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트랜지스터 (13833)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
FF600R12ME4PB72BPSA1 Infineon Technologies FF600R12ME4PB72BPSA1 302.5833
RFQ
 ECAD 8316 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF600R12 20 MW 기준 Ag-Econod-5 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1200 v 600 a 2.1V @ 15V, 600A 3 MA 예 37 NF @ 25 v
IPA65R660CFDXKSA2 Infineon Technologies IPA65R660CFDXKSA2 1.3395
RFQ
 ECAD 7438 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA65R660 MOSFET (금속 (() PG-to220 20 팩 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 700 v 6A (TC) 10V 660mohm @ 2.1a, 10V 4.5V @ 200µA 22 nc @ 10 v ± 20V 615 pf @ 100 v - 27.8W (TC)
IPA083N10NM5SXKSA1 Infineon Technologies IPA083N10NM5SXKSA1 1.9300
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA083 MOSFET (금속 (() PG-to220 20 팩 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 50A (TC) 6V, 10V 8.3mohm @ 25a, 10V 3.8V @ 49µA 40 nc @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 50 v - 36W (TC)
FF450R07ME4BOSA1 Infineon Technologies FF450R07ME4BOSA1 208.7800
RFQ
 ECAD 8785 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF450R07 20 MW 기준 Ag- 에코 노드 -3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 트렌치 트렌치 정지 650 v 450 a 1.95V @ 15V, 450A 1 MA 예 27.5 nf @ 25 v
FF300R07ME4BOSA1 Infineon Technologies FF300R07ME4BOSA1 169.5600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF300R07 20 MW 기준 Ag- 에코 노드 -3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 트렌치 트렌치 정지 650 v 300 a 1.95V @ 15V, 300A 1 MA 예 18.5 nf @ 25 v
FS25R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies FS25R12W1T7B11BOMA1 45.7000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™, TrenchStop ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS25R12 20 MW 기준 Ag-Easy1b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-FS25R12W1T7B11BOMA1-448 귀 99 8541.29.0095 24 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 25 a 1.6V @ 15V, 25A 5.6 µA 예 4.77 NF @ 25 v
F3L200R07W2S5FB11BOMA1 Infineon Technologies F3L200R07W2S5FB11BOMA1 98.4400
RFQ
 ECAD 1128 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™, TrenchStop ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 F3L200 20 MW 기준 Ag-Easy2b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 3 레벨 인버터 트렌치 트렌치 정지 650 v 95 a 1.38V @ 15V, 100A 1 MA 예 14.3 NF @ 25 v
FS35R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies FS35R12W1T7B11BOMA1 52.4300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™, TrenchStop ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS35R12 20 MW 기준 Ag-Easy1b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-FS35R12W1T7B11BOMA1-448 귀 99 8541.29.0095 24 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 35 a 1.6V @ 15V, 35A 7.3 µA 예 6.62 NF @ 25 v
FP15R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies FP15R12W1T7B11BOMA1 50.2300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 쟁반 활동적인 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FP15R12 기준 Ag-Easy1b-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-FP15R12W1T7B11BOMA1-448 귀 99 8541.29.0095 24 하프 하프 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v - 아니요
FP10R12W1T7B3BOMA1 Infineon Technologies FP10R12W1T7B3BOMA1 43.5000
RFQ
 ECAD 5105 0.00000000 인피온 인피온 EasyPIM ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FP10R12 20 MW 3 정류기 정류기 브리지 Ag-Easy1b-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 24 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 10 a 1.6V @ 15V, 10A (타이핑) 4.5 µA 예 1.89 NF @ 25 v
FR900R12IP4DBPSA1 Infineon Technologies FR900R12IP4DBPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FR900R12 20 MW 기준 Ag-Prime3-1 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 듀얼 듀얼 헬기 트렌치 트렌치 정지 1200 v 900 a 2.05V @ 15V, 900A 5 MA 예 54 NF @ 25 v
BSS79C Infineon Technologies BSS79C -
RFQ
 ECAD 9419 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 800 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 250MHz
MMBTA42LT1 Infineon Technologies MMBTA42LT1 1.0000
RFQ
 ECAD 7159 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2ma, 20ma 40 @ 30MA, 10V 50MHz
IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies IMZA65R072M1HXKSA1 12.9500
RFQ
 ECAD 264 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IMZA65 sicfet ((카바이드) PG-to247-4-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 28A (TC) 18V 94mohm @ 13.3a, 18V 5.7V @ 4mA 22 nc @ 18 v +23V, -5V 744 pf @ 400 v - 96W (TC)
