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트랜지스터 (13833)
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| IRFB3207ZPBF | 3.0500 | | 14 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFB3207 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001575584 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 75 v | 120A (TC) | 10V | 4.1mohm @ 75a, 10V | 4V @ 150µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 6920 pf @ 50 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| IRF7220GTRPBF | - | | 3922 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 14 v | 11A (TA) | 2.5V, 4.5V | 12mohm @ 11a, 4.5v | 600MV @ 250µa (최소) | 125 nc @ 5 v | ± 12V | 8075 pf @ 10 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
 | IRFS4410PBF-INF | - | | 8285 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 100 v | 88A (TC) | 10mohm @ 58a, 10V | 4V @ 150µA | 180 NC @ 10 v | ± 20V | 5150 pf @ 50 v | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | BCP 56-10 E6433 | - | | 1992 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BCP 56 | 2 w | PG-SOT223-4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 63 @ 150ma, 2V | 100MHz |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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