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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
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![]() | IRGB4620DPBF | - | ![]() | 7138 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRGB4620 | 기준 | 140 W. | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 12a, 22ohm, 15V | 68 ns | - | 600 v | 32 a | 36 a | 1.85V @ 15V, 12A | 75µJ (on), 225µJ (OFF) | 25 NC | 31ns/83ns | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | irg4rc10udtrlp | - | ![]() | 2230 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRG4RC10 | 기준 | 38 w | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 480V, 5A, 100ohm, 15V | 28 ns | - | 600 v | 8.5 a | 34 a | 2.6V @ 15V, 5A | 140µJ (on), 120µJ (OFF) | 15 NC | 40ns/87ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR 169F E6327 | - | ![]() | 1181 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SOT-723 | BCR 169 | 250 MW | PG-TSFP-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 120 @ 5MA, 5V | 200MHz | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD80N04S3-06 | - | ![]() | 5255 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 40 v | 90A (TC) | 10V | 5.2mohm @ 80a, 10V | 4V @ 52µA | 47 NC @ 10 v | ± 20V | 3250 pf @ 25 v | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA60R360CFD7XKSA1 | 2.8900 | ![]() | 6323 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | CoolMOS ™ CFD7 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA60R360 | MOSFET (금속 (() | PG-to220 20 팩 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 650 v | 5A (TC) | 10V | 360mohm @ 2.9a, 10V | 4.5V @ 140µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 679 pf @ 400 v | - | 23W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
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![]() | spu21n05l | 1.0000 | ![]() | 4213 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | P-to251-3-1 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 55 v | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 14a, 10V | 2V @ 40µA | 36 nc @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 25 v | - | 55W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7477 | - | ![]() | 7629 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF7477 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 30 v | 14A (TA) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 14a, 10V | 2.5V @ 250µA | 38 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2710 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BTS132 | 4.3900 | ![]() | 232 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fz750R65KE3C1NOSA1 | 160.0000 | ![]() | 2792 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | Fz750R65 | 3000000 w | 기준 | A-IHV190-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 단일 단일 | 트렌치 트렌치 정지 | 6500 v | 750 a | 3.4V @ 15V, 750A | 5 MA | 아니요 | 205 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPI20N60C3HKSA1 | - | ![]() | 5824 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | spi20n | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000014453 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 20.7A (TC) | 10V | 190mohm @ 13.1a, 10V | 3.9V @ 1mA | 114 NC @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 208W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPS60R800CEAKMA1 | 0.4045 | ![]() | 5630 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IPS60R800 | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 600 v | 8.4A (TJ) | 10V | 800mohm @ 2a, 10V | 3.5V @ 170µA | 17.2 NC @ 10 v | ± 20V | 373 PF @ 100 v | - | 74W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
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![]() | IRG4BC30S-STRLP | - | ![]() | 9028 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRG4BC30 | 기준 | 100 W. | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | 480V, 18A, 23OHM, 15V | - | 600 v | 34 a | 68 a | 1.6V @ 15V, 18A | 260µJ (on), 3.45mj (OFF) | 50 NC | 22ns/540ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFR380FE6327 | 1.0000 | ![]() | 1968 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-723 | 380MW | PG-TSFP-3 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 9.5dB ~ 13.5dB | 9V | 80ma | NPN | 90 @ 40MA, 3V | 14GHz | 1.1db ~ 1.6db @ 1.8ghz ~ 3GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BFP169WH6740 | - | ![]() | 7639 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC011N03LSATMA1 | 1.8800 | ![]() | 58 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC011 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 37A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1.1MOHM @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 72 NC @ 10 v | ± 20V | 4700 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 96W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
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![]() | IPB65R115CFD7AATMA1 | 6.3200 | ![]() | 1136 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB65R | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 21A (TC) | 10V | 115mohm @ 9.7a, 10V | 4.5V @ 490µA | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 1950 pf @ 400 v | - | 114W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
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![]() | IRFS17N20DTRL | - | ![]() | 1478 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 16A (TC) | 10V | 170mohm @ 9.8a, 10V | 5.5V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 30V | 1100 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
IPW65R190CFDAFKSA1 | - | ![]() | 9074 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IPW65R | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | n 채널 | 650 v | 17.5A (TC) | 10V | 190mohm @ 7.3a, 10V | 4.5V @ 700µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 1850 pf @ 100 v | - | 151W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG5K75HF12A | - | ![]() | 1195 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 상자 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Powir® 34 4 | IRG5K75 | 540 W. | 기준 | Powir® 34 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001548080 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 20 | 반 반 | - | 1200 v | 150 a | 2.6V @ 15V, 75A | 1 MA | 아니요 | 9.5 nf @ 25 v |
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