SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
AIMZHN120R160M1TXKSA1 Infineon Technologies AIMZHN120R160M1TXKSA1 10.9629
RFQ
ECAD 8819 0.00000000 인피온 인피온 * 튜브 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-Aimzhn120R160M1TXKSA1 240
FD1000R33HE3KBPSA1 Infineon Technologies FD1000R33HE3KBPSA1 1.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 IHM-B 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FD1000 11500 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 듀얼 듀얼 헬기 트렌치 트렌치 정지 3300 v 1000 a 3.1V @ 15V, 1000A 5 MA 아니요 190 NF @ 25 v
IPP50R140CPXKSA1 Infineon Technologies IPP50R140CPXKSA1 5.7000
RFQ
ECAD 494 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP50R140 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 550 v 23A (TC) 10V 140mohm @ 14a, 10V 3.5V @ 930µA 64 NC @ 10 v ± 20V 2540 pf @ 100 v - 192W (TC)
FS200R12KT4RPB11BPSA1 Infineon Technologies FS200R12KT4RPB11BPSA1 348.1300
RFQ
ECAD 2142 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 3 쟁반 활동적인 FS200R12 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6
FP50R12KT4BPSA1 Infineon Technologies FP50R12KT4BPSA1 147.1800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 Econopim ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FP50R12 280 W. 3 정류기 정류기 브리지 Ag-Econo2b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 50 a 2.25V @ 15V, 50A 1 MA 2.8 NF @ 25 v
IRF7506TRPBF Infineon Technologies IRF7506TRPBF -
RFQ
ECAD 1185 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) IRF7506 MOSFET (금속 (() 1.25W Micro8 ™ 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 30V 1.7a 270mohm @ 1.2a, 10V 1V @ 250µA 11nc @ 10V 180pf @ 25V 논리 논리 게이트
IPT60R150G7XTMA1 Infineon Technologies IPT60R150G7XTMA1 4.6000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ G7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn IPT60R150 MOSFET (금속 (() PG-HSOF-8-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 17A (TC) 10V 150mohm @ 5.3a, 10V 4V @ 260µA 23 nc @ 10 v ± 20V 902 pf @ 400 v - 106W (TC)
IPB05CN10N G Infineon Technologies IPB05CN10N g -
RFQ
ECAD 9195 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB05C MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 100A (TC) 10V 5.1MOHM @ 100A, 10V 4V @ 250µA 181 NC @ 10 v ± 20V 12000 pf @ 50 v - 300W (TC)
PTFA211801E V4 R250 Infineon Technologies PTFA211801E V4 R250 -
RFQ
ECAD 3789 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 H-36260-2 PTFA211801 2.14GHz LDMOS H-36260-2 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 250 10µA 1.2 a 35W 15.5dB - 28 v
IPA60R330P6XKSA1 Infineon Technologies IPA60R330P6XKSA1 -
RFQ
ECAD 5290 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P6 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA60R MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 330mohm @ 4.5a, 10V 4.5V @ 370µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1010 pf @ 100 v - 32W (TC)
IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon Technologies IPB180N04S4H0ATMA1 4.7200
RFQ
ECAD 5455 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IPB180 MOSFET (금속 (() PG-to263-7-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 180A (TC) 10V 1.1MOHM @ 100A, 10V 4V @ 180µA 225 NC @ 10 v ± 20V 17940 pf @ 25 v - 250W (TC)
IRLR3110ZTRRPBF Infineon Technologies IRLR3110ZTRRPBF -
RFQ
ECAD 8608 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR3110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 42A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 38a, 10V 2.5V @ 100µa 48 NC @ 4.5 v ± 16V 3980 pf @ 25 v - 140W (TC)
AUIRL3705ZSTRL Infineon Technologies auirl3705zstrl -
RFQ
ECAD 4656 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 8mohm @ 52a, 10V 3V @ 250µA 60 nc @ 5 v 2880 pf @ 25 v - 130W (TC)
IPUH6N03LB G Infineon Technologies ipuh6n03lb g -
RFQ
ECAD 8894 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA ipuh6n MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 50a, 10V 2V @ 40µA 22 nc @ 5 v ± 20V 2800 pf @ 15 v - 83W (TC)
F475R12KS4B11BPSA1 Infineon Technologies F475R12KS4B11BPSA1 196.1053
RFQ
ECAD 3334 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 F475R12 500 W. 기준 Ag-ECONO2C 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 전체 전체 인버터 - 1200 v 100 a 3.75V @ 15V, 75A 1 MA 5.1 NF @ 25 v
BF2040E6814 Infineon Technologies BF2040E6814 -
RFQ
