SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
IRG7CH46UED Infineon Technologies irg7ch46ued -
RFQ
ECAD 2758 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 irg7ch 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
FZ1800R17HE4B9NPSA1 Infineon Technologies FZ1800R17HE4B9NPSA1 -
RFQ
ECAD 9302 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 11500 w 기준 - 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 단일 단일 - 1700 v 1800 a 2.3V @ 15V, 1.8KA 5 MA 아니요 145 NF @ 25 v
IRFS4615TRLPBF Infineon Technologies IRFS4615trlpbf 2.1200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS4615 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 33A (TC) 10V 42mohm @ 21a, 10V 5V @ 100µa 40 nc @ 10 v ± 20V 1750 pf @ 50 v - 144W (TC)
IRLR3103TRL Infineon Technologies IRLR3103TRL -
RFQ
ECAD 3546 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 55A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 33a, 10V 1V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 16V 1600 pf @ 25 v - 107W (TC)
FF5MR20KM1HPHPSA1 Infineon Technologies FF5MR20KM1HPHPSA1 591.7375
RFQ
ECAD 5173 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 8
ICA32V10X1SA1 Infineon Technologies ICA32V10X1SA1 -
RFQ
ECAD 8148 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001141252 쓸모없는 0000.00.0000 1
IRFL4310PBF Infineon Technologies irfl4310pbf -
RFQ
ECAD 8764 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() - 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 2.2A (TA) 10V - - 25 nc @ 10 v ± 20V 330 pf @ 25 v - 1W (TA)
IPP05N03LA Infineon Technologies IPP05N03LA -
RFQ
ECAD 9061 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP05N MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 25 v 80A (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 55a, 10V 2V @ 50µA 25 nc @ 5 v ± 20V 3110 pf @ 15 v - 94W (TC)
AUIRLR024Z Infineon Technologies auirlr024z -
RFQ
ECAD 6151 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001518242 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 16A (TC) 4.5V, 10V 58mohm @ 9.6a, 10V 3V @ 250µA 9.9 NC @ 5 v ± 16V 380 pf @ 25 v - 35W (TC)
FS450R12OE4PBOSA1 Infineon Technologies FS450R12OE4PBOSA1 853.9600
RFQ
ECAD 6422 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™+ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FS450R12 20 MW 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4 전체 전체 트렌치 트렌치 정지 1200 v 900 a 2.1V @ 15V, 450A 3 MA 1.55 NF @ 25 v
IRLR3802TRPBF-INF Infineon Technologies irlr3802trpbf-inf -
RFQ
ECAD 3184 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 12 v 84A (TC) 2.8V, 4.5V 8.5mohm @ 15a, 4.5v 1.9V @ 250µA 41 NC @ 5 v ± 12V 2490 pf @ 6 v - 88W (TC)
AUIRLR014NTRL Infineon Technologies auirlr014ntrl -
RFQ
ECAD 9754 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001516046 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 10A (TC) 4.5V, 10V 140mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 7.9 NC @ 5 v ± 16V 265 pf @ 25 v - 28W (TC)
BSM200GB120DN2S7HOSA1 Infineon Technologies BSM200GB120DN2S7HOSA1 -
RFQ
ECAD 6042 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 BSM200 - 0000.00.0000 1
IRGS6B60KDTRRP Infineon Technologies IRGS6B60KDTRRP -
RFQ
ECAD 4944 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRGS6B60 기준 90 W. D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001542290 귀 99 8541.29.0095 800 400V, 5A, 100ohm, 15V 70 ns NPT 600 v 13 a 26 a 2.2V @ 15V, 5A 110µJ (on), 135µJ (OFF) 18.2 NC 25NS/215NS
IRLS3036-7PPBF Infineon Technologies IRLS3036-7PPBF -
RFQ
ECAD 8716 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001577170 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 240A (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 180a, 10V 2.5V @ 250µA 160 nc @ 4.5 v ± 16V 11270 pf @ 50 v - 380W (TC)
BSS225L6327HTSA1 Infineon Technologies BSS225L6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 1032 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA MOSFET (금속 (() PG-SOT89 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 90MA (TA) 4.5V, 10V 45ohm @ 90ma, 10V 2.3V @ 94µA 5.8 nc @ 10 v ± 20V 131 pf @ 25 v - 1W (TA)