IPAN60R125PFD7SXKSA1 Infineon Technologies IPAN60R125PFD7SXKSA1 2.8800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ PFD7 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPAN60 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 25A (TC) 10V 125mohm @ 7.8a, 10V 4.5V @ 390µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1503 pf @ 400 v - 32W (TC)
IPT60R022S7XTMA1 Infineon Technologies IPT60R022S7XTMA1 14.0000
RFQ
 ECAD 5246 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ S7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn IPT60R022 MOSFET (금속 (() PG-HSOF-8-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 23A (TC) 12V 22mohm @ 23a, 12v 4.5V @ 1.44ma 150 nc @ 12 v ± 20V 5639 pf @ 300 v - 390W (TC)
IPN60R2K0PFD7SATMA1 Infineon Technologies IPN60R2K0PFD7SATMA1 0.7500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ PFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-3 IPN60R2 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 3A (TC) 10V 2ohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 30µA 3.8 NC @ 10 v ± 20V 134 pf @ 400 v - 6W (TC)
IPS60R210PFD7SAKMA1 Infineon Technologies IPS60R210PFD7SAKMA1 2.0900
RFQ
 ECAD 308 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ PFD7 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA ips60r MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 650 v 16A (TC) 10V 210mohm @ 4.9a, 10V 4.5V @ 240µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1015 pf @ 400 v - 64W (TC)
IPN60R1K5PFD7SATMA1 Infineon Technologies IPN60R1K5PFD7SATMA1 0.7900
RFQ
 ECAD 7569 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ PFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IPN60R1 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 700ma, 10V 4.5V @ 40µA 4.6 NC @ 10 v ± 20V 169 pf @ 400 v - 6W (TC)
IPI80N04S3-04 Infineon Technologies IPI80N04S3-04 -
RFQ
 ECAD 8281 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 370
BTS112A Infineon Technologies BTS112A 2.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
F4-50R12MS4 Infineon Technologies F4-50R12ms4 50.1300
RFQ
 ECAD 901 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 2 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 F4-50R 355 w 기준 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 전체 전체 인버터 - 1200 v 70 a 3.75V @ 15V, 50A 1 MA 예 3.4 NF @ 25 v
FF100R12MT4 Infineon Technologies FF100R12MT4 -
RFQ
 ECAD 9329 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
FS450R12KE4BDSA1 Infineon Technologies FS450R12KE4BDSA1 734.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Econopack ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 2250 w 기준 Ag-Econopp-1-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 전체 전체 트렌치 트렌치 정지 1200 v 675 a 2.1V @ 15V, 450A 3 MA 예 28 nf @ 25 v
FF200R12MT4 Infineon Technologies FF200R12MT4 1.0000
RFQ
 ECAD 4445 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 2 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 1050 w 기준 Ag- 에코 노드 -2-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 반 반 트렌치 트렌치 정지 1200 v 295 a 2.15V @ 15V, 200a 1 MA 예 14 nf @ 25 v
BC847CWH6327 Infineon Technologies BC847CWH6327 1.0000
RFQ
 ECAD 8620 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 250 MW PG-SOT323-3-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 250MHz
AUIRG35B60PD-E Infineon Technologies auirg35b60pd-e 1.0000
RFQ
 ECAD 4608 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 auirg35 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1
BC847CWH6778 Infineon Technologies BC847CWH6778 0.0400
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 250 MW PG-SOT323-3-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 7,378 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 250MHz
BC848AE6327 Infineon Technologies BC848AE6327 0.0300
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 9,427 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 250MHz
IPB260N06N3G Infineon Technologies IPB260N06N3G -
RFQ
 ECAD 9984 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 27A (TC) 10V 25.7mohm @ 27a, 10V 4V @ 11µA 15 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 30 v - 36W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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