SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IRFR540ZTRPBF Infineon Technologies irfr540ztrpbf 1.1800
RFQ
ECAD 22 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR540 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 35A (TC) 10V 28.5mohm @ 21a, 10V 4V @ 50µA 59 NC @ 10 v ± 20V 1690 pf @ 25 v - 91W (TC)
IRGS4630DTRRPBF Infineon Technologies IRGS4630DTRRPBF -
RFQ
ECAD 5052 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 206 w D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001534256 귀 99 8541.29.0095 800 400V, 18A, 22OHM, 15V 100 ns - 600 v 47 a 54 a 1.95V @ 15V, 18A 95µJ (on), 350µJ (OFF) 35 NC 40ns/105ns
BSC070N10LS5ATMA1 Infineon Technologies BSC070N10LS5ATMA1 2.7000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC070 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 14A (TA), 79A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 40a, 10V 2.3V @ 49µA 20 nc @ 4.5 v ± 20V 2700 pf @ 50 v - 2.5W (TA), 83W (TC)
IGLR60R190D1XUMA1 Infineon Technologies IGLR60R190D1XUMA1 10.9800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 Coolgan ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn Ganfet ((갈륨) PG-TSON-8-6 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 600 v 12.8A (TC) - - 1.6V @ 960µa -10V 157 pf @ 400 v - 55.5W (TC)
IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies IPT015N10N5ATMA1 7.5300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn IPT015 MOSFET (금속 (() PG-HSOF-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 300A (TC) 6V, 10V 1.5mohm @ 150a, 10V 3.8V @ 250µA 211 NC @ 10 v ± 20V 16000 pf @ 50 v - 375W (TC)
IPB80N06S2L09ATMA2 Infineon Technologies IPB80N06S2L09ATMA2 -
RFQ
ECAD 4224 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 80A (TC) 4.5V, 10V 8.2MOHM @ 52A, 10V 2V @ 125µA 105 NC @ 10 v ± 20V 2620 pf @ 25 v - 190W (TC)
BUZ73HXKSA1 Infineon Technologies BUZ73HXKSA1 -
RFQ
ECAD 9624 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 200 v 7A (TC) 10V 400mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 530 pf @ 25 v - 40W (TC)
IRL1004STRLPBF Infineon Technologies IRL1004STRLPBF -
RFQ
ECAD 3201 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRL1004 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 130A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 78a, 10V 1V @ 250µA 100 nc @ 4.5 v ± 16V 5330 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
SPD100N03S2L-04 Infineon Technologies SPD100N03S2L-04 -
RFQ
ECAD 7936 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-5, DPAK (4 리드 + 탭), TO-252AD SPD100N MOSFET (금속 (() PG-to252-5-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 50a, 10V 2V @ 100µa 89.7 NC @ 10 v ± 20V 3320 pf @ 25 v - 150W (TC)
IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies IPB017N10N5ATMA1 7.5700
RFQ
ECAD 855 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IPB017 MOSFET (금속 (() PG-to263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 180A (TC) 6V, 10V 1.7mohm @ 100a, 10V 3.8V @ 279µA 210 nc @ 10 v ± 20V 15600 pf @ 50 v - 375W (TC)
BSL211SPL6327 Infineon Technologies BSL211SPL6327 -
RFQ
ECAD 5573 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ -P 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() PG-TSOP6-6-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.7A (TA) 2.5V, 4.5V 67mohm @ 4.7a, 4.5v 1.2V @ 25µA 12.4 NC @ 4.5 v ± 12V 654 pf @ 15 v - 2W (TA)
IKA10N60T Infineon Technologies IKA10N60T 1.0000
RFQ
ECAD 5403 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 기준 30 w PG-to220-3-31 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 400V, 10A, 23ohm, 15V 115 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 11.7 a 30 a 2.05V @ 15V, 10A 160µJ (on), 270µJ (OFF) 62 NC 12ns/215ns
IPD95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies IPD95R1K2P7ATMA1 1.6400
RFQ
ECAD 2120 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD95R1 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 950 v 6A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.7a, 10V 3.5V @ 140µA 15 nc @ 10 v ± 20V 478 pf @ 400 v - 52W (TC)
IRFI4019H-117PXKMA1 Infineon Technologies IRFI4019H-117PXKMA1 2.9900
RFQ
ECAD 1269 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 5 팩, 형성 된 리드 IRFI4019 MOSFET (금속 (() 18W (TC) TO-220-5 Full-Pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 2 n 채널 (채널) 150V 8.7A (TC) 95mohm @ 5.2a, 10V 4.9V @ 50µA 20NC @ 10V 810pf @ 25v -
BFR380L3E6327XTMA1 Infineon Technologies BFR380L3E6327XTMA1 0.5400
RFQ
