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트랜지스터 (13833)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SPD50N03S2-07 | - |  | 9554 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SPD50N | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 50A (TC) | 10V | 7.3mohm @ 50a, 10V | 4V @ 85µA | 46.5 nc @ 10 v | ± 20V | 2170 pf @ 25 v | - | 136W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPB147N03LGATMA1 | - | | 8730 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB147N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 14.7mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 250µA | 10 nc @ 10 v | ± 20V | 1000 pf @ 15 v | - | 31W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIGC05T60SNCX7SA2 | - | | 7719 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | SIGC05 | 기준 | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 1 | 400V, 4A, 67OHM, 15V | NPT | 600 v | 4 a | 12 a | 2.5V @ 15V, 4A | - | 22ns/264ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRL3202S | - | | 4897 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL3202S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 20 v | 48A (TC) | 4.5V, 7V | 16mohm @ 29a, 7v | 700mv @ 250µa (최소) | 43 NC @ 4.5 v | ± 10V | 2000 pf @ 15 v | - | 69W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPP42N03S2L13 | - | | 7493 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | spp42n | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 30 v | 42A (TC) | 4.5V, 10V | 12.9mohm @ 21a, 10V | 2V @ 37µA | 30.5 nc @ 10 v | ± 20V | 1130 pf @ 25 v | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGS14C40LPBF | - | | 1486 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRGS14 | 논리 | 125 w | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | - | 430 v | 20 a | 1.75V @ 5V, 14a | - | 27 NC | 900ns/6µs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF3708PBF | - | | 6886 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 62A (TC) | 2.8V, 10V | 12MOHM @ 15A, 10V | 2V @ 250µA | 24 nc @ 4.5 v | ± 12V | 2417 pf @ 15 v | - | 87W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSP320SL6433 | 0.2000 | | 7 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4-21 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 60 v | 2.9A (TJ) | 10V | 120mohm @ 2.9a, 10V | 4V @ 20µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 340 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PTFA092211FLV4R250XTMA1 | - | | 3074 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 | 920MHz ~ 960MHz | LDMOS | H-34288-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000688950 | 5A991G | 8541.29.0095 | 250 | - | 1.75 a | 50W | 18db | - | 30 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AUIRGP4062D1-E | 5.2766 | | 7344 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | AUIRGP4062 | 기준 | 217 w | TO-247AD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001511102 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 24A, 10ohm, 15V | 102 ns | 도랑 | 600 v | 55 a | 72 a | 1.77V @ 15V, 24A | 532µJ (on), 311µJ (OFF) | 77 NC | 19ns/90ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSP89L6327HTSA1 | - | | 4702 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BSP89 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4-21 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 240 v | 350MA (TA) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 350ma, 10V | 1.8V @ 108µA | 6.4 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IAUC120N04S6N006ATMA1 | 4.0600 | | 6603 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | IAUC120 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-53 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 120A (TJ) | 7V, 10V | 0.6MOHM @ 60A, 10V | 3V @ 130µA | 151 NC @ 10 v | ± 20V | 10117 pf @ 25 v | - | 187W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD90P03P404ATMA2 | 2.7500 | | 11 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos®-P2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD90 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 90A (TC) | 4.5mohm @ 90a, 10V | 4V @ 253µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 10300 pf @ 25 v | - | 137W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| irgpc50ud2 | - | | 7003 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 가방 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 200 w | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | - | 600 v | 55 a | 3V @ 15V, 27A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC600N25NS3GATMA1 | 3.5900 | | 1710 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC600 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 250 v | 25A (TC) | 10V | 60mohm @ 25a, 10V | 4V @ 90µA | 29 NC @ 10 v | ± 20V | 2350 pf @ 100 v | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| irfr2407trlpbf | - | | 2449 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR2407 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 75 v | 42A (TC) | 10V | 26mohm @ 25a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFC260NB | - | | 1905 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 대부분 | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | 주사위 | MOSFET (금속 (() | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 448-IRFC260NB | 쓸모없는 | 1 | - | 200 v | 50a | 10V | 40mohm @ 50a, 10V | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFC9024NB | - | | 3219 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 대부분 | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | 주사위 | MOSFET (금속 (() | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 448-IRFC9024NB | 쓸모없는 | 1 | - | 55 v | 11a | 10V | 175mohm @ 11a, 10V | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFH3707TRPBF | 0.5300 | | 249 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | IRFH3707 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 12A (TA), 29A (TC) | 4.5V, 10V | 12.4mohm @ 12a, 10V | 2.35V @ 25µA | 8.1 NC @ 4.5 v | ± 20V | 755 pf @ 15 v | - | 2.8W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSS80C | 0.0300 | | 6085 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 790 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FP50R06W2E3BOMA1 | 64.7000 | | 5951 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FP50R06 | 175 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 65 a | 1.9V @ 15V, 50A | 1 MA | 예 | 3.1 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD65R950CFDATMA1 | 0.6380 | | 5512 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD65R950 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 650 v | 3.9A (TC) | 10V | 950mohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 200µA | 14.1 NC @ 10 v | ± 20V | 380 pf @ 100 v | - | 36.7W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCR196E6327 | 0.0400 | | 60 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR196 | 200 MW | PG-SOT23-3-11 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,013 | 50 v | 70 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 50 @ 5MA, 5V | 150MHz | 47 Kohms | 22 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP015N04NGXKSA1 | 4.9700 | | 494 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP015 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 10V | 1.5mohm @ 100a, 10V | 4V @ 200µA | 250 nc @ 10 v | ± 20V | 20000 PF @ 20 v | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFH5020TRPBF | 2.3900 | | 568 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | IRFH5020 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 200 v | 5.1A (TA) | 10V | 55mohm @ 7.5a, 10V | 5V @ 150µA | 54 NC @ 10 v | ± 20V | 2290 pf @ 100 v | - | 3.6W (TA), 8.3W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGS4B60KD1TRRP | - | | 8783 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRGS4B60 | 기준 | 63 W. | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001534000 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | 400V, 4A, 100ohm, 15V | 93 ns | NPT | 600 v | 11 a | 22 a | 2.5V @ 15V, 4A | 73µJ (on), 47µJ (OFF) | 12 NC | 22ns/100ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FP15R06KL4BOMA1 | - | | 2077 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 20 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPD02N50C3BTMA1 | - | | 5255 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SPD02N | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-311 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 500 v | 1.8A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.1a, 10V | 3.9V @ 80µA | 9 NC @ 10 v | ± 20V | 190 pf @ 25 v | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FS100R07N2E4BPSA1 | 136.6000 | | 5677 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EconoPack ™ 2 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS100R07 | 335 w | 기준 | Ag-Econo2b | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 100 a | 1.95V @ 15V, 100A | 1 MA | 예 | 6.2 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| auirf1010zstrl | 2.2781 | | 9578 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 7.5mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 95 NC @ 10 v | 2840 pf @ 25 v | - | 140W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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