ECAD 5045 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 8 v 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA 800MHz MOSFET PG-SOT-143-3D 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 40ma 15 MA - 23db 1.6dB 5 v
IPI70N10S312AKSA1 Infineon Technologies IPI70N10S312AKSA1 -
RFQ
ECAD 7876 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI70N MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 70A (TC) 10V 11.6MOHM @ 70A, 10V 4V @ 83µA 66 NC @ 10 v ± 20V 4355 pf @ 25 v - 125W (TC)
IPI90N04S402BSAKSA1 Infineon Technologies IPI90N04S402BSAKSA1 -
RFQ
ECAD 2793 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 - IPI90N - - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 - - - - - - - -
BF5030WH6327XTSA1 Infineon Technologies BF5030WH6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 3870 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 8 v 표면 표면 SC-82A, SOT-343 BF5030 800MHz MOSFET PG-SOT343-4-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 n 채널 25MA 10 MA - 24dB 1.3db 3 v
IPD65R380C6BTMA1 Infineon Technologies IPD65R380C6BTMA1 -
RFQ
ECAD 8480 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD65R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 10.6A (TC) 10V 380mohm @ 3.2a, 10V 3.5V @ 320µA 39 NC @ 10 v ± 20V 710 pf @ 100 v - 83W (TC)
IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies IMZ120R140M1HXKSA1 11.1000
RFQ
ECAD 7381 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IMZ120 sicfet ((카바이드) PG-to247-4-1 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 19A (TC) 15V, 18V 182mohm @ 6a, 18V 5.7v @ 2.5ma 13 nc @ 18 v +23V, -7v 454 pf @ 800 v - 94W (TC)
IPB50N10S3L16ATMA2 Infineon Technologies IPB50N10S3L16ATMA2 -
RFQ
ECAD 9403 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos®-T 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 영향을받지 영향을받지 448-IPB50N10S3L16ATMA2TR 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 50A (TC) 4.5V, 10V 15.7mohm @ 50a, 10V 2.4V @ 60µA 64 NC @ 10 v ± 20V 4180 pf @ 25 v - 100W (TC)
SKW25N120FKSA1 Infineon Technologies SKW25N120FKSA1 10.5373
RFQ
ECAD 9414 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SKW25N 기준 313 w PG-to247-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 800V, 25A, 22OHM, 15V 90 ns NPT 1200 v 46 a 84 a 3.6V @ 15V, 25A 3.7mj 225 NC 45NS/730NS
AUIRF7379QTR Infineon Technologies AUIRF7379QTR -
RFQ
ECAD 6061 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AUIRF7379 MOSFET (금속 (() 2.5W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001520160 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 및 p 채널 30V 5.8A, 4.3A 45mohm @ 5.8a, 10V 3V @ 250µA 25NC @ 10V 520pf @ 25V 논리 논리 게이트
IGB03N120H2ATMA1 Infineon Technologies IGB03N120H2ATMA1 1.2896
RFQ
ECAD 1652 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IGB03 기준 62.5 w PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 800V, 3A, 82OHM, 15V - 1200 v 9.6 a 9.9 a 2.8V @ 15V, 3A 290µJ 22 NC 9.2ns/281ns
IRF7757TRPBF Infineon Technologies IRF7757TRPBF -
RFQ
ECAD 9323 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) IRF7757 MOSFET (금속 (() 1.2W 8-tssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001566434 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 4.8a 35mohm @ 4.8a, 4.5v 1.2V @ 250µA 23NC @ 4.5V 1340pf @ 15V 논리 논리 게이트
BSC520N15NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC520N15NS3GATMA1 1.5900
RFQ
ECAD 8254 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC520 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 150 v 21A (TC) 8V, 10V 52mohm @ 18a, 10V 4V @ 35µA 12 nc @ 10 v ± 20V 890 pf @ 75 v - 57W (TC)
AUIRF4104 Infineon Technologies AUIRF4104 -
RFQ
ECAD 1965 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 5.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 25 v - 140W (TC)
IPB065N15N3GE8187ATMA1 Infineon Technologies IPB065N15N3GE8187ATMA1 -
RFQ
ECAD 3476 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IPB065N MOSFET (금속 (() PG-to263-7 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 150 v 130A (TC) 8V, 10V 6.5mohm @ 100a, 10V 4V @ 270µA 93 NC @ 10 v ± 20V 7300 pf @ 75 v - 300W (TC)
IPB050N10NF2SATMA1 Infineon Technologies IPB050N10NF2SATMA1 2.0800
RFQ
ECAD 742 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB050N MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 103A (TC) 6V, 10V 5.05mohm @ 60a, 10V 3.8V @ 85µA 76 NC @ 10 v ± 20V 3600 pf @ 50 v - 150W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고