BSP318S E6327 Infineon Technologies BSP318S E6327 -
RFQ
ECAD 7438 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 2.6A (TA) 4.5V, 10V 90mohm @ 2.6a, 10V 2V @ 20µA 20 nc @ 10 v ± 20V 380 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
AUIRLS4030-7TRL Infineon Technologies auirls4030-7trl -
RFQ
ECAD 8506 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) auirls4030 MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001520400 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 190a (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 110a, 10V 2.5V @ 250µA 140 nc @ 4.5 v ± 16V 11490 pf @ 50 v - 370W (TC)
IPL60R160CFD7AUMA1 Infineon Technologies IPL60R160CFD7AUMA1 3.9800
RFQ
ECAD 1045 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-powertsfn IPL60R MOSFET (금속 (() PG-VSON-4 다운로드 Rohs3 준수 2A (4 주) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 16A (TC) 10V 160mohm @ 6.8a, 10V 4.5V @ 340µA 31 NC @ 10 v ± 20V 1330 pf @ 400 v - 95W (TC)
BC817K40E6433HTMA1 Infineon Technologies BC817K40E6433HTMA1 0.3700
RFQ
ECAD 75 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 500MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 170MHz
FS100R12W2T7PBPSA1 Infineon Technologies FS100R12W2T7PBPSA1 110.9100
RFQ
ECAD 18 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS100R12 20 MW 기준 Ag-Easy2b - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 18 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 70 a - 9 µA 21.7 NF @ 25 v
IPB049N06L3GATMA1 Infineon Technologies IPB049N06L3GATMA1 -
RFQ
ECAD 8539 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB049N MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 80A (TC) 4.5V, 10V 4.7mohm @ 80a, 10V 2.2V @ 58µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 8400 pf @ 30 v - 115W (TC)
SPD30N03S2L10GBTMA1 Infineon Technologies SPD30N03S2L10GBTMA1 -
RFQ
ECAD 7645 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 spd30n MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 10MOHM @ 30A, 10V 2V @ 50µA 41.8 nc @ 10 v ± 20V 1550 pf @ 25 v - 100W (TC)
IPB019N06L3GATMA1 Infineon Technologies IPB019N06L3GATMA1 3.5800
RFQ
ECAD 803 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB019 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 120A (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 100a, 10V 2.2V @ 196µA 166 NC @ 4.5 v ± 20V 28000 pf @ 30 v - 250W (TC)
IPD90N06S405ATMA1 Infineon Technologies IPD90N06S405ATMA1 -
RFQ
ECAD 7398 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD90 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 90A (TC) 10V 5.1MOHM @ 90A, 10V 4V @ 60µA 81 NC @ 10 v ± 20V 6500 pf @ 25 v - 107W (TC)
SIGC42T60UNX1SA1 Infineon Technologies SIGC42T60UNX1SA1 -
RFQ
ECAD 2157 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC42T60 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 400V, 50A, 6.8OHM, 15V NPT 600 v 50 a 150 a 3.15V @ 15V, 50A - 48ns/350ns
FZ800R33KF2CNOSA1 Infineon Technologies Fz800R33KF2CNOSA1 -
RFQ
ECAD 9064 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FZ800 9600 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 반 반 - 3300 v 1300 a 4.25V @ 15V, 800A 5 MA 아니요 100 nf @ 25 v
FF300R17ME4B11BPSA1 Infineon Technologies FF300R17ME4B11BPSA1 270.2000
RFQ
ECAD 4982 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF300R17 1800 w 기준 Ag-Econod 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1700 v 375 a 2.3V @ 15V, 300A 3 MA 24.5 NF @ 25 v
IRLU3714ZPBF Infineon Technologies irlu3714zpbf -
RFQ
ECAD 4770 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 20 v 37A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 15a, 10V 2.55V @ 250µA 7.1 NC @ 4.5 v ± 20V 560 pf @ 10 v - 35W (TC)
IRL3803STRRPBF Infineon Technologies IRL3803STRRPBF -
RFQ
ECAD 6717 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRL3803 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 140A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 71A, 10V 1V @ 250µA 140 nc @ 4.5 v ± 16V 5000 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고