SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
FT150R12KE3G_B4 Infineon Technologies FT150R12KE3G_B4 -
RFQ
ECAD 7177 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FT150R12 700 w 기준 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 3 단계 인버터 1200 v 200a 2.15V @ 15V, 150A 5 MA 10.5 nf @ 25 v
IRL2505L Infineon Technologies irl2505L -
RFQ
ECAD 2005 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL2505L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 104A (TC) 4V, 10V 8mohm @ 54a, 10V 2V @ 250µA 130 nc @ 5 v ± 16V 5000 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
FS100R12KT4BOSA1 Infineon Technologies FS100R12KT4BOSA1 -
RFQ
ECAD 2617 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 2 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FS100R12 515 w 기준 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 100 a 2.1V @ 15V, 100A 1 MA 아니요 6.3 NF @ 25 v
IKZA40N65EH7XKSA1 Infineon Technologies IKZA40N65EH7XKSA1 6.8000
RFQ
ECAD 240 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240
IPI80N06S2L05AKSA1 Infineon Technologies IPI80N06S2L05AKSA1 -
RFQ
ECAD 2347 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI80N MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 80A (TC) 10V 4.8mohm @ 80a, 10V 2V @ 250µA 230 nc @ 10 v ± 20V 5700 pf @ 25 v - 300W (TC)
IPB049N08N5ATMA1 Infineon Technologies IPB049N08N5ATMA1 3.0300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB049 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 80 v 80A (TC) 6V, 10V 4.9mohm @ 80a, 10V 3.8V @ 66µA 53 NC @ 10 v ± 20V 3770 pf @ 40 v - 125W (TC)
IPI80N06S407AKSA1 Infineon Technologies IPI80N06S407AKSA1 -
RFQ
ECAD 2447 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI80N MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 80A (TC) 10V 7.4mohm @ 80a, 10V 4V @ 40µA 56 NC @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v - 79W (TC)
AIGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies AIGB50N65H5ATMA1 5.0600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB AIGB50 기준 PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 - NPT 650 v 50 a - - -
F3L300R12PT4PB26BOSA1 Infineon Technologies F3L300R12PT4PB26BOSA1 362.2850
RFQ
ECAD 5763 0.00000000 인피온 인피온 Econopack ™ 4 쟁반 활동적인 F3L300 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 6
IGZ100N65H5XKSA1 Infineon Technologies IGZ100N65H5XKSA1 8.9300
RFQ
ECAD 1146 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 5 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IGZ100 기준 536 w PG-to247-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 8ohm, 15V 도랑 650 v 161 a 400 a 2.1V @ 15V, 100A 850µJ (on), 770µJ (OFF) 210 NC 30ns/421ns
IPA60R125P6XKSA1 Infineon Technologies IPA60R125P6XKSA1 5.5000
RFQ
ECAD 2495 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P6 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA60R MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 30A (TC) 10V 125mohm @ 11.6a, 10V 4.5V @ 960µA 56 NC @ 10 v ± 20V 2660 pf @ 100 v - 34W (TC)
IRFI7446GPBF Infineon Technologies IRFI7446GPBF -
RFQ
ECAD 3313 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220AB Full-Pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 3.3mohm @ 48a, 10V 3.9V @ 100µA 90 NC @ 10 v ± 20V 3199 pf @ 25 v - 40.5W (TC)
BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC093N04LSGATMA1 0.9200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC093 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 13A (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 9.3mohm @ 40a, 10V 2V @ 14µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 20 v - 2.5W (TA), 35W (TC)
BSM50GB60DLCHOSA1 Infineon Technologies BSM50GB60DLCHOSA1 -
RFQ
ECAD 5158 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 BSM50G 280 W. 기준 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 - 600 v 75 a 2.45V @ 15V, 50A 500 µA 아니요 2.2 NF @ 25 v
AUIRLZ44Z Infineon Technologies auirlz44z -
RFQ
ECAD 4782 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 51A (TC) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 31a, 10V 3V @ 250µA 36 nc @ 5 v ± 16V 1620 pf @ 25 v - 80W (TC)
IQE036N08NM6CGATMA1 Infineon Technologies IQE036N08NM6CGATMA1 1.1064
