SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
IPP60R210CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R210CFD7XKSA1 3.2700
RFQ
ECAD 500 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R210 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 210mohm @ 4.9a, 10V 4.5V @ 240µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1015 pf @ 400 v - 64W (TC)
IPB65R190CFD7AATMA1 Infineon Technologies IPB65R190CFD7AATMA1 4.3100
RFQ
ECAD 5315 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB65R190 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 14A (TC) 190mohm @ 6.4a, 10V 4.5V @ 320µA 28 nc @ 10 v ± 20V 1291 pf @ 400 v - 77W (TC)
ISC032N12LM6ATMA1 Infineon Technologies ISC032N12LM6ATMA1 1.8378
RFQ
ECAD 4451 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-ISC032N12LM6ATMA1TR 5,000
IPN60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies IPN60R1K0CEATMA1 0.7500
RFQ
ECAD 2709 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IPN60R1 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 6.8A (TC) 10V 1ohm @ 1.5a, 10V 3.5V @ 130µA 13 nc @ 10 v ± 20V 280 pf @ 100 v - 5W (TC)
IPD50R650CEBTMA1 Infineon Technologies IPD50R650CEBTMA1 -
RFQ
ECAD 9428 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD50R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 6.1A (TC) 13V 650mohm @ 1.8a, 13v 3.5V @ 150µA 15 nc @ 10 v ± 20V 342 pf @ 100 v - 47W (TC)
IRF9317TRPBF Infineon Technologies IRF9317TRPBF 1.0500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF9317 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 30 v 16A (TA) 4.5V, 10V 6.6mohm @ 16a, 10V 2.4V @ 50µA 92 NC @ 10 v ± 20V 2820 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IRFR13N20DPBF Infineon Technologies IRFR13N20DPBF -
RFQ
ECAD 8809 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 200 v 13A (TC) 10V 235mohm @ 8a, 10V 5.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 830 pf @ 25 v - 110W (TC)
IPC60R125C6UNSAWNX6SA1 Infineon Technologies IPC60R125C6UNSAWNX6SA1 -
RFQ
ECAD 4171 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 IPC60R - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000857778 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies BSP149H6327XTSA1 1.4400
RFQ
ECAD 8598 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BSP149 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 660MA (TA) 0V, 10V 1.8ohm @ 660ma, 10V 1V @ 400µA 14 nc @ 5 v ± 20V 430 pf @ 25 v 고갈 고갈 1.8W (TA)
IRLML2030TRPBF Infineon Technologies irlml2030trpbf 0.3900
RFQ
ECAD 56 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 irlml2030 MOSFET (금속 (() Micro3 ™/SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 2.7A (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 2.7a, 10V 2.3V @ 25µA 1 NC @ 4.5 v ± 20V 110 pf @ 15 v - 1.3W (TA)
BCW 61D E6327 Infineon Technologies BCW 61d E6327 0.0400
RFQ
ECAD 30 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 6,869 32 v 100 MA 20NA (ICBO) PNP 550MV @ 1.25ma, 50ma 380 @ 2MA, 5V 250MHz
BCR183SH6433XTMA1 Infineon Technologies BCR183SH6433XTMA1 0.0583
RFQ
ECAD 5406 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR183 250MW PG-SOT363-PO 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50V 100ma - 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
SPA07N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPA07N60C3XKSA1 2.7300
RFQ
ECAD 8938 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SPA07N60 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-31 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 790 pf @ 25 v - 32W (TC)
IPW90R340C3FKSA1 Infineon Technologies IPW90R340C3FKSA1 -
RFQ
ECAD 5223 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW90R MOSFET (금속 (() PG-to247-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 900 v 15A (TC) 10V 340mohm @ 9.2a, 10V 3.5V @ 1mA 94 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 100 v - 208W (TC)
BC858CE6433HTMA1 Infineon Technologies BC858CE6433HTMA1 0.0489
RFQ
ECAD 6225 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 250MHz
IRF3717TR Infineon Technologies IRF3717TR -
RFQ
ECAD 4631 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 20 v 20A (TA) 4.5V, 10V 4.4mohm @ 20a, 10V 2.45V @ 250µA 33 NC @ 4.5 v ± 20V 2890 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
