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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
AUIRFR4105ZTRL Infineon Technologies auirfr4105ztrl 0.9098
RFQ
ECAD 1968 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AUIRFR4105 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 20A (TC) 10V 24.5mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 740 pf @ 25 v - 48W (TC)
IRFP4868PBF Infineon Technologies IRFP4868PBF 7.8000
RFQ
ECAD 5126 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP4868 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001556792 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 300 v 70A (TC) 10V 32mohm @ 42a, 10V 5V @ 250µA 270 nc @ 10 v ± 20V 10774 pf @ 50 v - 517W (TC)
IPP90R1K0C3XKSA1 Infineon Technologies IPP90R1K0C3XKSA1 -
RFQ
ECAD 8082 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP90R MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 900 v 5.7A (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10V 3.5V @ 370µA 34 NC @ 10 v ± 20V 850 pf @ 100 v - 89W (TC)
IPP013N04NF2SAKMA1 Infineon Technologies IPP013N04NF2SAKMA1 2.7600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 * 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50
IRF7324TRPBF Infineon Technologies IRF7324TRPBF 1.6100
RFQ
ECAD 21 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF732 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 20V 9a 18mohm @ 9a, 4.5v 1V @ 250µA 63NC @ 5V 2940pf @ 15V 논리 논리 게이트
IPF010N06NF2SATMA1 Infineon Technologies IPF010N06NF2SATMA1 4.2800
RFQ
ECAD 768 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IPF010 MOSFET (금속 (() PG-to263-7-U02 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 44A (TA), 293a (TC) 6V, 10V 1.05mohm @ 100a, 10V 3.3V @ 246µA 305 NC @ 10 v ± 20V 13800 pf @ 30 v - 3.8W (TA), 300W (TC)
BSC015NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies BSC015NE2LS5IATMA1 1.7200
RFQ
ECAD 23 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC015 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 25 v 33A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1.5mohm @ 30a, 10V 2V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 16V 2000 pf @ 12 v - 2.5W (TA), 50W (TC)
PSDC217E3730833NOSA1 Infineon Technologies PSDC217E37308333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333331 -
RFQ
ECAD 3596 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 PSDC217 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
IRF7704TRPBF Infineon Technologies IRF7704TRPBF -
RFQ
ECAD 8207 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 40 v 4.6A (TA) 4.5V, 10V 46MOHM @ 4.6A, 10V 3V @ 250µA 38 NC @ 4.5 v ± 20V 3150 pf @ 25 v - 1.5W (TA)
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies IRFP4110PBFXKMA1 5.2000
RFQ
ECAD 400 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 100 v 180A (TC) 10V 4.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 210 nc @ 10 v ± 20V 9620 pf @ 50 v - 370W (TC)
IRFR3505TRPBF Infineon Technologies irfr3505trpbf -
RFQ
ECAD 3717 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 55 v 30A (TC) 10V 13mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 93 NC @ 10 v ± 20V 2030 pf @ 25 v - 140W (TC)
AUIRF7640S2TR Infineon Technologies AUIRF7640S2TR 1.6600
RFQ
ECAD 5517 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 SB AUIRF7640 MOSFET (금속 (() DirectFet SB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 60 v 5.8A (TA), 21A (TC) 10V 36mohm @ 13a, 10V 5V @ 25µA 11 NC @ 10 v ± 20V 450 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 30W (TC)
IPP05N03LB G Infineon Technologies IPP05N03LB g -
RFQ
ECAD 6383 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP05N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 5.3MOHM @ 60A, 10V 2V @ 40µA 25 nc @ 5 v ± 20V 3209 pf @ 15 v - 94W (TC)
IPB100N06S2L05ATMA2 Infineon Technologies IPB100N06S2L05ATMA2 3.9900
RFQ
ECAD 7224 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB100 MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 100A (TC) 4.5V, 10V 4.4mohm @ 80a, 10V 2V @ 250µA 230 nc @ 10 v ± 20V 5660 pf @ 25 v - 300W (TC)
BUZ103SL-E3045A Infineon Technologies BUZ103SL-E3045A -
RFQ
