SIC
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트랜지스터 (13833)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BUZ30A Infineon Technologies buz30a -
RFQ
 ECAD 3048 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 200 v 21A (TC) 10V 130mohm @ 13.5a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 1900 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRF7303QTRPBF Infineon Technologies IRF7303QTRPBF -
RFQ
 ECAD 8168 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF73 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 30V 4.9A 50mohm @ 2.4a, 10V 1V @ 250µA 25NC @ 10V 520pf @ 25V -
IPD65R950CFDATMA2 Infineon Technologies IPD65R950CFDATMA2 1.5000
RFQ
 ECAD 3342 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD65R950 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 3.9A (TC) 10V 950mohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 200µA 14.1 NC @ 10 v ± 20V 380 pf @ 100 v - 36.7W (TC)
IPP60R125P6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R125P6XKSA1 5.5000
RFQ
 ECAD 8774 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P6 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R125 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 30A (TC) 10V 125mohm @ 11.6a, 10V 4.5V @ 960µA 56 NC @ 10 v ± 20V 2660 pf @ 100 v - 219W (TC)
IRFR9024NTRL Infineon Technologies irfr9024ntrl -
RFQ
 ECAD 2452 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9024 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 55 v 11A (TC) 10V 175mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 38W (TC)
FS400R07A1E3BOSA1 Infineon Technologies FS400R07A1E3BOSA1 -
RFQ
 ECAD 6378 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 기준 기준 1250 w 기준 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4 3 단계 인버터 - 650 v 500 a 1.9V @ 15V, 400A 1 MA 예 26 NF @ 25 v
IRFR4104TRLPBF Infineon Technologies irfr4104trlpbf 0.8134
RFQ
 ECAD 7377 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR4104 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001555120 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 42A (TC) 10V 5.5mohm @ 42a, 10V 4V @ 250µA 89 NC @ 10 v ± 20V 2950 pf @ 25 v - 140W (TC)
IRLU3410PBF Infineon Technologies irlu3410pbf 1.3200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA irlu3410 MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 17A (TC) 4V, 10V 10A @ 10A, 10V 2V @ 250µA 34 NC @ 5 v ± 16V 800 pf @ 25 v - 79W (TC)
IRG4BC30KD-STRR Infineon Technologies irg4bc30kd-strr -
RFQ
 ECAD 9220 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 100 W. D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 480V, 16A, 23OHM, 15V 42 ns - 600 v 28 a 58 a 2.7V @ 15V, 16A 600µJ (on), 580µJ (OFF) 67 NC 60ns/160ns
IRF530NPBF Infineon Technologies IRF530NPBF 1.2100
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF530 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 17A (TC) 10V 90mohm @ 9a, 10V 4V @ 250µA 37 NC @ 10 v ± 20V 920 pf @ 25 v - 70W (TC)
IRF60R217 Infineon Technologies IRF60R217 1.3500
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRF60R217 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 58A (TC) 6V, 10V 9.9mohm @ 35a, 10V 3.7V @ 50µA 66 NC @ 10 v ± 20V 2170 pf @ 25 v - 83W (TC)
AUXHKGP4062D-E Infineon Technologies auxhkgp4062d-e -
RFQ
 ECAD 5077 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 auxhkgp4062 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
BSZ065N06LS5ATMA1 Infineon Technologies BSZ065N06LS5ATMA1 1.4100
RFQ
 ECAD 6141 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ065 MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8-FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 40A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 20µA 13 nc @ 4.5 v ± 20V 1800 pf @ 30 v 기준 46W (TC)
IRFL024NTR Infineon Technologies irfl024ntr -
RFQ
 ECAD 7818 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 2.8A (TA) 10V 75mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 18.3 NC @ 10 v ± 20V 400 pf @ 25 v - 1W (TA)
IGO60R070D1AUMA1 Infineon Technologies IGO60R070D1AUMA1 -
RFQ
 ECAD 7578 0.00000000 인피온 인피온 Coolgan ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 20-Powersoic (0.433 ", 11.00mm 너비) IGO60R070 Ganfet ((갈륨) PG-DSO-20-85 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 31A (TC) - - 1.6V @ 2.6ma -10V 380 pf @ 400 v - 125W (TC)
BSD316SNL6327XT Infineon Technologies BSD316SNL6327XT 0.2200
