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트랜지스터 (13833)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | irfsl7437trlpbf | - |  | 1293 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001567740 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 6V, 10V | 1.8mohm @ 100a, 10V | 3.9V @ 150µA | 225 NC @ 10 v | ± 20V | 7330 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | |||||||||||||||
 | IRF3711ZS | - | | 5588 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF3711ZS | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 20 v | 92A (TC) | 4.5V, 10V | 6MOHM @ 15A, 10V | 2.45V @ 250µA | 24 nc @ 4.5 v | ± 20V | 2150 pf @ 10 v | - | 79W (TC) | ||||||||||||||
 | IRF3707ZPBF | - | | 2786 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 59A (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 21a, 10V | 2.25V @ 25µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1210 pf @ 15 v | - | 57W (TC) | ||||||||||||||||
 | IRFS4115-7PPBF | - | | 6891 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001567554 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 150 v | 105A (TC) | 10V | 11.8mohm @ 63a, 10V | 5V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 5320 pf @ 50 v | - | 380W (TC) | ||||||||||||||
 | IRG4P254S | - | | 8710 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 가방 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 200 w | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRG4P254S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 200V, 55A, 5ohm, 15V | - | 250 v | 98 a | 196 a | 1.5V @ 15V, 55A | 380µJ (on), 3.5mj (OFF) | 200 NC | 40ns/270ns | |||||||||||||||
 | IPA126N10N3GXKSA1 | - | | 1029 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | PG-to220 20 팩 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 100 v | 35A (TC) | 6V, 10V | 12.6MOHM @ 35A, 10V | 3.5V @ 45µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 2500 pf @ 50 v | - | 33W (TC) | |||||||||||||||
| IPB06N03LA | - | | 8618 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB06N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 25 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 5.9mohm @ 30a, 10V | 2V @ 40µA | 22 nc @ 5 v | ± 20V | 2653 pf @ 15 v | - | 83W (TC) | ||||||||||||||
 | SN7002N E6327 | - | | 2267 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SN7002N | MOSFET (금속 (() | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 200MA (TA) | 4.5V, 10V | 5ohm @ 500ma, 10V | 1.8V @ 26µA | 1.5 nc @ 10 v | ± 20V | 45 pf @ 25 v | - | 360MW (TA) | |||||||||||||||
 | IRF7201TRPBF | 0.9200 | | 1638 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF7201 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 7.3A (TC) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 7.3a, 10V | 1V @ 250µA | 28 nc @ 10 v | ± 20V | 550 pf @ 25 v | - | 2.5W (TC) | ||||||||||||||
 | IPI80N04S403AKSA1 | 2.4800 | | 4516 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI80N04 | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 40 v | 80A (TC) | 10V | 3.7mohm @ 80a, 10V | 4V @ 53µA | 66 NC @ 10 v | ± 20V | 5260 pf @ 25 v | - | 94W (TC) | ||||||||||||||
| IRF530NSTRRPBF | - | | 1377 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001554040 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 17A (TC) | 10V | 90mohm @ 9a, 10V | 4V @ 250µA | 37 NC @ 10 v | ± 20V | 920 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 70W (TC) | ||||||||||||||
 | IKW08T120FKSA1 | 3.9300 | | 40 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop® | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IKW08T120 | 기준 | 70 W. | PG-to247-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 8A, 81OHM, 15V | 80 ns | npt, 필드 트렌치 중지 | 1200 v | 16 a | 24 a | 2.2V @ 15V, 8A | 1.37mj | 53 NC | 40ns/450ns | ||||||||||||||
 | BSC0503NSITMA1 | 1.2600 | | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC0503 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 22A (TA), 88A (TC) | 4.5V, 10V | 3MOHM @ 30A, 10V | 2V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 36W (TC) | ||||||||||||||
| SPW12N50C3FKSA1 | - | | 7112 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SPW12N | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | n 채널 | 560 v | 11.6A (TC) | 10V | 380mohm @ 7a, 10V | 3.9V @ 500µA | 49 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||||||||||||
 | 64-9145 | - | | 9243 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 MX | IRF6620 | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ MX | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,800 | n 채널 | 20 v | 27A (TA), 150A (TC) | 4.5V, 10V | 2.7mohm @ 27a, 10V | 2.45V @ 250µA | 42 NC @ 4.5 v | ± 20V | 4130 pf @ 10 v | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | ||||||||||||||