ECAD 6984 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 28A (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 20a, 10V 2V @ 50µA 50 nc @ 10 v -20V 960 pf @ 25 v - 75W (TC)
IPB09N03LAT Infineon Technologies IPB09N03LAT -
RFQ
ECAD 2100 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB09N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000016271 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 25 v 50A (TC) 4.5V, 10V 8.9mohm @ 30a, 10V 2V @ 20µA 13 nc @ 5 v ± 20V 1642 pf @ 15 v - 63W (TC)
IRF7807VTR Infineon Technologies IRF7807VTR -
RFQ
ECAD 7026 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 8.3A (TA) 4.5V 25mohm @ 7a, 4.5v 3V @ 250µA 14 nc @ 5 v ± 20V - 2.5W (TA)
IRFH8318TRPBF Infineon Technologies irfh8318trpbf 0.9300
RFQ
ECAD 19 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IRFH8318 MOSFET (금속 (() PQFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 27A (TA), 120A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 20a, 10V 2.35V @ 50µA 41 NC @ 10 v ± 20V 3180 pf @ 10 v - 3.6W (TA), 59W (TC)
BCW60FNE6393HTSA1 Infineon Technologies BCW60FNE6393HTSA1 -
RFQ
ECAD 8042 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000010569 귀 99 8541.21.0075 3,000 32 v 100 MA 20NA (ICBO) NPN 550MV @ 1.25ma, 50ma 380 @ 2MA, 5V 250MHz
IPD30N06S223ATMA2 Infineon Technologies IPD30N06S223ATMA2 1.4000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD30N06 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 30A (TC) 10V 23mohm @ 21a, 10V 4V @ 50µA 32 NC @ 10 v ± 20V 901 pf @ 25 v - 100W (TC)
IRLML6302TR Infineon Technologies irlml6302tr -
RFQ
ECAD 4985 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() Micro3 ™/SOT-23 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 780MA (TA) 600mohm @ 610ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 3.6 NC @ 4.45 v 97 pf @ 15 v -
IRFR024NTRPBF Infineon Technologies IRFR024NTRPBF 0.9800
RFQ
ECAD 191 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR024 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 55 v 17A (TC) 10V 75mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 370 pf @ 25 v - 45W (TC)
IKW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies ikw50n65f5fksa1 5.7500
RFQ
ECAD 7846 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IKW50N65 기준 305 w PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 25A, 12ohm, 15V 52 ns - 650 v 80 a 150 a 2.1V @ 15V, 50A 490µJ (ON), 160µJ (OFF) 120 NC 21ns/175ns
DF150R12RT4HOSA1 Infineon Technologies DF150R12RT4HOSA1 72.5100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 DF150R12 790 W. 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 단일 단일 트렌치 트렌치 정지 1200 v 150 a 2.15V @ 15V, 150A 1 MA 아니요 9.3 NF @ 25 v
IRF7907TRPBF Infineon Technologies IRF7907TRPBF 1.2000
RFQ
ECAD 15 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7907 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 30V 9.1a, 11a 16.4mohm @ 9.1a, 10V 2.35V @ 25µA 10NC @ 4.5V 850pf @ 15V 논리 논리 게이트
BCW60FFE6327 Infineon Technologies BCW60FFE6327 -
RFQ
ECAD 9132 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 다운로드 귀 99 8541.21.0075 1 32 v 100 MA 20NA (ICBO) NPN 550MV @ 1.25ma, 50ma 250 @ 2MA, 5V 250MHz
BSS126H6327XTSA1 Infineon Technologies BSS126H6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 6388 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 600 v 21MA (TA) 0V, 10V 500ohm @ 16ma, 10V 1.6V @ 8µA 2.1 NC @ 5 v ± 20V 28 pf @ 25 v 고갈 고갈 500MW (TA)
BSO604NS2XUMA1 Infineon Technologies BSO604NS2XUMA1 -
RFQ
ECAD 3014 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) BSO604NS2 MOSFET (금속 (() 2W PG-DSO-8 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 55V 5a 35mohm @ 2.5a, 10V 2V @ 30µA 26NC @ 10V 870pf @ 25v 논리 논리 게이트
IRF2804 Infineon Technologies IRF2804 -
RFQ
ECAD 7837 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 2.3mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 240 NC @ 10 v ± 20V 6450 pf @ 25 v - 330W (TC)
IGW30N65L5XKSA1 Infineon Technologies IGW30N65L5XKSA1 4.4400
RFQ
ECAD 960 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 5 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IGW30N65 기준 227 w PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10ohm, 15V - 650 v 85 a 120 a 1.35V @ 15V, 30A 470µJ (on), 1.35mj (OFF) 168 NC 33ns/308ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고