전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP037N08N3GHKSA1 | - | ![]() | 3095 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP037N | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000435332 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 80 v | 100A (TC) | 6V, 10V | 3.75mohm @ 100a, 10V | 3.5V @ 155µA | 117 NC @ 10 v | ± 20V | 8110 pf @ 40 v | - | 214W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | SPI08N80C3 | - | ![]() | 2837 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | SPI08N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 800 v | 8A (TC) | 10V | 650mohm @ 5.1a, 10V | 3.9V @ 470µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 100 v | - | 104W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | IRF6894MTRPBF | - | ![]() | 8783 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 MX | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ MX | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,800 | n 채널 | 25 v | 32A (TA), 160A (TC) | 4.5V, 10V | 1.3mohm @ 33a, 10V | 2.1v @ 100µa | 39 NC @ 4.5 v | ± 16V | 4160 pf @ 13 v | Schottky Diode (Body) | 2.1W (TA), 54W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | SGB15N60HSATMA1 | - | ![]() | 5110 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SGB15N | 기준 | 138 w | PG-to263-3-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 15a, 23ohm, 15V | NPT | 600 v | 27 a | 60 a | 3.15V @ 15V, 15a | 530µj | 80 NC | 13ns/209ns | |||||||||||||||||||||
![]() | IPP70N10S312AKSA1 | - | ![]() | 7609 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP70N | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 100 v | 70A (TC) | 10V | 11.6MOHM @ 70A, 10V | 4V @ 83µA | 66 NC @ 10 v | ± 20V | 4355 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | auirfn8478tr | 1.0300 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-auirfn8478tr-448 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AUIRFP4310Z | - | ![]() | 2791 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 100 v | 128A (TC) | 10V | 6MOHM @ 77A, 10V | 4V @ 150µA | 188 NC @ 10 v | ± 20V | 7120 pf @ 50 v | - | 278W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRF1018ESTRLPBF | 1.5900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF1018 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 79A (TC) | 10V | 8.4mohm @ 47a, 10V | 4V @ 100µa | 69 NC @ 10 v | ± 20V | 2290 pf @ 50 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRF6633ATR1PBF | - | ![]() | 5209 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 MU | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ MU | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 20 v | 16A (TA), 69A (TC) | 4.5V, 10V | 5.6mohm @ 16a, 10V | 2.2V @ 250µA | 17 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1410 pf @ 10 v | - | 2.3W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | IHW30N65R5 | - | ![]() | 4933 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop ™ | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 176 w | PG-to247-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 30A, 13ohm, 15V | 95 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 60 a | 90 a | 1.7V @ 15V, 30A | 850µJ (on), 240µJ (OFF) | 153 NC | 29ns/220ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR3110ZTRRPBF | - | ![]() | 8608 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR3110 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 42A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 38a, 10V | 2.5V @ 100µa | 48 NC @ 4.5 v | ± 16V | 3980 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | irf6626trpbf | - | ![]() | 8331 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 st | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ st | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,800 | n 채널 | 30 v | 16A (TA), 72A (TC) | 4.5V, 10V | 5.4mohm @ 16a, 10V | 2.35V @ 250µA | 29 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2380 pf @ 15 v | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | IRF7326D2PBF | - | ![]() | 7836 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Fetky ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001559796 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | p 채널 | 30 v | 3.6A (TA) | 4.5V, 10V | 100mohm @ 1.8a, 10V | 1V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 440 pf @ 25 v | Schottky 분리 (다이오드) | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | irfr4105ztrlpbf | - | ![]() | 4247 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001560656 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 55 v | 30A (TC) | 10V | 24.5mohm @ 18a, 10V | 4V @ 250µA | 27 NC @ 10 v | ± 20V | 740 pf @ 25 v | - | 48W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | BSC0910ndiatma1 | 2.5600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC0910 | MOSFET (금속 (() | 1W | PG-Tison-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 (채널) 비대칭 | 25V | 11a, 31a | 4.6mohm @ 25a, 10V | 2V @ 250µA | 6.6NC @ 4.5V | 4500pf @ 12v | 논리 논리 게이트, 4.5V 드라이브 | |||||||||||||||||||||
