SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
PTFC210202FCV1XWSA1 Infineon Technologies PTFC210202FCV1XWSA1 -
RFQ
ECAD 6828 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 65 v 섀시 섀시 H-37248-4 2.2GHz LDMOS H-37248-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001096308 귀 99 8541.29.0095 50 이중 - 170 MA 5W 21db - 28 v
SIPC26N60CFDX1SA1 Infineon Technologies SIPC26N60CFDX1SA1 -
RFQ
ECAD 7916 0.00000000 인피온 인피온 - 상자 쓸모없는 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000015120 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
SPB80N06S2L-05 Infineon Technologies SPB80N06S2L-05 -
RFQ
ECAD 7356 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 80A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 80a, 10V 2V @ 250µA 230 nc @ 10 v ± 20V 7530 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRFR4105TR Infineon Technologies irfr4105tr -
RFQ
ECAD 7337 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 55 v 27A (TC) 10V 45mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 68W (TC)
AUIRL1404S Infineon Technologies auirl1404s -
RFQ
ECAD 6910 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 40 v 160A (TC) 4.3V, 10V 4mohm @ 95a, 10V 3V @ 250µA 140 nc @ 5 v ± 20V 6600 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
64-8016 Infineon Technologies 64-8016 -
RFQ
ECAD 4083 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRL1404 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 75A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 75a, 10V 2.7V @ 250µA 110 NC @ 5 v ± 16V 5080 pf @ 25 v - 230W (TC)
BSS84P E6433 Infineon Technologies BSS84P E6433 -
RFQ
ECAD 6667 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 60 v 170ma (TA) 4.5V, 10V 8ohm @ 170ma, 10V 2V @ 20µA 1.5 nc @ 10 v ± 20V 19 pf @ 25 v - 360MW (TA)
IRFU3410PBF Infineon Technologies IRFU3410PBF 1.2500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU3410 MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 31A (TC) 10V 39mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 20V 1690 pf @ 25 v - 3W (TA), 110W (TC)
FF450R33T3E3P2BPSA1 Infineon Technologies FF450R33T3E3P2BPSA1 1.0000
RFQ
ECAD 6115 0.00000000 인피온 인피온 XHP ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF450R33 1000000 W. 기준 AG-XHP100-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 8541.29.0095 2 반 반 트렌치 트렌치 정지 3300 v 450 a 2.75V @ 15V, 450A 5 MA 아니요
SPB07N60C3 Infineon Technologies SPB07N60C3 -
RFQ
ECAD 1041 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V @ 350µA 27 NC @ 10 v ± 20V 790 pf @ 25 v - 83W (TC)
SPD03N60C3ATMA1 Infineon Technologies SPD03N60C3ATMA1 1.5800
RFQ
ECAD 28 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SPD03N60 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 3.2A (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10V 3.9V @ 135µA 17 nc @ 10 v ± 20V 400 pf @ 25 v - 38W (TC)
IPB50R199CPATMA1 Infineon Technologies IPB50R199CPATMA1 2.0689
RFQ
ECAD 6316 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB50R199 MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 550 v 17A (TC) 10V 199mohm @ 9.9a, 10V 3.5V @ 660µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1800 PF @ 100 v - 139W (TC)
FS50R12W2T4BOMA1 Infineon Technologies FS50R12W2T4BOMA1 70.2800
RFQ
ECAD 27 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FS50R12 335 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 전체 전체 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 83 a 2.15V @ 15V, 50A 1 MA 2.8 NF @ 25 v
IKY50N120CH3XKSA1 Infineon Technologies IKY50N120CH3XKSA1 13.6700
RFQ
ECAD 3955 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 iky50n120 기준 652 w PG-to247-4 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 50A, 10ohm, 15V 255 ns - 1200 v 100 a 200a 2.35V @ 15V, 50A 2.3mj (on), 1.9mj (OFF) 235 NC 32ns/296ns
IRLR3114ZPBF Infineon Technologies IRLR3114ZPBF -
RFQ
ECAD 8968 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001568538 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 42A (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 42a, 10V 2.5V @ 100µa 56 NC @ 4.5 v ± 16V 3810 pf @ 25 v - 140W (TC)
