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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | IPD053N06N3GBTMA1 | - | ![]() | 2948 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD053N | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 90A (TC) | 10V | 5.3MOHM @ 90A, 10V | 4V @ 58µA | 82 NC @ 10 v | ± 20V | 6600 pf @ 30 v | - | 115W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SIPC26N60S5X1SA1 | - | ![]() | 5869 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000272382 | 귀 99 | 8541.29.0040 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 | 198.2300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | F3L11MR12 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 18 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPU60R1K0CEAKMA2 | 0.3733 | ![]() | 4643 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CE | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IPU60R1 | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 600 v | 4.3A (TC) | 10V | 1ohm @ 1.5a, 10V | 3.5V @ 130µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | 280 pf @ 100 v | - | 61W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ITS6035SEPKXUMA1 | 1.9865 | ![]() | 1342 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irf7477tr | - | ![]() | 5044 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 30 v | 14A (TA) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 14a, 10V | 2.5V @ 250µA | 38 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2710 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 94-3449 | - | ![]() | 7978 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF7342 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 p 채널 (채널) | 55V | 3.4a | 105mohm @ 3.4a, 10V | 1V @ 250µA | 38NC @ 10V | 690pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7457 | - | ![]() | 7643 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF7457 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 20 v | 15A (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 42 NC @ 4.5 v | ± 20V | 3100 pf @ 10 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 94-3250 | - | ![]() | 1865 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 MQ | IRF6604 | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ MQ | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,800 | n 채널 | 30 v | 12A (TA), 49A (TC) | 4.5V, 7V | 11.5mohm @ 12a, 7v | 2.1V @ 250µA | 26 NC @ 4.5 v | ± 12V | 2270 pf @ 15 v | - | 2.3W (TA), 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BC80716E6327 | 0.0300 | ![]() | 432 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23-3-11 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 100ma, 1V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPU60R950C6BKMA1 | - | ![]() | 7185 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IPU60R | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000931532 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 600 v | 4.4A (TC) | 10V | 950mohm @ 1.5a, 10V | 3.5V @ 130µA | 1.5 nc @ 10 v | ± 20V | 280 pf @ 100 v | - | 37W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FP10R06W1E3BOMA1 | 42.5500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EasyPIM ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FP10R06 | 68 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 24 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 16 a | 2V @ 15V, 10A | 1 MA | 예 | 550 pf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7946TRPBF | 2.7100 | ![]() | 8001 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 MX | IRF7946 | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ MX | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,800 | n 채널 | 40 v | 90A (TC) | 6V, 10V | 1.4mohm @ 90a, 10V | 3.9V @ 150µA | 212 NC @ 10 v | ± 20V | 6852 pf @ 25 v | - | 96W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 94-2436pbf | - | ![]() | 9779 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 튜브 | 활동적인 | 94-2436 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001522424 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGA30N60H3XKSA1 | - | ![]() | 7539 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IgA30 | 기준 | 43 W. | PG-to220-3-31 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | 400V, 30A, 10.5OHM, 15V | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 18 a | 120 a | 2.4V @ 15V, 30A | 1.17mj | 165 NC | 18NS/207NS | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGP02N60XKSA1 | - | ![]() | 7403 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SGP02N | 기준 | 30 w | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | 400V, 2A, 118ohm, 15V | NPT | 600 v | 6 a | 12 a | 2.4V @ 15V, 2A | 64µj | 14 NC | 20ns/259ns | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS200R12PT4 | - | ![]() | 1247 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Econopack ™ 4 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS200R12 | 1000 w | 기준 | Ag-Econo4 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 280 a | 2.15V @ 15V, 200a | 1 MA | 예 | 14 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRLR2908 | - | ![]() | 9120 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001518234 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 80 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 28mohm @ 23a, 10V | 2.5V @ 250µA | 33 NC @ 4.5 v | ± 16V | 1890 pf @ 25 v | - | 120W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BSZ0901NSATMA1 | 1.4900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSZ0901 | MOSFET (금속 (() | PG-TSDSON-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 22A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 2MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 2850 pf @ 15 v | - | 2.1W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6614TR1PBF | - | ![]() | 1533 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 st | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ st | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 40 v | 12.7A (TA), 55A (TC) | 4.5V, 10V | 8.3mohm @ 12.7a, 10V | 2.25V @ 250µA | 29 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2560 pf @ 20 v | - | 2.1W (TA), 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO4822T | - | ![]() | 7757 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | PG-DSO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 12.7A (TA) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 12.7a, 10V | 2V @ 55µA | 26.2 NC @ 5 v | ± 20V | 1640 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | buz32in | - | ![]() | 4933 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR3303PBF | - | ![]() | 4879 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001558428 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 525 | n 채널 | 30 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 31mohm @ 21a, 10V | 1V @ 250µA | 26 NC @ 4.5 v | ± 16V | 870 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | ipi11n60c3aaksa2 | - | ![]() | 7552 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 튜브 | 쓸모없는 | ipi11n | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB12CNE8N g | - | ![]() | 2963 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB12C | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 85 v | 67A (TC) | 10V | 12.9mohm @ 67a, 10V | 4V @ 83µA | 64 NC @ 10 v | ± 20V | 4340 pf @ 40 v | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BFP450 | 0.2200 | ![]() | 118 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,385 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | bcr10pnh6730xtma1 | - | ![]() | 7777 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 표면 표면 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCR10 | 250MW | PG-SOT363-PO | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50V | 100ma | - | 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) | 300MV @ 500µA, 10MA | 30 @ 5MA, 5V | 130MHz | 10kohms | 10kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | AIHD06N60RFATMA1 | - | ![]() | 8988 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AIHD06 | 기준 | 100 W. | PG-to252-3-313 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001346850 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400V, 6A, 23ohm, 15V | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 12 a | 18 a | 2.5V @ 15V, 6A | 90µJ (on), 90µJ (OFF) | 48 NC | 8ns/105ns | ||||||||||||||||||||||||
IPW60R180C7XKSA1 | 4.4800 | ![]() | 2080 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ C7 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IPW60R180 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 13A (TC) | 10V | 180mohm @ 5.3a, 10V | 4V @ 260µA | 24 nc @ 10 v | ± 20V | 1080 pf @ 400 v | - | 68W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6616TRPBF | - | ![]() | 9620 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 MX | IRF6616 | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ MX | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,800 | n 채널 | 40 v | 19A (TA), 106A (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 19a, 10V | 2.25V @ 250µA | 44 NC @ 4.5 v | ± 20V | 3765 pf @ 20 v | - | 2.8W (TA), 89W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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