전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFR13N15DPBF | - | ![]() | 8617 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001556864 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 150 v | 14A (TC) | 10V | 180mohm @ 8.3a, 10V | 5.5V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 30V | 620 pf @ 25 v | - | 86W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | irfhm8337trpbf | - | ![]() | 5125 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 12A (TA) | 4.5V, 10V | 12.4mohm @ 12a, 10V | 2.35V @ 25µA | 8.1 NC @ 4.5 v | ± 20V | 755 pf @ 15 v | - | 2.8W (TA), 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3706 | - | ![]() | 7721 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF3706 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 20 v | 77A (TC) | 2.8V, 10V | 8.5mohm @ 15a, 10V | 2V @ 250µA | 35 NC @ 4.5 v | ± 12V | 2410 pf @ 10 v | - | 88W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IPLK60R1K0PFD7ATMA1 | 1.3400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | CoolMOS ™ PFD7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | IPLK60 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-52 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 600 v | 5.2A (TC) | 10V | 1ohm @ 1a, 10v | 4.5V @ 50µA | 6 nc @ 10 v | ± 20V | 230 pf @ 400 v | - | 31.3W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SPD04P10PGBTMA1 | 0.9800 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SPD04P10 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 100 v | 4A (TC) | 10V | 1ohm @ 2.8a, 10V | 4V @ 380µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 319 pf @ 25 v | - | 38W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IKW50N120CH7XKSA1 | 9.7100 | ![]() | 8367 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop ™ | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IKW50N | 기준 | 398 w | PG-to247-3-U06 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 116 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 86 a | 200a | 2.15V @ 15V, 50A | 2.33mj (on), 1.12mj (OFF) | 375 NC | 39ns/319ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3515S | - | ![]() | 5185 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 150 v | 41A (TC) | 10V | 45mohm @ 25a, 10V | 4.5V @ 250µA | 107 NC @ 10 v | ± 30V | 2260 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP114N03LGHKSA1 | 0.3200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 3 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 11.4mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 1500 pf @ 15 v | - | 38W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP65R110CFDXKSA2 | 6.8400 | ![]() | 7298 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | CoolMOS ™ CFD2 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP65R110 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 650 v | 31.2A (TC) | 10V | 110mohm @ 12.7a, 10V | 4.5V @ 1.3ma | 118 NC @ 10 v | ± 20V | 3240 pf @ 100 v | - | 277.8W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BSP297L6327HTSA1 | - | ![]() | 7291 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4-21 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 200 v | 660MA (TA) | 4.5V, 10V | 1.8ohm @ 660ma, 10V | 1.8V @ 400µA | 16.1 NC @ 10 v | ± 20V | 357 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGP20N65H5XKSA1 | 2.7600 | ![]() | 7029 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IGP20N65 | 기준 | 125 w | PG-to220-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 10A, 32OHM, 15V | - | 650 v | 42 a | 60 a | 2.1V @ 15V, 20A | 170µJ (on), 60µJ (OFF) | 48 NC | 18ns/156ns | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSL202SNH6327XTSA1 | 0.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | BSL202 | MOSFET (금속 (() | PG-TSOP6-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 7.5A (TA) | 2.5V, 4.5V | 22mohm @ 7.5a, 4.5v | 1.2V @ 30µA | 8.7 NC @ 10 v | ± 12V | 1147 pf @ 10 v | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR119SH6327 | - | ![]() | 6993 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCR119 | 250MW | PG-SOT363-6-1 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100ma | 100NA (ICBO) | 2 npn--바이어스 (듀얼) | 300MV @ 500µA, 10MA | 120 @ 5MA, 5V | 150MHz | 4.7kohms | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR 129T E6327 | - | ![]() | 8963 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | BCR 129 | 250 MW | PG-SC-75 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 120 @ 5MA, 5V | 150MHz | 10 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPW60R075CPXK | - | ![]() | 9797 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3-41 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 600 v | 39A (TC) | 10V | 75mohm @ 26a, 10V | 3.5v @ 1.7ma | 116 NC @ 10 v | ± 20V | 4000 pf @ 100 v | - | 313W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irl3302s | - | ![]() | 1467 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL3302S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 20 v | 39A (TC) | 4.5V, 7V | 20mohm @ 23a, 7v | 700mv @ 250µa (최소) | 31 NC @ 4.5 v | ± 10V | 1300 pf @ 15 v | - | 57W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFB8405-071 | - | ![]() | 7744 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 10V | 2.5mohm @ 100a, 10V | 3.9V @ 100µA | 161 NC @ 10 v | ± 20V | 5193 pf @ 25 v | - | 163W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF1405S | - | ![]() | 1951 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 131A (TC) | 10V | 5.3mohm @ 101a, 10V | 4V @ 250µA | 260 NC @ 10 v | ± 20V | 5480 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | irfu2405pbfakla1 | - | ![]() | 5208 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 튜브 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 448-irfu2405pbfakla1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7403TR | - | ![]() | 9451 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | Q829130 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 8.5A (TA) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 4a, 10V | 1V @ 250µA | 57 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF1407L | - | ![]() | 6962 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF1407L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 75 v | 100A (TC) | 10V | 7.8mohm @ 78a, 10V | 4V @ 250µA | 250 nc @ 10 v | ± 20V | 5600 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR 108F E6327 | - | ![]() | 8008 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SOT-723 | BCR 108 | 250 MW | PG-TSFP-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 70 @ 5MA, 5V | 170 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPA21N50C3XKSA1 | - | ![]() | 5076 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | SPA21N50 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-31 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 560 v | 21A (TC) | 10V | 190mohm @ 13.1a, 10V | 3.9V @ 1mA | 95 NC @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 34.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFB4710PBF | 3.0500 | ![]() | 9148 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFB4710 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 75A (TC) | 10V | 14mohm @ 45a, 10V | 5.5V @ 250µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 6160 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF8010PBF | 2.6200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF8010 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 80A (TC) | 10V | 15mohm @ 45a, 10V | 4V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 3830 pf @ 25 v | - | 260W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SPB35N10 | - | ![]() | 8807 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB35N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 35A (TC) | 10V | 44mohm @ 26.4a, 10V | 4V @ 83µA | 65 nc @ 10 v | ± 20V | 1570 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BFP720FH6327XTSA1 | 0.6600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 리드 | BFP720 | 100MW | 4-TSFP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 10.5dB ~ 28dB | 4.7V | 25MA | NPN | 160 @ 13MA, 3V | 45GHz | 0.4dB ~ 1db @ 150MHz ~ 10GHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO350N03 | - | ![]() | 6117 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | BSO350N03 | MOSFET (금속 (() | 1.4W | PG-DSO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 5a | 35mohm @ 6a, 10V | 2V @ 6µA | 3.7nc @ 5v | 480pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IKP40N65H5XKSA1 | 4.6200 | ![]() | 7444 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IKP40N65 | 기준 | 255 w | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 20A, 15ohm, 15V | 62 ns | - | 650 v | 74 a | 120 a | 2.1V @ 15V, 40A | 390µJ (ON), 120µJ (OFF) | 95 NC | 22ns/165ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847CWE6327BTSA1 | - | ![]() | 6773 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC847 | 250 MW | PG-SOT323 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 420 @ 2MA, 5V | 250MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고