BYM600A170DN2HOSA1 Infineon Technologies BYM600A170DN2HOSA1 -
RFQ
ECAD 5542 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 BYM600 1400 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 - - 아니요
IPG16N10S4-61 Infineon Technologies IPG16N10S4-61 1.0000
RFQ
ECAD 9444 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn IPG16N MOSFET (금속 (() 29W (TC) PG-TDSON-8-4 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 2 n 채널 (채널) 100V 16A (TC) 61mohm @ 16a, 10V 3.5V @ 9µA 7NC @ 10V 490pf @ 25V -
FF1500R17IP5PBPSA1 Infineon Technologies FF1500R17IP5PBPSA1 1.0000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Primepack ™ 3+ b 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF1500R 1500 W. 기준 Ag-Prime3+-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3 반 반 트렌치 트렌치 정지 1700 v 1500 a 2.2V @ 15V, 1.5KA 5 MA
SIGC42T60NCX7SA1 Infineon Technologies SIGC42T60NCX7SA1 -
RFQ
ECAD 5540 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 주사위 SIGC42T60 기준 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 300V, 50A, 3.3OHM, 15V NPT 600 v 50 a 150 a 2.5V @ 15V, 50A - 43ns/130ns
IGP50N60TXKSA1 Infineon Technologies IGP50N60TXKSA1 5.7200
RFQ
ECAD 9063 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IGP50N60 기준 333 w PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 50A, 7ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 600 v 100 a 150 a 2V @ 15V, 50A 2.6mj 310 NC 26ns/299ns
IRFR4104TR Infineon Technologies irfr4104tr -
RFQ
ECAD 6879 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 42A (TC) 10V 5.5mohm @ 42a, 10V 4V @ 250µA 89 NC @ 10 v ± 20V 2950 pf @ 25 v - 140W (TC)
FF800R12KE7HPSA1 Infineon Technologies FF800R12KE7HPSA1 357.5600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 기준 Ag-62mm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 반 반 트렌치 트렌치 정지 1200 v 800 a 1.75V @ 15V, 800A 100 µa 아니요 122 NF @ 25 v
IPA045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPA045N10N3GXKSA1 2.8100
RFQ
ECAD 419 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA045 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 64A (TC) 6V, 10V 4.5mohm @ 64a, 10V 3.5V @ 150µA 117 NC @ 10 v ± 20V 8410 pf @ 50 v - 39W (TC)
IRFR2905ZTRPBF Infineon Technologies irfr2905ztrpbf 1.3200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR2905 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 55 v 42A (TC) 10V 14.5mohm @ 36a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1380 pf @ 25 v - 110W (TC)
PTVA120251EAV2XWSA1 Infineon Technologies PTVA120251EAV2XWSA1 -
RFQ
ECAD 6807 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 50 v 표면 표면 H-36265-2 500MHz ~ 1.4GHz LDMOS H-36265-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001210504 귀 99 8541.29.0095 50 - 30W 16db -
AUXMOS20956STR Infineon Technologies auxmos20956st -
RFQ
ECAD 8154 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 -
IRFTS9342TRPBF Infineon Technologies IRFTS9342TRPBF 0.5800
RFQ
ECAD 11 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 IRFTS9342 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 5.8A (TA) 4.5V, 10V 40mohm @ 5.8a, 10V 2.4V @ 25µA 12 nc @ 10 v ± 20V 595 pf @ 25 v - 2W (TA)
BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC110N06NS3GATMA1 1.0500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC110 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 11mohm @ 50a, 10V 4V @ 23µA 33 NC @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 30 v - 2.5W (TA), 50W (TC)
FF450R33T3E3B5P3BPMA1 Infineon Technologies FF450R33T3E3B5P3BPMA1 1.0000
RFQ
ECAD 6353 0.00000000 인피온 인피온 XHP ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF450R33 1000 w 기준 Ag-XHP3K33 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3 2 독립 트렌치 트렌치 정지 3300 v 450 a 2.75V @ 15V, 450A 5 MA 아니요 84 NF @ 25 v
IPBE65R190CFD7AATMA1 Infineon Technologies IPBE65R190CFD7AATMA1 5.6800
RFQ
ECAD 948 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA IPBE65 MOSFET (금속 (() PG-to263-7-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 14A (TC) 190mohm @ 6.4a, 10V 4.5V @ 320µA 7 nc @ 10 v ± 20V 1291 pf @ 400 v - 77W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고