RFQ
 ECAD 732 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (금속 (() PG-SOT363-PO 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.4A (TA) 4.5V, 10V 160mohm @ 1.4a, 10V 2V @ 3.7µA 0.6 nc @ 5 v ± 20V 94 pf @ 15 v - 500MW (TA)
AUIRFP4568-E Infineon Technologies AUIRFP4568-E 11.4300
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 AUIRFP4568 MOSFET (금속 (() TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001521012 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 150 v 171A (TC) 10V 5.9mohm @ 103a, 10V 5V @ 250µA 227 NC @ 10 v ± 30V 10470 pf @ 50 v - 517W (TC)
BC856SH6327XTSA1 Infineon Technologies BC856SH6327XTSA1 0.0824
RFQ
 ECAD 2291 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC856 250MW PG-SOT363-PO 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 650MV @ 5MA, 100MA 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IPI70R950CEXKSA1 Infineon Technologies IPI70R950CEXKSA1 -
RFQ
 ECAD 7848 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI70R950 MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 700 v 7.4A (TC) 10V 950mohm @ 1.5a, 10V 3.5V @ 150µA 15.3 NC @ 10 v ± 20V 328 pf @ 100 v - 68W (TC)
IPW60R230P6FKSA1 Infineon Technologies IPW60R230P6FKSA1 -
RFQ
 ECAD 7017 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P6 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW60R MOSFET (금속 (() PG-to247-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 600 v 16.8A (TC) 10V 230mohm @ 6.4a, 10V 4.5V @ 530µA 31 NC @ 10 v ± 20V 1450 pf @ 100 v - 126W (TC)
SPB80N03S2L-06 Infineon Technologies SPB80N03S2L-06 -
RFQ
 ECAD 3337 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 5.9mohm @ 80a, 10V 2V @ 80µa 68 NC @ 10 v ± 20V 2530 pf @ 25 v - 150W (TC)
IRF7509TRPBF Infineon Technologies IRF7509TRPBF 0.8800
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) IRF7509 MOSFET (금속 (() 1.25W Micro8 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 및 p 채널 30V 2.7a, 2a 110mohm @ 1.7a, 10V 1V @ 250µA 12NC @ 10V 210pf @ 25V 논리 논리 게이트
IRFH5255TR2PBF Infineon Technologies IRFH5255TR2PBF -
RFQ
 ECAD 9564 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 25 v 15A (TA), 51A (TC) 6MOHM @ 15A, 10V 2.35V @ 25µA 14.5 nc @ 10 v 988 pf @ 13 v -
IRLR024NTRL Infineon Technologies irlr024ntrl -
RFQ
 ECAD 1847 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 = 94-2360 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 17A (TC) 4V, 10V 65mohm @ 10a, 10V 2V @ 250µA 15 nc @ 5 v ± 16V 480 pf @ 25 v - 45W (TC)
AUIRFS8405TRL Infineon Technologies auirfs8405trl -
RFQ
 ECAD 8047 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB AUIRFS8405 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 2.3mohm @ 100a, 10V 3.9V @ 100µA 161 NC @ 10 v ± 20V 5193 pf @ 25 v - 163W (TC)
IPB065N03LGATMA1 Infineon Technologies IPB065N03LGATMA1 -
RFQ
 ECAD 4762 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB065N MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 15 v - 56W (TC)
IPB012N04NF2SATMA1 Infineon Technologies IPB012N04NF2SATMA1 3.0100
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB012 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 41A (TA), 197a (TC) 6V, 10V 1.25mohm @ 100a, 10V 3.4V @ 189µA 239 NC @ 10 v ± 20V 11300 pf @ 20 v - 3.8W (TA), 250W (TC)
IRF7471TRPBF Infineon Technologies IRF7471TRPBF -
RFQ
 ECAD 8653 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 40 v 10A (TA) 4.5V, 10V 13mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 32 NC @ 4.5 v ± 20V 2820 pf @ 20 v - 2.5W (TA)
IRFH5306TRPBF Infineon Technologies irfh5306trpbf -
RFQ
 ECAD 2730 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() pqfn (5x6) 단일 다이 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001556452 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 15A (TA), 44A (TC) 4.5V, 10V 8.1mohm @ 15a, 10V 2.35V @ 25µA 12 nc @ 4.5 v ± 20V 1125 pf @ 15 v - 3.6W (TA), 26W (TC)
IRL1004STRRPBF Infineon Technologies IRL1004STRRPBF -
RFQ
 ECAD 8175 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRL1004 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001568218 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 130A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 78a, 10V 1V @ 250µA 100 nc @ 4.5 v ± 16V 5330 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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