전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7420TRPBF-1 | - | ![]() | 5458 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | p 채널 | 12 v | 11.5A (TA) | 1.8V, 4.5V | 14mohm @ 11.5a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 38 NC @ 4.5 v | ± 8V | 3529 pf @ 10 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BCX54E6327 | 0.0600 | ![]() | 85 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF2807STRLPBF | 2.3600 | ![]() | 390 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF2807 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 75 v | 82A (TC) | 10V | 13mohm @ 43a, 10V | 4V @ 250µA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | 3820 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IPA65R110CFDXKSA2 | 4.4522 | ![]() | 8479 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | CoolMOS ™ CFD2 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA65R | MOSFET (금속 (() | PG-to220-FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 650 v | 31.2A (TC) | 10V | 110mohm @ 12.7a, 10V | 4.5V @ 1.3ma | 118 NC @ 10 v | ± 20V | 3240 pf @ 100 v | - | 34.7W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | irlu7807zpbf | - | ![]() | 7104 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 43A (TC) | 4.5V, 10V | 13.8mohm @ 15a, 10V | 2.25V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ± 20V | 780 pf @ 15 v | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | SMBTA92E6327 | 1.0000 | ![]() | 7566 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 360 MW | PG-SOT23-3-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 300 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | 500mv @ 2ma, 20ma | 40 @ 10ma, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR08PNH6727XTSA1 | 0.0975 | ![]() | 9772 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 표면 표면 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCR08 | 250MW | PG-SOT363-PO | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100ma | - | 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) | 300MV @ 500µA, 10MA | 70 @ 5MA, 5V | 170MHz | 2.2kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | irf3711strl | - | ![]() | 4297 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 20 v | 110A (TC) | 4.5V, 10V | 6MOHM @ 15A, 10V | 3V @ 250µA | 44 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2980 pf @ 10 v | - | 3.1W (TA), 120W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | IRF6641TR1PBF | - | ![]() | 4884 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 Mz | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ Mz | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 200 v | 4.6A (TA), 26A (TC) | 10V | 59.9mohm @ 5.5a, 10V | 4.9V @ 150µA | 48 NC @ 10 v | ± 20V | 2290 pf @ 25 v | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | auirls8409-7trl | - | ![]() | 1411 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | auirls8409 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001517666 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 240A (TC) | 4.5V, 10V | 0.75mohm @ 100a, 10V | 2.4V @ 250µA | 266 NC @ 4.5 v | ± 16V | 16488 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | 64-2098pbf | - | ![]() | 2013 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 튜브 | 활동적인 | 64-2098 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001559146 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGT60R070D1ATMA4 | 23.5200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolgan ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-Powersfn | Ganfet ((갈륨) | PG-HSOF-8-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 600 v | 31A (TC) | - | - | 1.6V @ 2.6ma | -10V | 380 pf @ 400 v | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | BSS123 E6433 | - | ![]() | 8249 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n 채널 | 100 v | 170ma (TA) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 170ma, 10V | 1.8V @ 50µA | 2.67 NC @ 10 v | ± 20V | 69 pf @ 25 v | - | 360MW (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | IPD50R650CEAUMA1 | 0.8900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CE | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD50R650 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-344 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 500 v | 9A (TC) | 13V | 650mohm @ 1.8a, 13v | 3.5V @ 150µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 342 pf @ 100 v | - | 69W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IPC60R385CPX1SA1 | - | ![]() | 2805 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | IPC60 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000482562 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFH7004TR2PBF | - | ![]() | 1603 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8-vqfn q 패드 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 1.4mohm @ 100a, 10V | 3.9V @ 150µA | 194 NC @ 10 v | 6419 pf @ 25 v | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | irf3610strlpbf | 3.8800 | ![]() | 430 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF3610 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 103A (TC) | 11.6MOHM @ 62A, 10V | 4V @ 250µA | 150 nc @ 10 v | 5380 pf @ 25 v | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | BC847CB5000 | 0.0200 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 15,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3415PBF | 2.5600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF3415 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | n 채널 | 150 v | 43A (TC) | 10V | 42mohm @ 22a, 10V | 4V @ 250µA | 200 nc @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | auirfu540z | - | ![]() | 1545 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001519728 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 35A (TC) | 10V | 28.5mohm @ 21a, 10V | 4V @ 50µA | 59 NC @ 10 v | ± 20V | 1690 pf @ 25 v | - | 91W (TC) | |||||||||||||||||||
IPW60R190P6FKSA1 | 3.9400 | ![]() | 209 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P6 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IPW60R190 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 20.2A (TC) | 10V | 190mohm @ 7.6a, 10V | 4.5V @ 630µ | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 1750 pf @ 100 v | - | 151W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | BC847BWE6327BTSA1 | - | ![]() | 1682 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC847 | 250 MW | PG-SOT323 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SPB12N50C3ATMA1 | - | ![]() | 7969 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB12N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 560 v | 11.6A (TC) | 10V | 380mohm @ 7a, 10V | 3.9V @ 500µA | 49 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | SPB100N06S2L-05 | - | ![]() | 1858 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB100N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 4.4mohm @ 80a, 10V | 2V @ 250µA | 230 nc @ 10 v | ± 20V | 7530 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | auirfn8459tr | 2.8000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | AUIRFN8459 | MOSFET (금속 (() | 50W | PQFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 50a | 5.9mohm @ 40a, 10V | 3.9V @ 50µA | 60NC @ 10V | 2250pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | AIKB40N65DH5ATMA1 | 5.0800 | ![]() | 974 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AIKB40 | 기준 | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | NPT | 650 v | 40 a | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | BSC265N10LSFGATMA1 | 1.3100 | ![]() | 28 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC265 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 100 v | 6.5A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 26.5mohm @ 20a, 10V | 2.4V @ 43µA | 21 NC @ 10 v | ± 20V | 1600 pf @ 50 v | - | 78W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | BUZ32HXKSA1 | 0.5900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | 9.5A (TC) | 10V | 400mohm @ 6a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 530 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | Fz1000R12KF5NOSA1 | - | ![]() | 3301 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 쟁반 | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000100503 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB230N06L3G | - | ![]() | 9795 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 3 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 11µA | 10 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1600 pf @ 30 v | - | 36W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고