SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
IRFH7911TRPBF Infineon Technologies IRFH7911TRPBF -
RFQ
ECAD 1792 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 18-powervqfn IRFH7911 MOSFET (금속 (() 2.4W, 3.4W PQFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 SP001577920 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 30V 13a, 28a 8.6mohm @ 12a, 10V 2.35V @ 25µA 12NC @ 4.5V 1060pf @ 15V 논리 논리 게이트
BG3430RE6327HTSA1 Infineon Technologies BG3430RE6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 9214 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 8 v 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 800MHz MOSFET PG-SOT363-PO 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 25MA 14 MA - 25db 1.3db 5 v
IRFR5505CPBF Infineon Technologies IRFR5505CPBF -
RFQ
ECAD 5154 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 55 v 18A (TC) 10V 110mohm @ 9.6a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 650 pf @ 25 v - 57W (TC)
IPP80R1K4P7XKSA1 Infineon Technologies IPP80R1K4P7XKSA1 1.6600
RFQ
ECAD 28 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80R1 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 SP001422718 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 4A (TC) 10V 1.4ohm @ 1.4a, 10V 3.5V @ 70µA 10 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 500 v - 32W (TC)
FD1200R17KE3KB2NOSA1 Infineon Technologies FD1200R17KE3KB2NOSA1 -
RFQ
ECAD 1695 0.00000000 인피온 인피온 IHM-B 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 6600 w 기준 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 단일 단일 - 1700 v 1700 a 2.45V @ 15V, 1.2KA 5 MA 아니요 110 NF @ 25 v
IPP80N04S304AKSA1 Infineon Technologies IPP80N04S304AKSA1 0.6800
RFQ
ECAD 452 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 452 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 4.1mohm @ 80a, 10V 4V @ 90µA 80 nc @ 10 v ± 20V 5200 pf @ 25 v - 136W (TC)
BSP324H6327XTSA1 Infineon Technologies BSP324H6327XTSA1 0.9100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BSP324 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 170ma (TA) 4.5V, 10V 25ohm @ 170ma, 10V 2.3V @ 94µA 5.9 NC @ 10 v ± 20V 154 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
IRG4PH20KDPBF Infineon Technologies irg4ph20kdpbf -
RFQ
ECAD 6829 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 irg4ph20 기준 60 W. TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 800V, 5A, 50ohm, 15V 51 ns - 1200 v 11 a 22 a 4.3V @ 15V, 5A 620µJ (on), 300µJ (OFF) 28 NC 50ns/100ns
IRF4104 Infineon Technologies IRF4104 -
RFQ
ECAD 6372 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF4104 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 5.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 25 v - 140W (TC)
IPI040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies IPI040N06N3GXKSA1 2.0500
RFQ
ECAD 9703 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI040 MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 90A (TC) 10V 4MOHM @ 90A, 10V 4V @ 90µA 98 NC @ 10 v ± 20V 11000 pf @ 30 v - 188W (TC)
IPP200N25N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP200N25N3GXKSA1 8.9900
RFQ
ECAD 440 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP200 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 64A (TC) 10V 20mohm @ 64a, 10V 4V @ 270µA 86 NC @ 10 v ± 20V 7100 pf @ 100 v - 300W (TC)
PTFA081501F V1 Infineon Technologies PTFA081501F V1 -
RFQ
ECAD 9511 0.00000000 인피온 인피온 Goldmos® 쟁반 sic에서 중단되었습니다 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드 900MHz LDMOS H-31248-2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 10µA 950 MA 150W 18db - 28 v
IRLR7833CTRLPBF Infineon Technologies IRLR7833CTRLPBF -
RFQ
ECAD 9565 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 140A (TA) 4.5V, 10V - - ± 20V - 140W (TC)
SPW20N60S5FKSA1 Infineon Technologies SPW20N60S5FKSA1 -
RFQ
ECAD 8951 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 spw20n MOSFET (금속 (() PG-to247-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 190mohm @ 13a, 10V 5.5V @ 1mA 103 NC @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 25 v - 208W (TC)
IRFR4510PBF Infineon Technologies IRFR4510PBF -
