SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IRF7101TRPBF Infineon Technologies IRF7101TRPBF -
RFQ
ECAD 1798 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF71 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 3.5a 100mohm @ 1.8a, 10V 3V @ 250µA 15NC @ 10V 320pf @ 15V 논리 논리 게이트
BC 857BF E6327 Infineon Technologies BC 857BF E6327 -
RFQ
ECAD 2076 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 BC 857 250 MW PG-TSFP-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 250MHz
IMT65R083M1HXTMA1 Infineon Technologies IMT65R083M1HXTMA1 -
RFQ
ECAD 8467 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 IMT65R - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 2,000
IRF1310NSPBF Infineon Technologies IRF1310NSPBF -
RFQ
ECAD 7729 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 42A (TC) 10V 36mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 160W (TC)
IRLHS6376TR2PBF Infineon Technologies irlhs6376tr2pbf -
RFQ
ECAD 8999 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 6-vdfn d 패드 IRLHS6376 MOSFET (금속 (() 1.5W 6-pqfn (2x2) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 2 n 채널 (채널) 30V 3.6a 63mohm @ 3.4a, 4.5v 1.1V @ 10µA 2.8nc @ 4.5v 270pf @ 25V 논리 논리 게이트
SISC262SN06LX6SA1 Infineon Technologies SISC262SN06LX6SA1 -
RFQ
ECAD 7103 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 마지막으로 마지막으로 SISC262 - 1
IPB180P04P403ATMA2 Infineon Technologies IPB180P04P403ATMA2 4.9600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos®-P2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IPB180 MOSFET (금속 (() PG-to263-7-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 40 v 180A (TC) 2.8mohm @ 100a, 10V 4V @ 410µA 250 nc @ 10 v ± 20V 17640 pf @ 25 v - 150W (TC)
F3L300R12MT4PB23BPSA1 Infineon Technologies F3L300R12MT4PB23BPSA1 288.6967
RFQ
ECAD 7331 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 F3L300 20 MW 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 반 반 트렌치 트렌치 정지 1200 v 300 a 2.1V @ 15V, 300A 1 MA 19 nf @ 25 v
BCR 151T E6327 Infineon Technologies BCR 151T E6327 -
RFQ
ECAD 5651 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-75, SOT-416 BCR 151 250 MW PG-SC75-3D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 50 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 5MA, 5V 120MHz 100 KOHMS 100 KOHMS
AUIRG4BC30S-S Infineon Technologies auirg4bc30s-s -
RFQ
ECAD 8682 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB auirg4 기준 100 W. D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001511470 귀 99 8541.29.0095 1,000 480V, 18A, 23OHM, 15V - 600 v 34 a 68 a 1.6V @ 15V, 18A 260µJ (on), 3.45mj (OFF) 50 NC 22ns/540ns
BCR129WH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR129WH6327XTSA1 0.0553
RFQ
ECAD 7919 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 SC-70, SOT-323 BCR129 250 MW PG-SOT323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 120 @ 5MA, 5V 150MHz 10 KOHMS
IPB16CN10N G Infineon Technologies IPB16CN10N g -
RFQ
ECAD 9766 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB16C MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 53A (TC) 10V 16.5mohm @ 53a, 10V 4V @ 61µA 48 NC @ 10 v ± 20V 3220 pf @ 50 v - 100W (TC)
IRFB3507PBF Infineon Technologies IRFB3507pbf -
RFQ
ECAD 3738 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 97A (TC) 10V 8.8mohm @ 58a, 10V 4V @ 100µa 130 NC @ 10 v ± 20V 3540 pf @ 50 v - 190W (TC)
IRF7101PBF Infineon Technologies IRF7101PBF -
RFQ
ECAD 8716 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF71 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001559728 귀 99 8541.29.0095 95 2 n 채널 (채널) 20V 3.5a 100mohm @ 1.8a, 10V 3V @ 250µA 15NC @ 10V 320pf @ 15V 논리 논리 게이트
BC 818-40 E6327 Infineon Technologies BC 818-40 E6327 -
RFQ
ECAD 9397 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC 818 330 MW PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 25 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 170MHz
IPS65R400CEAKMA1 Infineon Technologies IPS65R400CEAKMA1 -
RFQ