PTF080101S V1 Infineon Technologies PTF080101S V1 -
RFQ
ECAD 7761 0.00000000 인피온 인피온 Goldmos® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 H-32259-2 960MHz LDMOS H-32259-2 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 1µA 150 MA 10W 18.5dB - 28 v
BCW61BE6327HTSA1 Infineon Technologies BCW61BE6327HTSA1 0.0529
RFQ
ECAD 8915 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW61 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 32 v 100 MA 20NA (ICBO) PNP 550MV @ 1.25ma, 50ma 180 @ 2MA, 5V 250MHz
BC856S E6433 Infineon Technologies BC856S E6433 0.0300
RFQ
ECAD 8372 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC856 250MW SOT-363 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,666 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 650MV @ 5MA, 100MA 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IRF1010EZS Infineon Technologies IRF1010EZS -
RFQ
ECAD 6019 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irf1010ezs 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 75A (TC) 10V 8.5mohm @ 51a, 10V 4V @ 100µa 86 NC @ 10 v ± 20V 2810 pf @ 25 v - 140W (TC)
IRFI540NPBF Infineon Technologies IRFI540NPBF 1.8500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IRFI540 MOSFET (금속 (() TO-220AB Full-Pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 20A (TC) 10V 52mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 94 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 54W (TC)
IPD30N06S2-15 Infineon Technologies IPD30N06S2-15 -
RFQ
ECAD 7998 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD30N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 30A (TC) 10V 14.7mohm @ 30a, 10V 4V @ 80µa 110 NC @ 10 v ± 20V 1485 pf @ 25 v - 136W (TC)
IRFHM9331TR2PBF Infineon Technologies IRFHM9331TR2PBF -
RFQ
ECAD 3299 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PQFN (3x3) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 p 채널 30 v 11A (TA), 24A (TC) 10mohm @ 11a, 20V 2.4V @ 25µA 48 NC @ 10 v 1543 pf @ 25 v -
IRG4BC30WPBF Infineon Technologies IRG4BC30WPBF -
RFQ
ECAD 5712 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 100 W. TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 480v, 12a, 23ohm, 15v - 600 v 23 a 92 a 2.7V @ 15V, 12a 130µJ (on), 130µJ (OFF) 51 NC 25ns/99ns
AUIRFS4010-7TRL Infineon Technologies AUIRFS4010-7TRL 4.4141
RFQ
ECAD 4085 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001518838 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 190a (TC) 4mohm @ 110a, 10V 4V @ 250µA 230 nc @ 10 v 9830 pf @ 50 v - 380W (TC)
FF600R12KE7PEHPSA1 Infineon Technologies FF600R12KE7PEHPSA1 261.2688
RFQ
ECAD 9955 0.00000000 인피온 인피온 C, TrenchStop ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 기준 Ag-62mmhb - Rohs3 준수 8 하프 하프 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 600 a 1.75V @ 15V, 600A 100 µa 아니요 92300 pf @ 25 v
IRLML5203 Infineon Technologies irlml5203 -
RFQ
ECAD 8814 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() Micro3 ™/SOT-23 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 p 채널 30 v 3A (TA) 4.5V, 10V 98mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 510 pf @ 25 v - 1.25W (TA)
FD1000R33HL3KBPSA1 Infineon Technologies FD1000R33HL3KBPSA1 2.0000
RFQ
ECAD 1959 0.00000000 인피온 인피온 IHM-B 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FD1000 11500 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 독립 트렌치 트렌치 정지 3300 v 1000 a 2.85V @ 15V, 1000A 5 MA 아니요 190 NF @ 25 v
FP35R12KT4PBPSA1 Infineon Technologies FP35R12KT4PBPSA1 125.5450
RFQ
ECAD 9404 0.00000000 인피온 인피온 Econopim ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FP35R12 20 MW 3 정류기 정류기 브리지 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 70 a 2.15V @ 15V, 35A 1 MA 2 NF @ 25 v
IGZ100N65H5 Infineon Technologies IGZ100N65H5 -
RFQ
ECAD 4322 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 기준 536 w PG-to247-4-1 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 400V, 50A, 8ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 650 v 161 a 400 a 2.1V @ 15V, 100A 850µJ (on), 770µJ (OFF) 210 NC 30ns/421ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고