RFQ
ECAD 6175 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001564880 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 56A (TC) 10V 13.9mohm @ 38a, 10V 4V @ 100µa 81 NC @ 10 v ± 20V 3031 pf @ 50 v - 143W (TC)
BSC050N0LSG Infineon Technologies BSC050N0LSG 1.0000
RFQ
ECAD 8581 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 5,000
DDB6U134N16RRB80BPSA1 Infineon Technologies DDB6U134N16RRB80BPSA1 159.9700
RFQ
ECAD 15 0.00000000 인피온 인피온 * 쟁반 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15
IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies IPD60R360PFD7SAUMA1 1.4100
RFQ
ECAD 9676 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ PFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3-344 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 360mohm @ 2.9a, 10V 4.5V @ 140µA 12.7 NC @ 10 v ± 20V 534 pf @ 400 v - 43W (TC)
IPB77N06S212ATMA2 Infineon Technologies IPB77N06S212ATMA2 -
RFQ
ECAD 4092 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB77N06 MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 77A (TC) 10V 11.7mohm @ 38a, 10V 4V @ 93µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1770 pf @ 25 v - 158W (TC)
IRLZ44ZPBF Infineon Technologies IRLZ44ZPBF 1.3100
RFQ
ECAD 79 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRLZ44 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 51A (TC) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 31a, 10V 3V @ 250µA 36 nc @ 5 v ± 16V 1620 pf @ 25 v - 80W (TC)
IRG4PH30KD Infineon Technologies irg4ph30kd -
RFQ
ECAD 2205 0.00000000 인피온 인피온 - 가방 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 irg4ph30 기준 100 W. TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irg4ph30kd 귀 99 8541.29.0095 25 800V, 10A, 23ohm, 15V 50 ns - 1200 v 20 a 40 a 4.2V @ 15V, 10A 950µJ (on), 1.15mj (OFF) 53 NC 39ns/220ns
FS500R17OE4DPBOSA1 Infineon Technologies FS500R17OE4DPBOSA1 1.0000
RFQ
ECAD 9694 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FS500R17 20 MW 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4 전체 전체 트렌치 트렌치 정지 1700 v 1000 a 2.3V @ 15V, 500A 3 MA 40 nf @ 25 v
FF100R12MT4 Infineon Technologies FF100R12MT4 -
RFQ
ECAD 9329 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
SPA07N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPA07N60C3XKSA1 2.7300
RFQ
ECAD 8938 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SPA07N60 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-31 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 790 pf @ 25 v - 32W (TC)
IRLU2705 Infineon Technologies IRLU2705 -
RFQ
ECAD 2351 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLU2705 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 55 v 28A (TC) 4V, 10V 40mohm @ 17a, 10V 2V @ 250µA 25 nc @ 5 v ± 16V 880 pf @ 25 v - 68W (TC)
BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies BSP149H6327XTSA1 1.4400
RFQ
ECAD 8598 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BSP149 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 660MA (TA) 0V, 10V 1.8ohm @ 660ma, 10V 1V @ 400µA 14 nc @ 5 v ± 20V 430 pf @ 25 v 고갈 고갈 1.8W (TA)
BCW60A Infineon Technologies BCW60A 0.0400
RFQ
ECAD 1922 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 다운로드 적용 적용 수 할 귀 99 8541.21.0075 366 32 v 100 MA 20NA NPN 550MV @ 1.25ma, 50ma 120 @ 2MA, 5V 125MHz
IPD95R450PFD7ATMA1 Infineon Technologies IPD95R450PFD7ATMA1 2.8900
RFQ
ECAD 4696 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 950 v 13.3A (TC) 10V 450mohm @ 7.2a, 10V 3.5V @ 360µA 43 NC @ 10 v ± 20V 1230 pf @ 400 v - 104W (TC)
IRGP6640D-EPBF Infineon Technologies IRGP6640D-EPBF -
RFQ
ECAD 2913 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 200 w TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001546152 귀 99 8541.29.0095 25 400V, 24A, 10ohm, 15V 70 ns - 600 v 53 a 72 a 1.95V @ 15V, 24A 90µJ (on), 600µJ (OFF) 50 NC 40ns/100ns
IRGC100B60KB Infineon Technologies IRGC100B60KB -
RFQ
ECAD 6394 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 - 표면 표면 주사위 IRGC100 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 - NPT 600 v 100 a 2.1V @ 15V, 100A - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고