전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF9540NSPBF | - | ![]() | 8555 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001570626 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 100 v | 23A (TC) | 10V | 117mohm @ 14a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 1450 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMT65R022M1HXUMA1 | 25.0400 | ![]() | 5186 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolsic ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | 8-Powersfn | sicfet ((카바이드) | PG-HSOF-8-1 | - | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | - | 650 v | - | 18V | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPF039N08NF2SATMA1 | 3.0500 | ![]() | 697 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Strongirfet ™ 2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | IPF039N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-7-14 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 80 v | 126A (TC) | 6V, 10V | 3.9mohm @ 80a, 10V | 3.8V @ 85µA | 81 NC @ 10 v | ± 20V | 3800 pf @ 40 v | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS3L50R07W2H3FB11BPSA1 | 120.9100 | ![]() | 4203 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EasyPack ™ 2B | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS3L50 | 20 MW | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 50 a | 1.8V @ 15V, 50A | 1 MA | 예 | 3.1 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4BC15UDPBF | - | ![]() | 6769 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 기준 | 49 w | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 480V, 7.8A, 75ohm, 15V | 28 ns | - | 600 v | 14 a | 42 a | 2.4V @ 15V, 7.8A | 240µJ (on), 260µJ (OFF) | 23 NC | 17ns/160ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPTG007N06NM5ATMA1 | 6.8000 | ![]() | 8658 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 갈매기 날개 | IPTG007N | MOSFET (금속 (() | PG-HSOG-8-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,800 | n 채널 | 60 v | 53A (TA), 454A (TC) | 6V, 10V | 0.75mohm @ 150a, 10V | 3.3V @ 280µA | 261 NC @ 10 v | ± 20V | 21000 pf @ 30 v | - | 3.8W (TA), 375W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR3110ZTRLPBF | 1.9700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR3110 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 42A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 38a, 10V | 2.5V @ 100µa | 48 NC @ 4.5 v | ± 16V | 3980 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BS0203PH | - | ![]() | 9989 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 2156-BS0203PH | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fz2400R12HP4B9NPSA1 | 938.7600 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 13500 w | 기준 | Ag-IHMB190 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 단일 단일 | 도랑 | 1200 v | 3550 a | 2.05V @ 15V, 2.4ka | 5 MA | 아니요 | 150 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC050N10NS5ATMA1 | 3.0800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC050 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 100 v | 16A (TA), 100A (TC) | 6V, 10V | 5mohm @ 50a, 10V | 3.8V @ 72µA | 61 NC @ 10 v | ± 20V | 4300 pf @ 50 v | - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3303STRPBF | - | ![]() | 7593 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 38A (TC) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 20a, 10V | 1V @ 250µA | 26 NC @ 4.5 v | ± 16V | 870 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 68W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF 5020R E6327 | - | ![]() | 3715 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 8 v | 표면 표면 | SOT-143R | BF 5020 | 800MHz | MOSFET | PG-SOT-143R-3D | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 25MA | 10 MA | - | 26db | 1.2db | 5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFP450H6327XTSA1 | 0.7200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-82A, SOT-343 | BFP450 | 450MW | PG-SOT343-3D | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 15.5dB | 5V | 100ma | NPN | 60 @ 50MA, 4V | 24GHz | 1.25dB @ 1.8GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPI80N08S406AKSA1 | - | ![]() | 6435 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI80N08 | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 80 v | 80A (TC) | 10V | 5.8mohm @ 80a, 10V | 4V @ 90µA | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 4800 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7329pbf | - | ![]() | 2057 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF732 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,800 | 2 p 채널 (채널) | 12V | 9.2A | 17mohm @ 9.2a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 57NC @ 4.5V | 3450pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR555 | - | ![]() | 2306 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AIMW120R060M1HXKSA1 | 23.2000 | ![]() | 4875 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Coolsic ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | sicfet ((카바이드) | PG-to247-3-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1200 v | 36A (TC) | 18V | 78mohm @ 13a, 18V | 5.7v @ 5.6ma | 31 NC @ 18 v | +23V, -7v | 1060 pf @ 800 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF776H6327 | 0.1600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-82A, SOT-343 | 200MW | PG-SOT343-4 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 24dB | 4.7V | 50ma | NPN | 180 @ 30MA, 3V | 46GHz | 0.8db ~ 1.3db @ 1.8ghz ~ 6GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFH7191TRPBF | - | ![]() | 4294 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Fastirfet ™, Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | PQFN (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 100 v | 15A (TA), 80A (TC) | 10V | 8mohm @ 48a, 10V | 3.6V @ 100µa | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 1685 pf @ 50 v | - | 3.6W (TA), 104W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
IPI034NE7N3 g | - | ![]() | 8741 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI034N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 75 v | 100A (TC) | 3.4mohm @ 100a, 10V | 3.8V @ 155µA | 117 NC @ 10 v | 8130 pf @ 37.5 v | - | 214W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPI80N04S2H4AKSA1 | - | ![]() | 7462 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI80N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 40 v | 80A (TC) | 10V | 4mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 148 NC @ 10 v | ± 20V | 4400 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
FS200R12PT4PBOSA1 | 348.8800 | ![]() | 4288 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Econopack ™ 4 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS200R12 | 20 MW | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 6 | 전체 전체 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 200a | 2.15V @ 15V, 200a | 1 MA | 예 | 14 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP018N10N5AKSA1 | 6.6700 | ![]() | 5586 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 5 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 33A (TA), 205A (TC) | 6V, 10V | 1.83mohm @ 100a, 10V | 3.8V @ 270µA | 210 nc @ 10 v | ± 20V | 16000 pf @ 50 v | - | 3.8W (TA), 375W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR4104PBF | - | ![]() | 8562 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 40 v | 42A (TC) | 10V | 5.5mohm @ 42a, 10V | 4V @ 250µA | 89 NC @ 10 v | ± 20V | 2950 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7406TRPBF | - | ![]() | 3241 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF7406 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 30 v | 5.8A (TA) | 4.5V, 10V | 45mohm @ 2.8a, 10V | 1V @ 250µA | 59 NC @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
ipi26cne8n g | - | ![]() | 6138 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI26C | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 85 v | 35A (TC) | 10V | 26mohm @ 35a, 10V | 4V @ 39µA | 31 NC @ 10 v | ± 20V | 2070 pf @ 40 v | - | 71W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD40DP06NMATMA1 | 0.9400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD40DP06 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-313 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 4.3A (TC) | 10V | 400mohm @ 4.3a, 10V | 4V @ 166µA | 6.7 NC @ 10 v | ± 20V | 260 pf @ 30 v | - | 19W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF45R12W1J1B11BPSA1 | - | ![]() | 4207 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Econodual ™ 3 | 대부분 | 쓸모없는 | FF45R12 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000979148 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC026N02KSGAUMA1 | 1.8600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC026 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 20 v | 25A (TA), 100A (TC) | 2.5V, 4.5V | 2.6mohm @ 50a, 4.5v | 1.2V @ 200µA | 52.7 NC @ 4.5 v | ± 12V | 7800 pf @ 10 v | - | 2.8W (TA), 78W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AIMBG120R010M1XTMA1 | 81.3100 | ![]() | 5700 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolsic ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | AIMBG120 | sicfet ((카바이드) | PG-to263-7-12 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 1200 v | 187a | - |
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