 | IRLR7833TRLPBF | 0.5061 | | 4340 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR7833 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001573976 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 140A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 15a, 10V | 2.3V @ 250µA | 50 nc @ 4.5 v | ± 20V | 4010 pf @ 15 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||
 | IRFH7934TRPBF | 0.6561 | | 6322 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | IRFH7934 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 24A (TA), 76A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 24a, 10V | 2.35V @ 50µA | 30 nc @ 4.5 v | ± 20V | 3100 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) | ||||||||||||||
| IRF3704ZCSTRRP | - | | 5525 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 20 v | 67A (TC) | 4.5V, 10V | 7.9mohm @ 21a, 10V | 2.55V @ 250µA | 13 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1220 pf @ 10 v | - | 57W (TC) | ||||||||||||||||
| IPD50R950CEATMA1 | - | | 3831 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CE | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD50R | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 500 v | 4.3A (TC) | 13V | 950mohm @ 1.2a, 13v | 3.5V @ 100µA | 10.5 nc @ 10 v | ± 20V | 231 pf @ 100 v | - | 53W (TC) | ||||||||||||||
 | BSP298H6327XUSA1 | - | | 2991 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 400 v | 500MA (TA) | 10V | 3ohm @ 500ma, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 400 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA) | ||||||||||||||||
| IRFR3103 | - | | 6525 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFR3103 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 400 v | 1.7A (TA) | 10V | 3.6ohm @ 1a, 10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 170 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||||||||||||
 | IPAW60R360P7SE8228XKSA1 | 0.8421 | | 5713 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P7 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPAW60 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-FP | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 450 | n 채널 | 600 v | 9A (TC) | 10V | 360mohm @ 2.7a, 10V | 4V @ 140µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | 555 pf @ 400 v | - | 22W (TC) | ||||||||||||||
| IRLR3714ZTRLPBF | - | | 5834 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001568510 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 6,000 | n 채널 | 20 v | 37A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 15a, 10V | 2.55V @ 250µA | 7.1 NC @ 4.5 v | ± 20V | 560 pf @ 10 v | - | 35W (TC) | |||||||||||||||
| IPB65R190CFDATMA2 | 3.8600 | | 3874 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | CoolMOS ™ CFD2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB65R190 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 17.5A (TC) | 10V | 190mohm @ 7.3a, 10V | 4.5V @ 700µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 1850 pf @ 100 v | - | 151W (TC) | ||||||||||||||
 | irlhs6342trpbf | 0.6100 | | 133 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powervdfn | IRLHS6342 | MOSFET (금속 (() | 6-pqfn (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 8.7A (TA), 19A (TC) | 2.5V, 4.5V | 15.5mohm @ 8.5a, 4.5v | 1.1V @ 10µA | 11 NC @ 4.5 v | ± 12V | 1019 pf @ 25 v | - | 2.1W (TA) | ||||||||||||||
| irlr2705tr | - | | 2287 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 55 v | 28A (TC) | 4V, 10V | 40mohm @ 17a, 10V | 2V @ 250µA | 25 nc @ 5 v | ± 16V | 880 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | |||||||||||||||
 | IPP60R280CFD7XKSA1 | 2.9000 | | 390 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | CoolMOS ™ CFD7 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP60R280 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 9A (TC) | 10V | 280mohm @ 3.6a, 10V | 4.5V @ 180µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 807 pf @ 400 v | - | 52W (TC) | ||||||||||||||
 | irlh5034trpbf | - | | 3562 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | IRLH5034 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 40 v | 29A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 50a, 10V | 2.5V @ 150µA | 82 NC @ 10 v | ± 16V | 4730 pf @ 25 v | - | 3.6W (TA), 156W (TC) | ||||||||||||||
| IPL60R1K5C6SATMA1 | 0.5266 | | 5286 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ C6 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | IPL60R1 | MOSFET (금속 (() | 8- 테인 팩 (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 600 v | 3A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.1a, 10V | 3.5V @ 90µA | 9.4 NC @ 10 v | ± 20V | 200 pf @ 100 v | - | 26.6W (TC) | ||||||||||||||
 | irli3803pbf | - | | 5141 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB Full-Pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 76A (TC) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 40a, 10V | 1V @ 250µA | 140 nc @ 4.5 v | ± 16V | 5000 pf @ 25 v | - | 63W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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