ECAD 3975 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 BFR380 380MW PG-TSLP-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 15,000 7.5dB ~ 16.5dB 9V 80ma NPN 90 @ 40MA, 3V 14GHz 0.5dB ~ 2.1db @ 1.8GHz
IPQC60T017S7XTMA1 Infineon Technologies IPQC60T017S7XTMA1 11.5917
RFQ
ECAD 2894 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-IPQC60T017S7XTMA1TR 750
BCW60B Infineon Technologies BCW60B 0.0400
RFQ
ECAD 4286 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 다운로드 적용 적용 수 할 귀 99 8541.21.0075 7,000 32 v 100 MA 20NA NPN 550MV @ 1.25ma, 50ma 180 @ 2MA, 5V 125MHz
IPW65R190CFDAFKSA1 Infineon Technologies IPW65R190CFDAFKSA1 -
RFQ
ECAD 9074 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW65R MOSFET (금속 (() PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 650 v 17.5A (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10V 4.5V @ 700µA 68 NC @ 10 v ± 20V 1850 pf @ 100 v - 151W (TC)
IKW40N120CH7XKSA1 Infineon Technologies IKW40N120CH7XKSA1 9.4200
RFQ
ECAD 4521 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IKW40N120 기준 330 w PG-to247-3-U06 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 - 120 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 82 a 160 a 2.15V @ 15V, 40A 1.69mj (on), 920µJ (OFF) 290 NC 36ns/336ns
SPU02N60C3 Infineon Technologies spu02n60c3 -
RFQ
ECAD 4846 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() PG-251-3-21 다운로드 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 600 v 1.8A (TC) 10V 3ohm @ 1.1a, 10V 3.9V @ 80µA 12.5 nc @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - 25W (TC)
AUIRLU3114Z-701TRL Infineon Technologies auirlu3114z-701trl 1.0800
RFQ
ECAD 39 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-auirlu3114Z-701trl-448 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 42A (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 42a, 10V 2.5V @ 100µa 56 NC @ 4.5 v ± 16V 3810 pf @ 25 v - 140W (TC)
IPD12CN10NGBUMA1 Infineon Technologies IPD12CN10NGBUMA1 -
RFQ
ECAD 7244 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD12C MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 67A (TC) 10V 12.4mohm @ 67a, 10V 4V @ 83µA 65 nc @ 10 v ± 20V 4320 pf @ 50 v - 125W (TC)
IRF6811STRPBF-INF Infineon Technologies irf6811strpbf-inf 0.6400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 DirectFet® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq MOSFET (금속 (() DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 225 n 채널 25 v 19A (TA), 74A (TC) 3.7mohm @ 19a, 10V 2.1V @ 35µA 17 NC @ 4.5 v ± 16V 1590 pf @ 13 v - 2.1W (TA), 32W (TC)
IRFH7110TRPBF Infineon Technologies irfh7110trpbf -
RFQ
ECAD 1628 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-tqfn n 패드 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 100 v 11A (TA), 58A (TC) 10V 13.5mohm @ 35a, 10V 4V @ 100µa 87 NC @ 10 v ± 20V 3240 pf @ 25 v - 3.6W (TA), 104W (TC)
IRLR2905TRL Infineon Technologies irlr2905trl -
RFQ
ECAD 4276 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 = 94-4222 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 42A (TC) 4V, 10V 27mohm @ 25a, 10V 2V @ 250µA 48 NC @ 5 v ± 16V 1700 pf @ 25 v - 110W (TC)
IPI80N06S4L07AKSA1 Infineon Technologies IPI80N06S4L07AKSA1 -
RFQ
ECAD 5364 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI80N MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 80A (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 80a, 10V 2.2V @ 40µA 75 NC @ 10 v ± 16V 5680 pf @ 25 v - 79W (TC)
IRF7700GTRPBF Infineon Technologies IRF7700GTRPBF -
RFQ
ECAD 4838 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 20 v 8.6A (TA) 2.5V, 4.5V 15mohm @ 8.6a, 4.5v 1.2V @ 250µA 89 NC @ 5 v ± 12V 4300 pf @ 15 v - 1.5W (TA)
IPD10N03LA G Infineon Technologies IPD10N03LA g -
RFQ
ECAD 8920 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD10N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 30A (TC) 4.5V, 10V 10.4mohm @ 30a, 10V 2V @ 20µA 11 NC @ 5 v ± 20V 1358 pf @ 15 v - 52W (TC)
IRF7507TRPBF Infineon Technologies IRF7507TRPBF 0.8900
RFQ
ECAD 134 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) IRF7507 MOSFET (금속 (() 1.25W Micro8 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 및 p 채널 20V 2.4a, 1.7a 140mohm @ 1.7a, 4.5v 700MV @ 250µA 8NC @ 4.5V 260pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRLZ24NS Infineon Technologies IRLZ24NS -
RFQ
ECAD 9673 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLZ24NS 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 18A (TC) 4V, 10V 60mohm @ 11a, 10V 2V @ 250µA 15 nc @ 5 v ± 16V 480 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 45W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고