 8470 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 2 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS75R12 20 MW 기준 Ag-Econo2-6 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 75 a 2.15V @ 15V, 75A 1 MA 4.3 NF @ 25 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고