SIC
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트랜지스터 (13833)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IPLK70R750P7ATMA1 Infineon Technologies IPLK70R750P7ATMA1 1.3100
RFQ
 ECAD 3018 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 8-powertdfn IPLK70 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 700 v - - - - - - -
IRL530NSTRL Infineon Technologies irl530nstrl -
RFQ
 ECAD 6490 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 17A (TC) 4V, 10V 100mohm @ 9a, 10V 2V @ 250µA 34 NC @ 5 v ± 20V 800 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 79W (TC)
IRF520NLPBF Infineon Technologies IRF520NLPBF -
RFQ
 ECAD 2323 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF520NLPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 9.7A (TC) 10V 200mohm @ 5.7a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 330 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 48W (TC)
FZ1200R12HE4HOSA2 Infineon Technologies FZ1200R12HE4HOSA2 637.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 IHM-B 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FZ1200 7150 w 기준 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 단일 단일 트렌치 트렌치 정지 1200 v 1825 a 2.1V @ 15V, 1.2ka 5 MA 아니요 74 NF @ 25 v
IRGC100B120UB Infineon Technologies IRGC100B120UB -
RFQ
 ECAD 4883 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 - 표면 표면 주사위 IRGC100 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 - NPT 1200 v 100 a 3.5V @ 15V, 100A - -
AUIRFZ44N Infineon Technologies auirfz44n -
RFQ
 ECAD 8422 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 49A (TC) 10V 17.5mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1470 pf @ 25 v - 94W (TC)
BC 807-16W H6327 Infineon Technologies BC 807-16W H6327 -
RFQ
 ECAD 2828 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC 807 250 MW PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 200MHz
IRFU9024N Infineon Technologies IRFU9024N -
RFQ
 ECAD 2523 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFU9024N 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 55 v 11A (TC) 10V 175mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 38W (TC)
IPA60R180C7XKSA1 Infineon Technologies IPA60R180C7XKSA1 3.3800
RFQ
 ECAD 434 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA60R MOSFET (금속 (() PG-to220 20 팩 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 9A (TC) 10V 180mohm @ 5.3a, 10V 4V @ 260µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1080 pf @ 400 v - 29W (TC)
IRLR7811WCTRRP Infineon Technologies IRLR7811WCTRRP -
RFQ
 ECAD 9688 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 64A (TC) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 31 NC @ 4.5 v ± 12V 2260 pf @ 15 v - 71W (TC)
IPA95R450P7XKSA1 Infineon Technologies IPA95R450P7XKSA1 3.1500
RFQ
 ECAD 387 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA95R450 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 950 v 14A (TC) 10V 450mohm @ 7.2a, 10V 3.5V @ 360µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1053 pf @ 400 v - 30W (TC)
IRF7455PBF Infineon Technologies IRF7455PBF -
RFQ
 ECAD 6364 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 15A (TA) 2.8V, 10V 7.5mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA 56 NC @ 5 v ± 12V 3480 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
PTFA081501F V1 Infineon Technologies PTFA081501F V1 -
RFQ
 ECAD 9511 0.00000000 인피온 인피온 Goldmos® 쟁반 sic에서 중단되었습니다 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드 900MHz LDMOS H-31248-2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 10µA 950 MA 150W 18db - 28 v
BFP720FH6327XTSA1 Infineon Technologies BFP720FH6327XTSA1 0.6600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 리드 BFP720 100MW 4-TSFP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 10.5dB ~ 28dB 4.7V 25MA NPN 160 @ 13MA, 3V 45GHz 0.4dB ~ 1db @ 150MHz ~ 10GHz
PTFA211801F V4 Infineon Technologies PTFA211801F V4 -
RFQ
 ECAD 8246 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 PTFA211801 2.14GHz LDMOS H-37260-2 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 10µA 1.2 a 35W 15.5dB - 28 v
IRF3709ZSTRR Infineon Technologies IRF3709ZSTRR -
RFQ
