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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce |
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![]() | AIMZHN120R160M1TXKSA1 | 10.9629 | ![]() | 8819 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 튜브 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 448-Aimzhn120R160M1TXKSA1 | 240 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FD1000R33HE3KBPSA1 | 1.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | IHM-B | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FD1000 | 11500 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 듀얼 듀얼 헬기 | 트렌치 트렌치 정지 | 3300 v | 1000 a | 3.1V @ 15V, 1000A | 5 MA | 아니요 | 190 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP50R140CPXKSA1 | 5.7000 | ![]() | 494 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP50R140 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 550 v | 23A (TC) | 10V | 140mohm @ 14a, 10V | 3.5V @ 930µA | 64 NC @ 10 v | ± 20V | 2540 pf @ 100 v | - | 192W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
FS200R12KT4RPB11BPSA1 | 348.1300 | ![]() | 2142 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EconoPack ™ 3 | 쟁반 | 활동적인 | FS200R12 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP50R12KT4BPSA1 | 147.1800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Econopim ™ 2 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FP50R12 | 280 W. | 3 정류기 정류기 브리지 | Ag-Econo2b | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 50 a | 2.25V @ 15V, 50A | 1 MA | 예 | 2.8 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7506TRPBF | - | ![]() | 1185 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | IRF7506 | MOSFET (금속 (() | 1.25W | Micro8 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 1.7a | 270mohm @ 1.2a, 10V | 1V @ 250µA | 11nc @ 10V | 180pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPT60R150G7XTMA1 | 4.6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ G7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-Powersfn | IPT60R150 | MOSFET (금속 (() | PG-HSOF-8-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 600 v | 17A (TC) | 10V | 150mohm @ 5.3a, 10V | 4V @ 260µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 902 pf @ 400 v | - | 106W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB05CN10N g | - | ![]() | 9195 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB05C | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 100A (TC) | 10V | 5.1MOHM @ 100A, 10V | 4V @ 250µA | 181 NC @ 10 v | ± 20V | 12000 pf @ 50 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFA211801E V4 R250 | - | ![]() | 3789 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 섀시 섀시 | H-36260-2 | PTFA211801 | 2.14GHz | LDMOS | H-36260-2 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | 10µA | 1.2 a | 35W | 15.5dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA60R330P6XKSA1 | - | ![]() | 5290 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P6 | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA60R | MOSFET (금속 (() | PG-to220-FP | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 12A (TC) | 10V | 330mohm @ 4.5a, 10V | 4.5V @ 370µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 1010 pf @ 100 v | - | 32W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB180N04S4H0ATMA1 | 4.7200 | ![]() | 5455 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | IPB180 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-7-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 40 v | 180A (TC) | 10V | 1.1MOHM @ 100A, 10V | 4V @ 180µA | 225 NC @ 10 v | ± 20V | 17940 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR3110ZTRRPBF | - | ![]() | 8608 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR3110 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 42A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 38a, 10V | 2.5V @ 100µa | 48 NC @ 4.5 v | ± 16V | 3980 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | auirl3705zstrl | - | ![]() | 4656 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 8mohm @ 52a, 10V | 3V @ 250µA | 60 nc @ 5 v | 2880 pf @ 25 v | - | 130W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ipuh6n03lb g | - | ![]() | 8894 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | ipuh6n | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 6.3mohm @ 50a, 10V | 2V @ 40µA | 22 nc @ 5 v | ± 20V | 2800 pf @ 15 v | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F475R12KS4B11BPSA1 | 196.1053 | ![]() | 3334 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EconoPack ™ 2 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | F475R12 | 500 W. | 기준 | Ag-ECONO2C | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | 전체 전체 인버터 | - | 1200 v | 100 a | 3.75V @ 15V, 75A | 1 MA | 예 | 5.1 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF2040E6814 | - | ![]() | 5045 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 8 v | 표면 표면 | TO-253-4, TO-253AA | 800MHz | MOSFET | PG-SOT-143-3D | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 40ma | 15 MA | - | 23db | 1.6dB | 5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