![]() | IPW65R035CFD7AXKSA1 | 19.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™ CFD7A | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IPW65R035 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 63A (TC) | 10V | 35mohm @ 35.8a, 10V | 4.5V @ 1.79ma | 145 NC @ 10 v | ± 20V | 7149 pf @ 400 v | - | 305W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRF1503SPBF | - | ![]() | 6789 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF1503 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 75A (TC) | 10V | 3.3mohm @ 140a, 10V | 4V @ 250µA | 200 nc @ 10 v | ± 20V | 5730 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | 6PS04012E33G43439NOSA1 | - | ![]() | 1069 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 영향을받지 영향을받지 | 448-6PS04012E33G43439NOSA1 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | auirfs4010trl | 4.2198 | ![]() | 1304 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 180A (TC) | 4.7mohm @ 106a, 10V | 4V @ 250µA | 215 NC @ 10 v | 9575 pf @ 50 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | SPB12N50C3ATMA1 | - | ![]() | 7969 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB12N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 560 v | 11.6A (TC) | 10V | 380mohm @ 7a, 10V | 3.9V @ 500µA | 49 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | ipu50r950ceakma1 | - | ![]() | 6521 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CE | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | ipu50r | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 500 v | 4.3A (TC) | 13V | 950mohm @ 1.2a, 13v | 3.5V @ 100µA | 10.5 nc @ 10 v | ± 20V | 231 pf @ 100 v | - | 53W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | IPB60R950C6ATMA1 | - | ![]() | 8199 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ C6 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB60R | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 4.4A (TC) | 10V | 950mohm @ 1.5a, 10V | 3.5V @ 130µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | 280 pf @ 100 v | - | 37W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | IRF7484PBF | - | ![]() | 2773 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF7484 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 40 v | 14A (TA) | 7V | 10mohm @ 14a, 7v | 2V @ 250µA | 100 nc @ 7 v | ± 8V | 3520 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | IRF6623TR1 | - | ![]() | 9342 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 st | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ st | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | SP001530184 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 20 v | 16A (TA), 55A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 15a, 10V | 2.2V @ 250µA | 17 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1360 pf @ 10 v | - | 1.4W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IPA65R380E6XKSA1 | 2.7400 | ![]() | 475 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA65R380 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 10.6A (TC) | 10V | 380mohm @ 3.2a, 10V | 3.5V @ 320µA | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 710 pf @ 100 v | - | 31W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | irfr2607ztrpbf | 1.5500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR2607 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-901 | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 75 v | 42A (TC) | 22mohm @ 30a, 10V | 4V @ 50µA | 51 NC @ 10 v | 1440 pf @ 25 v | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | IPA80R1K0CEXKSA2 | 2.0000 | ![]() | 2554 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CE | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA80R1 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 5.7A (TC) | 10V | 950mohm @ 3.6a, 10V | 3.9V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 20V | 785 pf @ 100 v | - | 32W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRG7T150CH12B | - | ![]() | 1433 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 상자 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Powir® 62 2 | irg7t | 910 w | 기준 | Powir® 62 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | 하나의 | - | 1200 v | 300 a | 2.2V @ 15V, 150A | 2 MA | 아니요 | 20.2 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||
![]() | irgr4610dpbf | - | ![]() | 4853 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 기준 | 77 w | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | 400V, 6A, 47ohm, 15V | 74 ns | - | 600 v | 16 a | 18 a | 2V @ 15V, 6A | 56µJ (on), 122µJ (OFF) | 13 NC | 27ns/75ns | |||||||||||||||||||||
![]() | FS75R12KT4BPSA1 | - | ![]() | 8470 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EconoPack ™ 2 | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS75R12 | 20 MW | 기준 | Ag-Econo2-6 | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 75 a | 2.15V @ 15V, 75A | 1 MA | 예 | 4.3 NF @ 25 v |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고