 ECAD 3499 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 87A (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 21a, 10V 2.25V @ 250µA 26 NC @ 4.5 v ± 20V 2130 pf @ 15 v - 79W (TC)
BFP740FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies BFP740FESDH6327XTSA1 0.5700
RFQ
 ECAD 8993 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 리드 BFP740 160MW 4-TSFP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 9db ~ 31dB 4.7V 45MA NPN 160 @ 25MA, 3V 47GHz 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
IPD90N04S405ATMA1 Infineon Technologies IPD90N04S405ATMA1 1.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD90 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-313 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 86A (TC) 10V 5.2MOHM @ 86A, 10V 4V @ 30µA 37 NC @ 10 v ± 20V 2960 pf @ 25 v - 65W (TC)
IPA65R225C7XKSA1 Infineon Technologies IPA65R225C7XKSA1 3.0200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA65R225 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 7A (TC) 10V 225mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 240µA 20 nc @ 10 v ± 20V 996 pf @ 400 v - 29W (TC)
IRFS4620TRLPBF Infineon Technologies IRFS4620TRLPBF 2.4900
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS4620 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 24A (TC) 10V 77.5mohm @ 15a, 10V 5V @ 100µa 38 NC @ 10 v ± 20V 1710 pf @ 50 v - 144W (TC)
IPD80R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies IPD80R2K0P7ATMA1 1.1100
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD80R2 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 800 v 3A (TC) 10V 2ohm @ 940ma, 10V 3.5V @ 50µA 9 NC @ 10 v ± 20V 175 pf @ 500 v - 24W (TC)
F3L400R07ME4B22BOSA1 Infineon Technologies F3L400R07ME4B22BOSA1 277.9700
RFQ
 ECAD 1048 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 F3L400 1150 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 트렌치 트렌치 정지 650 v 450 a 1.95V @ 15V, 400A 예 26 NF @ 25 v
FD400R33KF2CNOSA1 Infineon Technologies FD400R33KF2CNOSA1 -
RFQ
 ECAD 9642 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FD400R33 4800 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 단일 단일 - 3300 v 660 a 4.25V @ 15V, 400A 5 MA 아니요 50 nf @ 25 v
FS100R07N2E4B11BOSA1 Infineon Technologies FS100R07N2E4B11BOSA1 -
RFQ
 ECAD 7665 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 2 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FS100R07 20 MW 기준 기준 기준 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 650 v 125 a 1.95V @ 15V, 100A 1 MA 예 6.2 NF @ 25 v
F3L150R12W2H3B11BPSA1 Infineon Technologies F3L150R12W2H3B11BPSA1 105.1700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 F3L150 500 W. 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 3 단계 인버터 - 1200 v 75 a 1.75V @ 15V, 75A 1 MA 예 8.7 NF @ 25 v
FS200R06KE3BOSA1 Infineon Technologies FS200R06KE3BOSA1 260.1400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FS200R06 600 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 600 v 200a 1.9V @ 15V, 200a 1 MA 예 13 nf @ 25 v
FP15R12KS4CBOSA1 Infineon Technologies FP15R12KS4CBOSA1 108.6580
RFQ
 ECAD 6979 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FP15R12 180 w 기준 기준 기준 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 - 1200 v 30 a 3.7V @ 15V, 15a 5 MA 예 1 nf @ 25 v
FF300R06KE3B2HOSA1 Infineon Technologies FF300R06KE3B2HOSA1 164.8320
RFQ
 ECAD 8119 0.00000000 인피온 인피온 기음 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF300R06 940 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 트렌치 트렌치 정지 600 v 400 a 1.9V @ 15V, 300A 5 MA 아니요 19 nf @ 25 v
FF300R12KE3HOSA1 Infineon Technologies FF300R12KE3HOSA1 180.8300
RFQ
 ECAD 8863 0.00000000 인피온 인피온 기음 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF300R12 1450 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1200 v 440 a 2.15V @ 15V, 300A 5 MA 아니요 21 NF @ 25 v
FF300R12KT3HOSA1 Infineon Technologies FF300R12KT3HOSA1 214.2900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 기음 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF300R12 1450 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1200 v 480 a 2.15V @ 15V, 300A 5 MA 아니요 21 NF @ 25 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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