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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | IRF6215L-103 | - | ![]() | 9767 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 150 v | 13A (TC) | 10V | 290mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 66 NC @ 10 v | ± 20V | 860 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRGF76524D0 | - | ![]() | 8007 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | AUIRGF76524 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001511442 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF7739L2 | - | ![]() | 9869 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001520134 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 40 v | 46A (TA), 270A (TC) | 10V | 1MOHM @ 160A, 10V | 4V @ 250µA | 330 nc @ 10 v | ± 20V | 11880 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
IPI80N06S405AKSA1 | - | ![]() | 2485 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI80N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 60 v | 80A (TC) | 10V | 5.7mohm @ 80a, 10V | 4V @ 60µA | 81 NC @ 10 v | ± 20V | 6500 pf @ 25 v | - | 107W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | irgr4610dtrlpbf | - | ![]() | 8755 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 기준 | 77 w | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001546160 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 400V, 6A, 47ohm, 15V | 74 ns | - | 600 v | 16 a | 18 a | 2V @ 15V, 6A | 56µJ (on), 122µJ (OFF) | 13 NC | 27ns/75ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BC858BWE6327HTSA1 | - | ![]() | 1685 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC858 | 250 MW | PG-SOT323 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 220 @ 2MA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS7787TRLPBF | - | ![]() | 5530 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS7787 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 75 v | 76A (TC) | 6V, 10V | 8.4mohm @ 46a, 10V | 3.7v @ 100µa | 109 NC @ 10 v | ± 20V | 4020 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||
IPI80N04S3H4AKSA1 | - | ![]() | 2473 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI80N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 40 v | 80A (TC) | 10V | 4.8mohm @ 80a, 10V | 4V @ 65µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 3900 pf @ 25 v | - | 115W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB60R330P6ATMA1 | - | ![]() | 9870 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P6 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB60R | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001364470 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 12A (TC) | 10V | 330mohm @ 4.5a, 10V | 4.5V @ 370µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 1010 pf @ 100 v | - | 93W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BSC009NE2LS5IATMA1 | 2.7300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC009 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 25 v | 40A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 0.95mohm @ 30a, 10V | 2V @ 250µA | 49 NC @ 10 v | ± 16V | 3200 pf @ 12 v | - | 2.5W (TA), 74W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | Fz900R12KF5NOSA1 | - | ![]() | 3486 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | - | - | - | FZ800 | - | - | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000100502 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPI80N06S2L-11 | - | ![]() | 4338 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | SPI80N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 55 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 40a, 10V | 2V @ 93µA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 2650 pf @ 25 v | - | 158W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7422D2TR | - | ![]() | 4267 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Fetky ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 20 v | 4.3A (TA) | 2.7V, 4.5V | 90mohm @ 2.2a, 4.5v | 700mv @ 250µa (최소) | 22 nc @ 4.5 v | ± 12V | 610 pf @ 15 v | Schottky 분리 (다이오드) | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SIPC05N80C3X1SA2 | - | ![]() | 1230 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | SIPC05 | - | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | SP000927912 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 92-0235 | - | ![]() | 9094 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRGB14 | 논리 | 125 w | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | 430 v | 20 a | 1.75V @ 5V, 14a | - | 27 NC | 900ns/6µs | |||||||||||||||||||||||||
IHW40N120R3FKSA1 | - | ![]() | 2204 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IHW40 | 기준 | 429 w | PG-to247-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | 600V, 40A, 7.5OHM, 15V | 도랑 | 1200 v | 80 a | 120 a | 1.75V @ 15V, 40A | 2.02mj (OFF) | 335 NC | -/336ns | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPC60R380E6UNSAWNX6SA1 | - | ![]() | 3175 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | IPC60R | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000857792 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irf6619tr1pbf | 2.9200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 MX | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ MX | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 20 v | 30A (TA), 150A (TC) | 4.5V, 10V | 2.2MOHM @ 30A, 10V | 2.45V @ 250µA | 57 NC @ 4.5 v | ± 20V | 5040 pf @ 10 v | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGS8B60KPBF | - | ![]() | 1927 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRGS8B | 기준 | 167 w | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 8A, 50ohm, 15V | NPT | 600 v | 28 a | 34 a | 2.2V @ 15V, 8A | 160µJ (on), 160µJ (OFF) | 29 NC | 23ns/140ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IKY140N120CH7XKSA1 | 20.0200 | ![]() | 230 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop ™ | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | IKY140N120 | 기준 | 962 w | PG-to247-4-U10 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 101 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 232 a | 560 a | 2.15V @ 15V, 140A | 2.64mj (on), 3.9mj (OFF) | 1032 NC | 50ns/407ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRFH7110TR2PBF | - | ![]() | 2451 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8-tqfn n 패드 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 100 v | 11A (TA), 58A (TC) | 13.5mohm @ 35a, 10V | 4V @ 100µa | 87 NC @ 10 v | 3240 pf @ 25 v | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF450R12ME4EB11BPSA2 | - | ![]() | 6432 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Econodual ™ 3 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FF450R12 | 20 MW | 기준 | Ag- 에코 노드 -6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 하프 하프 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 450 a | 2.1V @ 15V, 450A | 3 MA | 예 | 28 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIPC69SN60C3X2SA2 | - | ![]() | 4158 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | - | - | - | SIPC69 | - | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP003503048 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGP4063PBF | - | ![]() | 1105 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRGP4063 | 기준 | 330 w | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | 400V, 48A, 10ohm, 15V | 도랑 | 600 v | 96 a | 144 a | 2.14V @ 15V, 48A | 625µJ (on), 1.28mj (OFF) | 95 NC | 60ns/145ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD75N04S406 | 1.0000 | ![]() | 6900 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-313 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 75A (TC) | 10V | 5.9mohm @ 75a, 10V | 4V @ 26µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 2550 pf @ 25 v | - | 58W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7490PBF | - | ![]() | 9294 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,800 | n 채널 | 100 v | 5.4A (TA) | 10V | 39mohm @ 3.2a, 10V | 4V @ 250µA | 56 NC @ 10 v | ± 20V | 1720 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BC808-40WE6327 | 0.0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | PG-SOT23-3-11 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 25 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50ma, 500ma | 250 @ 100MA, 1V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPW60R125CP | - | ![]() | 4055 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3-21 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 600 v | 25A (TC) | 10V | 125mohm @ 16a, 10V | 3.5v @ 1.1ma | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 2500 pf @ 100 v | - | 208W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS131L6327HTSA1 | - | ![]() | 7950 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 240 v | 110MA (TA) | 4.5V, 10V | 14ohm @ 100ma, 10V | 1.8V @ 56µA | 3.1 NC @ 10 v | ± 20V | 77 pf @ 25 v | - | 360MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FS35R12U1T4BPSA1 | - | ![]() | 1615 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SmartPack1 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS35R12 | 250 W. | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 전체 전체 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 70 a | 2.25V @ 15V, 35A | 1 MA | 예 | 2 NF @ 25 v |
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