- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
트랜지스터 (13833)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFS7434PBF | - |  | 6628 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001567780 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 6V, 10V | 1.6MOHM @ 100A, 10V | 3.9V @ 250µA | 324 NC @ 10 v | ± 20V | 10820 pf @ 25 v | - | 294W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | irlml2803trpbf | 0.5400 | | 317 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | IRLML2803 | MOSFET (금속 (() | Micro3 ™/SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 1.2A (TA) | 4.5V, 10V | 250mohm @ 910ma, 10V | 1V @ 250µA | 5 nc @ 10 v | ± 20V | 85 pf @ 25 v | - | 540MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | FP150R07N3E4B11BOSA1 | 233.8180 | | 3007 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FP150R07 | 430 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 150 a | 1.95V @ 15V, 150A | 1 MA | 예 | 9.3 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BSL214NL6327 | - | | 2749 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | BSL214 | MOSFET (금속 (() | 500MW | PG-TSOP6-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 1.5A | 140mohm @ 1.5a, 4.5v | 1.2V @ 3.7µA | 0.8NC @ 5V | 143pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BCR 108T E6327 | - | | 8219 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | BCR 108 | 250 MW | PG-SC-75 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 70 @ 5MA, 5V | 170 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | PTFA181001GL V1 R250 | - | | 3564 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | 2- 플랫 팩, 핀 리드 | PTFA181001 | 1.88GHz | LDMOS | PG-63248-2 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | 1µA | 750 MA | 100W | 16.5dB | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPB320P10LMATMA1 | 5.8200 | | 990 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB320P | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 100 v | 6.5A (TA), 63A (TC) | 4.5V, 10V | 32mohm @ 54a, 10V | 2V @ 5.55MA | 219 NC @ 10 v | ± 20V | 11000 pf @ 50 v | - | 3.8W (TA), 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRFBA1404P | - | | 8718 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-273AA | MOSFET (금속 (() | Super-220 ™ (TO-273AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFBA1404P | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 206A (TC) | 10V | 3.7mohm @ 95a, 10V | 4V @ 250µA | 200 nc @ 10 v | ± 20V | 7360 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPW90R500C3FKSA1 | - | | 4773 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IPW90R | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | n 채널 | 900 v | 11A (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 3.5V @ 740µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 1700 pf @ 100 v | - | 156W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | FB20R06W1E3B11HOMA1 | 40.6454 | | 4062 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EasyPIM ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FB20R06 | 94 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 24 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 29 a | 2V @ 15V, 20A | 1 MA | 예 | 1.1 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFU3303 | - | | 5953 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFU3303 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 33A (TC) | 10V | 31mohm @ 18a, 10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 20V | 750 pf @ 25 v | - | 57W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | BSC0993NDATMA1 | 1.7200 | | 100 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC0993 | MOSFET (금속 (() | PG-Tison-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 | 17A (TA) | 5mohm @ 7a, 10V | 2V @ 250µA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPSA70R2K0CEAKMA1 | - | | 8318 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IPSA70 | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 700 v | 4A (TC) | 10V | 2ohm @ 1a, 10V | 3.5V @ 70µA | 7.8 NC @ 10 v | ± 20V | 163 pf @ 100 v | - | 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | irlu3715pbf | - | | 9053 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *irlu3715pbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 20 v | 54A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 26a, 10V | 3V @ 250µA | 17 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1060 pf @ 10 v | - | 3.8W (TA), 71W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | SPI80N06S2-07 | - | | 7882 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | SPI80N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 55 v | 80A (TC) | 10V | 6.6MOHM @ 68A, 10V | 4V @ 180µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 4540 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | BSC032N03SG | - | | 3276 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 23A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3.2mohm @ 50a, 10V | 2V @ 70µA | 39 NC @ 5 v | ± 20V | 5080 pf @ 15 v | - | 2.8W (TA), 78W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | SPD30N03S2L07T | - | | 8442 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | spd30n | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000013749 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 6.7mohm @ 30a, 10V | 2V @ 85µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 2530 pf @ 25 v | - | 136W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRF9389pbf | - | | 2728 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF9389 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001555848 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 및 p 채널 | 30V | 6.8A, 4.6A | 27mohm @ 6.8a, 10V | 2.3V @ 10µA | 14NC @ 10V | 398pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||||
 | BCR166B6327HTLA1 | - | | 3969 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR166 | 200 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 30,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 70 @ 5MA, 5V | 160MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFZ44VZPBF | 1.9600 | | 526 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFZ44 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 57A (TC) | 10V | 12MOHM @ 34A, 10V | 4V @ 250µA | 65 nc @ 10 v | ± 20V | 1690 pf @ 25 v | - | 92W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| IPD50R500CEBTMA1 | - | | 8991 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CE | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD50R | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 500 v | 7.6A (TC) | 13V | 500mohm @ 2.3a, 13v | 3.5V @ 200µA | 18.7 NC @ 10 v | ± 20V | 433 PF @ 100 v | - | 57W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IMZA65R057M1HXKSA1 | 15.2400 | | 9499 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolsic ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | sicfet ((카바이드) | PG-to247-4-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 35A (TC) | 18V | 74mohm @ 16.7a, 18V | 5.7V @ 5MA | 28 nc @ 18 v | +20V, -2V | 930 pf @ 400 v | - | 133W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | ips10n03la g | - | | 2528 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | ips10n | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3-11 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 25 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 10.4mohm @ 30a, 10V | 2V @ 20µA | 11 NC @ 5 v | ± 20V | 1358 pf @ 15 v | - | 52W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| IPB107N20N3GATMA1 | 8.5600 | | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB107 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 200 v | 88A (TC) | 10V | 10.7mohm @ 88a, 10V | 4V @ 270µA | 87 NC @ 10 v | ± 20V | 7100 pf @ 100 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | AUIRFP064N | - | | 5507 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 55 v | 110A (TC) | 10V | 8mohm @ 59a, 10V | 4V @ 250µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 4000 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | IRF6711STPBF | - | | 2094 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq | IRF6711 | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ Sq | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001529154 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,800 | n 채널 | 25 v | 19A (TA), 84A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 19a, 10V | 2.35V @ 25µA | 20 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1810 pf @ 13 v | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | FS200R07A02E3S6BKSA2 | - | | 7400 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS200R07 | 694 w | 기준 | PG-MDIP-28 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 12 | 3 단계 | 트렌치 트렌치 정지 | 700 v | 200a | 2.25V @ 15V, 200a | 100 µa | 예 | 13.5 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IPZ65R045C7XKSA1 | 14.9500 | | 5351 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ C7 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | IPZ65R045 | MOSFET (금속 (() | PG-to247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 46A (TC) | 10V | 45mohm @ 24.9a, 10V | 4V @ 1.25MA | 93 NC @ 10 v | ± 20V | 4340 pf @ 400 v | - | 227W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| IRF3707STRRPBF | - | | 1870 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001564624 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 62A (TC) | 4.5V, 10V | 12.5mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 19 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1990 pf @ 15 v | - | 87W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| AUIRF3007 | - | | 6704 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001522102 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 75 v | 75A (TC) | 10V | 12.6MOHM @ 48A, 10V | 4V @ 250µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 3270 pf @ 25 v | - | 200W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)