IPI70N10S312AKSA1 | - | ![]() | 7876 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI70N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 100 v | 70A (TC) | 10V | 11.6MOHM @ 70A, 10V | 4V @ 83µA | 66 NC @ 10 v | ± 20V | 4355 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPI90N04S402BSAKSA1 | - | ![]() | 2793 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | IPI90N | - | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF5030WH6327XTSA1 | - | ![]() | 3870 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 8 v | 표면 표면 | SC-82A, SOT-343 | BF5030 | 800MHz | MOSFET | PG-SOT343-4-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | n 채널 | 25MA | 10 MA | - | 24dB | 1.3db | 3 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD65R380C6BTMA1 | - | ![]() | 8480 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD65R | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 650 v | 10.6A (TC) | 10V | 380mohm @ 3.2a, 10V | 3.5V @ 320µA | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 710 pf @ 100 v | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMZ120R140M1HXKSA1 | 11.1000 | ![]() | 7381 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolsic ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | IMZ120 | sicfet ((카바이드) | PG-to247-4-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1200 v | 19A (TC) | 15V, 18V | 182mohm @ 6a, 18V | 5.7v @ 2.5ma | 13 nc @ 18 v | +23V, -7v | 454 pf @ 800 v | - | 94W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB50N10S3L16ATMA2 | - | ![]() | 9403 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos®-T | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 448-IPB50N10S3L16ATMA2TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 15.7mohm @ 50a, 10V | 2.4V @ 60µA | 64 NC @ 10 v | ± 20V | 4180 pf @ 25 v | - | 100W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SKW25N120FKSA1 | 10.5373 | ![]() | 9414 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SKW25N | 기준 | 313 w | PG-to247-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | 800V, 25A, 22OHM, 15V | 90 ns | NPT | 1200 v | 46 a | 84 a | 3.6V @ 15V, 25A | 3.7mj | 225 NC | 45NS/730NS | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF7379QTR | - | ![]() | 6061 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AUIRF7379 | MOSFET (금속 (() | 2.5W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001520160 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 및 p 채널 | 30V | 5.8A, 4.3A | 45mohm @ 5.8a, 10V | 3V @ 250µA | 25NC @ 10V | 520pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGB03N120H2ATMA1 | 1.2896 | ![]() | 1652 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IGB03 | 기준 | 62.5 w | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 800V, 3A, 82OHM, 15V | - | 1200 v | 9.6 a | 9.9 a | 2.8V @ 15V, 3A | 290µJ | 22 NC | 9.2ns/281ns | ||||||||||||||||||||||||||||
IRF7757TRPBF | - | ![]() | 9323 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | IRF7757 | MOSFET (금속 (() | 1.2W | 8-tssop | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001566434 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 4.8a | 35mohm @ 4.8a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 23NC @ 4.5V | 1340pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC520N15NS3GATMA1 | 1.5900 | ![]() | 8254 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC520 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 150 v | 21A (TC) | 8V, 10V | 52mohm @ 18a, 10V | 4V @ 35µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 890 pf @ 75 v | - | 57W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF4104 | - | ![]() | 1965 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 40 v | 75A (TC) | 10V | 5.5mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 3000 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB065N15N3GE8187ATMA1 | - | ![]() | 3476 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | IPB065N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-7 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 150 v | 130A (TC) | 8V, 10V | 6.5mohm @ 100a, 10V | 4V @ 270µA | 93 NC @ 10 v | ± 20V | 7300 pf @ 75 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB050N10NF2SATMA1 | 2.0800 | ![]() | 742 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Strongirfet ™ 2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB050N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 103A (TC) | 6V, 10V | 5.05mohm @ 60a, 10V | 3.8V @ 85µA | 76 NC @ 10 v | ± 20V | 3600 pf @ 50 v | - | 150W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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