ECAD 8110 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPS65R400 MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 650 v 15.1A (TC) 10V 400mohm @ 3.2435a, 10V 3.5V @ 320µA 39 NC @ 10 v ± 20V 710 pf @ 100 v - 118W (TC)
IRGC100B120KB Infineon Technologies IRGC100B120KB -
RFQ
ECAD 6397 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 - 표면 표면 주사위 IRGC100 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 - NPT 1200 v 100 a 2.6V @ 15V, 100A - -
IPC60R099C6X1SA1 Infineon Technologies IPC60R099C6X1SA1 -
RFQ
ECAD 3960 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 IPC60 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000745326 0000.00.0000 1 -
BSS139H6906XTSA1 Infineon Technologies BSS139H6906XTSA1 -
RFQ
ECAD 9183 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS139 MOSFET (금속 (() PG-SOT23-3-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 250 v 100MA (TA) 0V, 10V 14ohm @ 100ma, 10V 1V @ 56µA 3.5 nc @ 5 v ± 20V 76 pf @ 25 v 고갈 고갈 360MW (TA)
BSP135 E6906 Infineon Technologies BSP135 E6906 -
RFQ
ECAD 7991 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 120MA (TA) 0V, 10V 45ohm @ 120ma, 10V 1V @ 94µA 4.9 NC @ 5 v ± 20V 146 pf @ 25 v 고갈 고갈 1.8W (TA)
BSL314PEL6327HTSA1 Infineon Technologies BSL314PEL6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 9799 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 BSL314 MOSFET (금속 (() 500MW PG-TSOP6-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 1.5A 140mohm @ 1.5a, 10V 2V @ 6.3µA 2.9NC @ 10V 294pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRFZ46NL Infineon Technologies IRFZ46NL -
RFQ
ECAD 4731 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFZ46NL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 53A (TC) 10V 16.5mohm @ 28a, 10V 4V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 1696 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 107W (TC)
IRL3103D1STRLP Infineon Technologies irl3103d1strlp -
RFQ
ECAD 3296 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 64A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 34a, 10V 1V @ 250µA 43 NC @ 4.5 v ± 16V 1900 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 89W (TC)
FF450R12ME4B11BPSA1 Infineon Technologies FF450R12ME4B11BPSA1 -
RFQ
ECAD 9158 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF450R12 2250 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1200 v 675 a 2.1V @ 15V, 450A 3 MA 28 nf @ 25 v
SPB77N06S2-12 Infineon Technologies SPB77N06S2-12 -
RFQ
ECAD 3886 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SPB77N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 80A (TC) 10V 12mohm @ 38a, 10V 4V @ 93µA 60 nc @ 10 v ± 20V 2350 pf @ 25 v - 158W (TC)
IRFR3711ZTRPBF Infineon Technologies irfr3711ztrpbf 1.2800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR3711 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 20 v 93A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 15a, 10V 2.45V @ 250µA 27 NC @ 4.5 v ± 20V 2160 pf @ 10 v - 79W (TC)
IRFU220N Infineon Technologies irfu220n -
RFQ
ECAD 4069 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 200 v 5A (TC) 10V 600mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 43W (TC)
IPS118N10N G Infineon Technologies ips118n10n g -
RFQ
ECAD 4035 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() PG-to251-3-11 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 75A (TC) 10V 11.8mohm @ 75a, 10V 4V @ 83µA 65 nc @ 10 v ± 20V 4320 pf @ 50 v - 125W (TC)
BFG 196 E6327 Infineon Technologies BFG 196 E6327 -
RFQ
ECAD 9257 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BFG 196 800MW PG-SOT223-4 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 9db ~ 14.5dB 12V 150ma NPN 70 @ 50MA, 8V 7.5GHz 1.3dB ~ 2.3db @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRFIZ24NPBF Infineon Technologies irfiz24npbf 1.6100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 irfiz24 MOSFET (금속 (() TO-220AB Full-Pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 14A (TC) 10V 70mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 370 pf @ 25 v - 29W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고