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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | irlr2905trl | - | ![]() | 4276 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | = 94-4222 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 55 v | 42A (TC) | 4V, 10V | 27mohm @ 25a, 10V | 2V @ 250µA | 48 NC @ 5 v | ± 16V | 1700 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFI4410ZGPBF | - | ![]() | 5784 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB Full-Pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001572644 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 43A (TC) | 10V | 9.3mohm @ 26a, 10V | 4V @ 150µA | 110 NC @ 10 v | ± 30V | 4910 pf @ 50 v | - | 47W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR2905ZPBF | - | ![]() | 9268 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 55 v | 42A (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 36a, 10V | 3V @ 250µA | 35 NC @ 5 v | ± 16V | 1570 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFZ44ESPBF | - | ![]() | 4128 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 48A (TC) | 10V | 23mohm @ 29a, 10V | 4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 1360 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SPA15N65C3 | 2.4000 | ![]() | 113 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-31 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 650 v | 15A (TC) | 10V | 280mohm @ 9.4a, 10V | 3.9V @ 675µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1600 pf @ 25 v | - | 34W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR3715PBF | - | ![]() | 9242 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRLR3715PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 20 v | 54A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 26a, 10V | 3V @ 250µA | 17 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1060 pf @ 10 v | - | 3.8W (TA), 71W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS4115-7PPBF | - | ![]() | 6891 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001567554 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 150 v | 105A (TC) | 10V | 11.8mohm @ 63a, 10V | 5V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 5320 pf @ 50 v | - | 380W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FD1600/1200R17KF6C_B2 | - | ![]() | 6199 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EconoPack ™ 2 | 대부분 | 활동적인 | FD1600 | - | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | SP000100589 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IAUC60N04S6L030HATMA1 | 2.5900 | ![]() | 8592 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | IAUC60 | MOSFET (금속 (() | 75W (TC) | PG-TDSON-8-56 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 (채널 교량) | 40V | 60A (TJ) | 3MOHM @ 30A, 10V | 2V @ 25µA | 35NC @ 10V | 2128pf @ 25v | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX52H6327XTSA1 | 0.1920 | ![]() | 7645 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | BCX52 | 2 w | PG-SOT89 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50ma, 500ma | 40 @ 150ma, 2v | 125MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847BE6327HTSA1 | 0.3200 | ![]() | 82 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC847 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR3714ZTRLPBF | - | ![]() | 5834 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001568510 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 6,000 | n 채널 | 20 v | 37A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 15a, 10V | 2.55V @ 250µA | 7.1 NC @ 4.5 v | ± 20V | 560 pf @ 10 v | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FF400R12KT4PBOSA1 | 133.3300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-FF400R12KT4PBOSA1-448 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SP001617974 | - | ![]() | 2087 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | CoolMOS ™ CFD7 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-123 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 600 v | 14A (TC) | 10V | 170mohm @ 6a, 10V | 4.5V @ 300µA | 28 nc @ 10 v | ± 20V | 1199 pf @ 400 v | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFP193WH6327XTSA1 | 0.5000 | ![]() | 53 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-82A, SOT-343 | BFP193 | 580MW | PG-SOT343-3D | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 13.5dB ~ 20.5dB | 12V | 80ma | NPN | 70 @ 30MA, 8V | 8GHz | 1db ~ 1.6db @ 900MHz ~ 1.8GHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6215STRR | - | ![]() | 1411 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 150 v | 13A (TC) | 10V | 290mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 66 NC @ 10 v | ± 20V | 860 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
IPI029N06NAKSA1 | 2.3300 | ![]() | 71 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI029 | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 24A (TA), 100A (TC) | 6V, 10V | 2.9mohm @ 100a, 10V | 2.8V @ 75µA | 56 NC @ 10 v | ± 20V | 4100 pf @ 30 v | - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW 67A E6327 | - | ![]() | 5189 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCW 67 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 32 v | 800 MA | 20NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 100ma, 1V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847C-B5000 | 0.0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 15,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR523UE6327 | 0.1400 | ![]() | 7078 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | BCR523 | 330MW | PG-SC74-6-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,550 | 50V | 500ma | 100NA (ICBO) | 2 npn--바이어스 (듀얼) | 300mv @ 2.5ma, 50ma | 70 @ 5MA, 5V | 100MHz | 1kohms | 10kohms | |||||||||||||||||||||||||||
IPI80N06S4L07AKSA1 | - | ![]() | 5364 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI80N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 60 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 6.7mohm @ 80a, 10V | 2.2V @ 40µA | 75 NC @ 10 v | ± 16V | 5680 pf @ 25 v | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | irfhm9331trpbf | 0.8300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | IRFHM9331 | MOSFET (금속 (() | PQFN (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 30 v | 11A (TA), 24A (TC) | 10V, 20V | 10mohm @ 11a, 20V | 2.4V @ 25µA | 48 NC @ 10 v | ± 25V | 1543 pf @ 25 v | - | 2.8W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS87E6327 | - | ![]() | 8048 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | MOSFET (금속 (() | PG-SOT89-4-2 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 240 v | 260MA (TA) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 260ma, 10V | 1.8V @ 108µA | 5.5 nc @ 10 v | ± 20V | 97 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SP000797630 | - | ![]() | 6270 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos E6 ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | - | 2156-SP000797630 | 1 | n 채널 | 600 v | 7.3A (TC) | 10V | 600mohm @ 2.4a, 10V | 3.5V @ 200µA | 20.5 nc @ 10 v | ± 20V | 440 pf @ 100 v | - | 63W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPT015N10N5ATMA1 | 7.5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-Powersfn | IPT015 | MOSFET (금속 (() | PG-HSOF-8-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 300A (TC) | 6V, 10V | 1.5mohm @ 150a, 10V | 3.8V @ 250µA | 211 NC @ 10 v | ± 20V | 16000 pf @ 50 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BC 818-25 E6327 | - | ![]() | 4154 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC 818 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 25 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50ma, 500ma | 160 @ 100MA, 1V | 170MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irfhm3911trpbf | 0.8800 | ![]() | 35 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | IRFHM3911 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 100 v | 3.2A (TA), 20A (TC) | 10V | 115mohm @ 6.3a, 10V | 4V @ 35µA | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 760 pf @ 50 v | - | 2.8W (TA), 29W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SIGC25T60NCX7SA1 | - | ![]() | 8168 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | SIGC25 | 기준 | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 1 | 300V, 30A, 8.2OHM, 15V | NPT | 600 v | 30 a | 90 a | 2.5V @ 15V, 30A | - | 21ns/110ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP100R12N3T7B16BPSA1 | 268.0600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | - | - | - | FP100R12 | 3 정류기 정류기 브리지 | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 100 a | - | 예 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPB42N03S2L-13 | 0.5600 | ![]() | 164 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB42N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 42A (TC) | 4.5V, 10V | 12.6MOHM @ 21A, 10V | 2V @ 37µA | 30.5 nc @ 10 v | ± 20V | 1130 pf @ 25 v | - | 83W (TC) |
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