전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PTFA191001F V4 | - | ![]() | 5728 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 | PTFA191001 | 1.96GHz | LDMOS | H-37248-2 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 10µA | 900 MA | 44dbm | 17dB | - | 30 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 94-2309pbf | - | ![]() | 7575 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 활동적인 | - | 94-2309 | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS87H6327FTSA1 | 0.6100 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | BSS87 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT89-4-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 240 v | 260MA (TA) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 260ma, 10V | 1.8V @ 108µA | 5.5 nc @ 10 v | ± 20V | 97 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC028N06LS3GATMA1 | 3.1600 | ![]() | 43 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC028 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 23A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 50a, 10V | 2.2V @ 93µA | 175 NC @ 10 v | ± 20V | 13000 pf @ 30 v | - | 2.5W (TA), 139W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPD09P06PLGBTMA1 | 1.0000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SPD09P06 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 9.7A (TC) | 4.5V, 10V | 250mohm @ 6.8a, 10V | 2V @ 250µA | 21 NC @ 10 v | ± 20V | 450 pf @ 25 v | - | 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFU4615PBF | 1.9100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU4615 | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 150 v | 33A (TC) | 10V | 42mohm @ 21a, 10V | 5V @ 100µa | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 1750 pf @ 50 v | - | 144W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | buz111s | 0.7900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 55 v | 80A (TC) | 10V | 8mohm @ 80a, 10V | 4V @ 240µA | 185 NC @ 10 v | ± 20V | 4500 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC846BWE6327 | 0.0200 | ![]() | 734 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | 330 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGB20N60H3ATMA1 | 2.1400 | ![]() | 5311 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IGB20N60 | 기준 | 170 w | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 20A, 14.6OHM, 15V | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 40 a | 80 a | 2.4V @ 15V, 20A | 690µJ | 120 NC | 16ns/194ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPD08N05L | - | ![]() | 4831 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFA260851F V1 R250 | - | ![]() | 6987 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | 2- 플랫 팩, 핀 리드 | PTFA260851 | 2.68GHz | LDMOS | H-31248-2 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | 10µA | 900 MA | 85W | 14db | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fz2400R17HE4B9HOSA2 | 1.0000 | ![]() | 5202 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | IHM-B | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FZ2400 | 15500 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 단일 단일 | - | 1700 v | 2400 a | 2.3V @ 15V, 2400A | 5 MA | 아니요 | 195 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7749L2TRPBF | - | ![]() | 7379 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 60 v | 33A (TA), 375A (TC) | 10V | 1.5mohm @ 120a, 10V | 4V @ 250µA | 300 NC @ 10 v | ± 20V | 12320 pf @ 25 v | - | 3.3W (TA), 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSL802SNL6327HTSA1 | - | ![]() | 4169 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | BSL802 | MOSFET (금속 (() | PG-TSOP6-6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 7.5A (TA) | 1.8V, 2.5V | 22mohm @ 7.5a, 2.5v | 750MV @ 30µA | 4.7 NC @ 2.5 v | ± 8V | 1347 pf @ 10 v | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPZ40N04S5L3R6ATMA1 | 0.4255 | ![]() | 4204 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC -Q101, Optimos ™ -5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | IPZ40N | MOSFET (금속 (() | PG-TSDSON-8-33 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 87A (TJ) | 4.5V, 10V | 3.6MOHM @ 20A, 10V | 2V @ 21µA | 32.8 nc @ 10 v | ± 16V | 1966 pf @ 25 v | - | 58W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPW65R110CFD7XKSA1 | 6.9100 | ![]() | 3693 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | CoolMOS ™ CFD7 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IPW65R | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 22A (TC) | 10V | 110mohm @ 9.7a, 10V | 4.5V @ 480µA | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 1942 pf @ 400 v | - | 114W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGW20N60HS | 1.9600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | sgw20n | 기준 | 178 w | PG-to247-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 20A, 16ohm, 15V | NPT | 600 v | 36 a | 80 a | 3.15V @ 15V, 20A | 690µJ | 100 NC | 18NS/207NS | |||||||||||||||||||||||||||||||
IPI60R380C6XKSA1 | - | ![]() | 2461 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI60R380 | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 10.6A (TC) | 10V | 380mohm @ 3.8a, 10V | 3.5V @ 320µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 100 v | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 94-3660pbf | - | ![]() | 2611 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | 94-3660 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 100 v | 4.5A (TA) | 60mohm @ 2.7a, 10V | 5.5V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | 930 pf @ 25 v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF80R12W2H3_B11 | - | ![]() | 2670 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | DF80R12 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000948772 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS4127TRLPBF | 3.5900 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS4127 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 72A (TC) | 10V | 22mohm @ 44a, 10V | 5V @ 250µA | 150 nc @ 10 v | ± 20V | 5380 pf @ 50 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
IRF7705GTRPBF | - | ![]() | 1181 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-tssop | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 30 v | 8A (TA) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 88 NC @ 10 v | ± 20V | 2774 pf @ 25 v | - | 1.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FD300R12KS4B5HOSA1 | 209.2650 | ![]() | 9054 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 기음 | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FD300R12 | 1950 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 단일 단일 | - | 1200 v | 370 a | 3.75V @ 15V, 300A | 5 MA | 아니요 | 20 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | spu03n60c3bkma1 | - | ![]() | 4491 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | spu03n | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3-21 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 650 v | 3.2A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2a, 10V | 3.9V @ 135µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 400 pf @ 25 v | - | 38W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB031NE7N3 g | 1.0000 | ![]() | 4297 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 3 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 75 v | 100A (TC) | 10V | 3.1mohm @ 100a, 10V | 3.8V @ 155µA | 117 NC @ 10 v | ± 20V | 8130 pf @ 37.5 v | - | 214W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ICA32V01X1SA1 | - | ![]() | 9599 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000897496 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ1200R33KL2CB5NOSA1 | - | ![]() | 6813 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 기준 기준 | 14500 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000100623 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 3300 v | 2300 a | 3.65V @ 15V, 1200A | 5 MA | 아니요 | 145 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB160N08S403ATMA1 | - | ![]() | 9364 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | IPB160N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-7-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000989092 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 80 v | 160A (TC) | 10V | 3.2mohm @ 100a, 10V | 4V @ 150µA | 112 NC @ 10 v | ± 20V | 7750 pf @ 25 v | - | 208W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF4104L | - | ![]() | 2750 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF4104L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 75A (TC) | 10V | 5.5mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 3000 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IHW30N60TFKSA1 | - | ![]() | 7014 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 187 w | PG-to247-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | 400V, 30A, 10.6OHM, 15V | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 60 a | 90 a | 2V @ 15V, 30A | 770µJ | 167 NC | 23ns/254ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고