RFQ
ECAD 7878 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-IQE036N08NM6CGATMA1TR 5,000
IPB60R380C6ATMA1 Infineon Technologies IPB60R380C6ATMA1 2.4800
RFQ
ECAD 9947 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C6 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB60R380 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 10.6A (TC) 10V 380mohm @ 3.8a, 10V 3.5V @ 320µA 32 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 100 v - 83W (TC)
PTAC260302SCV1XWSA1 Infineon Technologies PTAC260302SCV1XWSA1 -
RFQ
ECAD 5577 0.00000000 인피온 인피온 - 조각 쓸모없는 - - - - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001028960 쓸모없는 0000.00.0000 50 - - - - -
IRF7313QTRPBF Infineon Technologies IRF7313QTRPBF -
RFQ
ECAD 9727 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF731 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 30V 6.5A 29mohm @ 5.8a, 10V 1V @ 250µA 33NC @ 10V 650pf @ 25V -
IRFS17N20DTRLP Infineon Technologies IRFS17N20DTRLP -
RFQ
ECAD 5063 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001578336 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 16A (TC) 10V 170mohm @ 9.8a, 10V 5.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 140W (TC)
IPA80R310CE Infineon Technologies IPA80R310CE -
RFQ
ECAD 4928 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220 20 팩 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 800 v 16.7A (TC) 10V 310mohm @ 11a, 10V 3.9V @ 1mA 91 NC @ 10 v ± 20V 2320 pf @ 100 v - 35W (TC)
IRF5805TRPBF Infineon Technologies IRF5805TRPBF -
RFQ
ECAD 9857 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() Micro6 ™ (TSOP-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.8A (TA) 4.5V, 10V 98mohm @ 3.8a, 10V 2.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 511 pf @ 25 v - 2W (TA)
BFP182RE7764HTSA1 Infineon Technologies BFP182RE7764HTSA1 0.1510
RFQ
ECAD 9559 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-143R BFP182 250MW PG-SOT143-4-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 22db 12V 35MA NPN 70 @ 10ma, 8v 8GHz 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IHW30N100R Infineon Technologies IHW30N100R -
RFQ
ECAD 1798 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 412 w PG-to247-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000212224 귀 99 8541.29.0095 240 600V, 30A, 26OHM, 15V 트렌치 트렌치 정지 1000 v 60 a 90 a 1.7V @ 15V, 30A 2.1mj (OFF) 209 NC -/846NS
IRF5850 Infineon Technologies IRF5850 -
RFQ
ECAD 9903 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 IRF58 MOSFET (금속 (() 960MW 6TSOP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 100 2 p 채널 (채널) 20V 2.2A 135mohm @ 2.2a, 4.5v 1.2V @ 250µA 5.4NC @ 4.5V 320pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRL1004SPBF Infineon Technologies IRL1004SPBF -
RFQ
ECAD 2946 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRL1004 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 130A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 78a, 10V 1V @ 250µA 100 nc @ 4.5 v ± 16V 5330 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
IRGS4607DPBF Infineon Technologies IRGS4607DPBF -
RFQ
ECAD 6491 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 58 W. D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 4A, 100ohm, 15V 48 ns - 600 v 11 a 12 a 2.05V @ 15V, 4A 140µJ (on), 62µJ (OFF) 9 NC 27ns/120ns
IRF3709STRLPBF-INF Infineon Technologies IRF3709STRLPBF-INF -
RFQ
ECAD 5231 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 30 v 90A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 41 NC @ 5 v ± 20V 2672 pf @ 16 v - 3.1W (TA), 120W (TC)
IRF3709ZCL Infineon Technologies IRF3709ZCL -
RFQ
ECAD 4517 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF3709ZCL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 87A (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 21a, 10V 2.25V @ 250µA 26 NC @ 4.5 v ± 20V 2130 pf @ 15 v - 79W (TC)
BCR129FE6327 Infineon Technologies BCR129FE6327 0.0300
RFQ
ECAD 18 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR129 200 MW PG-SOT23-3-3 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 120 @ 5MA, 5V 150MHz 10 KOHMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고