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트랜지스터 (13833)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FF450R06ME3BOSA1 | 214.7420 |  | 5422 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Econodual ™ 3 | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FF450R06 | 1250 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 2 독립 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 550 a | 1.9V @ 15V, 450A | 5 MA | 예 | 28 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | auirfsl4310 | - | | 1855 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 75A (TC) | 7mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 250 nc @ 10 v | 7670 pf @ 50 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ISC007N06LM6ATMA1 | 1.8835 | | 6237 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 448-ISC007N06LM6ATMA1TR | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFM460 | - | | 9238 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 가방 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) | MOSFET (금속 (() | TO-254AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | Q1134250 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 19A (TC) | 10V | 270mohm @ 12a, 10V | 4V @ 250µA | 190 NC @ 10 v | ± 20V | 4300 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSS306NL6327HTSA1 | - | | 1317 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 2.3A (TA) | 4.5V, 10V | 57mohm @ 2.3a, 10V | 2V @ 11µA | 1.5 nc @ 5 v | ± 20V | 275 pf @ 15 v | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7342D2TRPBF | - | | 2823 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 55 v | 3.4A (TA) | 105mohm @ 3.4a, 10V | 1V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | 690 pf @ 25 v | Schottky 분리 (다이오드) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 6MS24017P43W39873NOSA1 | - | | 2244 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Modstack ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 55 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 6ms24017 | 14500 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8543.70.9860 | 1 | 3 단계 인버터 | - | 1700 v | 1100 a | - | 예 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRL3103STRLPBF | - | | 5322 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 64A (TC) | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 34A, 10V | 1V @ 250µA | 33 NC @ 4.5 v | ± 16V | 1650 pf @ 25 v | - | 94W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7463 | - | | 2781 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF7463 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 30 v | 14A (TA) | 2.7V, 10V | 8mohm @ 14a, 10V | 2V @ 250µA | 51 NC @ 4.5 v | ± 12V | 3150 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFP196E6327HTSA1 | 0.5300 | | 29 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-253-4, TO-253AA | BFP196 | 700MW | PG-SOT-143-3D | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 10.5dB ~ 16.5dB | 12V | 150ma | NPN | 70 @ 50MA, 8V | 7.5GHz | 1.3dB ~ 2.3db @ 900MHz ~ 1.8GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | irfi4410zpbf | 2.7300 | | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IRFI4410 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB Full-Pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 43A (TC) | 10V | 9.3mohm @ 26a, 10V | 4V @ 150µA | 110 NC @ 10 v | ± 30V | 4910 pf @ 50 v | - | 47W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SIGC05T60SNCX1SA3 | - | | 5361 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | SIGC05 | 기준 | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 1 | 400V, 4A, 67OHM, 15V | NPT | 600 v | 4 a | 12 a | 2.5V @ 15V, 4A | - | 22ns/264ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AIKB40N65DH5ATMA1 | 5.0800 | | 974 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AIKB40 | 기준 | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | NPT | 650 v | 40 a | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC265N10LSFGATMA1 | 1.3100 | | 28 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC265 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 100 v | 6.5A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 26.5mohm @ 20a, 10V | 2.4V @ 43µA | 21 NC @ 10 v | ± 20V | 1600 pf @ 50 v | - | 78W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC847PNE6327BTSA1 | - | | 1064 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BC847 | 250MW | PG-SOT363-PO | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 100ma | 15NA (ICBO) | NPN, PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BG3123RE6327HTSA1 | - | | 1200 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 8 v | 표면 표면 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BG3123 | 800MHz | MOSFET | PG-SOT363-PO | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 25MA, 20MA | 14 MA | - | 25db | 1.8dB | 5 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| auirl7732s2tr | 1.7700 | | 5438 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 SC | auirl7732 | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ SC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,800 | n 채널 | 40 v | 14A (TA) | 4.5V, 10V | 6.6mohm @ 35a, 10V | 2.5V @ 50µA | 33 NC @ 4.5 v | ± 16V | 2020 pf @ 25 v | - | 2.2W (TA), 41W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | DF650R17IE4BOSA1 | 507.0233 | | 9772 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Primepack ™ 2 | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | DF650R17 | 4150 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3 | 하나의 | - | 1700 v | 930 a | 2.45V @ 15V, 650A | 5 MA | 예 | 54 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPW60R190P6FKSA1 | 3.9400 | | 209 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P6 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IPW60R190 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 20.2A (TC) | 10V | 190mohm @ 7.6a, 10V | 4.5V @ 630µ | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 1750 pf @ 100 v | - | 151W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC847BWE6327BTSA1 | - | | 1682 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC847 | 250 MW | PG-SOT323 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FZ1200R17KF4CNOSA1 | 1.0000 | | 534 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받습니다 | 2156-FZ1200R17KF4CNOSA1-448 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPB100N06S2L-05 | - | | 1858 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB100N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 4.4mohm @ 80a, 10V | 2V @ 250µA | 230 nc @ 10 v | ± 20V | 7530 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | auirfn8459tr | 2.8000 | | 8 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | AUIRFN8459 | MOSFET (금속 (() | 50W | PQFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 50a | 5.9mohm @ 40a, 10V | 3.9V @ 50µA | 60NC @ 10V | 2250pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF50R12RT4HOSA1 | 58.7600 | | 37 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FF50R12 | 285 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 반 반 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 50 a | 2.15V @ 15V, 50A | 1 MA | 아니요 | 2.8 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRL3103STRRPBF | - | | 3894 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 64A (TC) | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 34A, 10V | 1V @ 250µA | 33 NC @ 4.5 v | ± 16V | 1650 pf @ 25 v | - | 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7707TR | - | | 3820 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-tssop | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 20 v | 7A (TA) | 2.5V, 4.5V | 22mohm @ 7a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 47 NC @ 4.5 v | ± 12V | 2361 pf @ 15 v | - | 1.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF6722STPBF | - | | 4350 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 st | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ st | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | SP001523918 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,800 | n 채널 | 30 v | 13A (TA), 58A (TC) | 4.5V, 10V | 7.3mohm @ 13a, 10V | 2.4V @ 50µA | 17 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1320 pf @ 15 v | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCW 60FF E6327 | 0.0500 | | 45 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 6,340 | 32 v | 100 MA | 20NA (ICBO) | NPN | 550MV @ 1.25ma, 50ma | 250 @ 2MA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFR193WE6327 | - | | 7979 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | 580MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 10.5dB ~ 16dB | 12V | 80ma | NPN | 70 @ 30MA, 8V | 8GHz | 1db ~ 1.6db @ 900MHz ~ 1.8GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSP50E6327 | - | | 2250 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | 1.5 w | PG-SOT223-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 45 v | 1 a | 10µA | npn-달링턴 | 1.8v @ 1ma, 1a | 2000 @ 500ma, 10V | 200MHz |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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