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트랜지스터 (13833)
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| IRF7379TRPBF | - | | 7519 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF737 | MOSFET (금속 (() | 2.5W | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 및 p 채널 | 30V | 5.8A, 4.3A | 45mohm @ 5.8a, 10V | 1V @ 250µA | 25NC @ 10V | 520pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||
| IPC26N12NX1SA1 | 3.4959 | | 6050 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 대부분 | 활동적인 | - | 표면 표면 | 주사위 | IPC26N | MOSFET (금속 (() | 호일에 호일에 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 120 v | 1A (TJ) | 10V | 100mohm @ 2a, 10V | 4V @ 244µA | - | - | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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