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트랜지스터 (13833)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSZ042N04NSGATMA1 | - |  | 4808 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | PG-TSDSON-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 40A (TC) | 10V | 4.2MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 36µA | 46 NC @ 10 v | ± 20V | 3700 pf @ 20 v | - | 2.1W (TA), 69W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPA65R420CFDXKSA2 | 1.4606 | | 8877 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | CoolMOS ™ CFD2 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA65R420 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 650 v | 8.7A (TC) | 10V | 420mohm @ 3.4a, 10V | 4.5V @ 300µA | 31.5 nc @ 10 v | ± 20V | 870 pf @ 100 v | - | 31.2W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFH7923TRPBF | - | | 1696 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | pqfn (5x6) 단일 다이 | 다운로드 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 15A (TA), 33A (TC) | 8.7mohm @ 15a, 10V | 2.35V @ 25µA | 13 nc @ 4.5 v | 1095 pf @ 15 v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPA086N10N3GXKSA1 | 1.9100 | | 6 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA086 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 45A (TC) | 6V, 10V | 8.6mohm @ 45a, 10V | 3.5V @ 75µA | 55 NC @ 10 v | ± 20V | 3980 pf @ 50 v | - | 37.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| FF600R12IE4PNOSA1 | 548.1433 | | 4469 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Primepack ™ 2 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FF600R12 | 3350 w | 기준 | 기준 기준 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3 | 반 반 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 600 a | 2.05V @ 15V, 600A | 5 MA | 예 | 37 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AUIRFS3006-7p | - | | 1124 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 240A (TC) | 10V | 2.1mohm @ 168a, 10V | 4V @ 250µA | 300 NC @ 10 v | ± 20V | 8850 pf @ 50 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRG4BC15UD-S | - | | 9591 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 49 w | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V, 7.8A, 75ohm, 15V | 28 ns | - | 600 v | 14 a | 42 a | 2.4V @ 15V, 7.8A | 240µJ (on), 260µJ (OFF) | 23 NC | 17ns/160ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRLR7833PBF | - | | 8640 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001552836 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 140A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 15a, 10V | 2.3V @ 250µA | 50 nc @ 4.5 v | ± 20V | 4010 pf @ 15 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 64-4126pbf | - | | 4364 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCX70KE6327HTSA1 | 0.3800 | | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCX70 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 20NA (ICBO) | NPN | 550MV @ 1.25ma, 50ma | 380 @ 2MA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | irfhm8334trpbf-inf | - | | 4457 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn-dual (3.3x3.3), power33 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 30 v | 13A (TA), 43A (TC) | 9MOHM @ 20A, 10V | 2.35V @ 25µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 1180 pf @ 10 v | - | 2.7W (TA), 28W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF1800R17IP5PBPSA1 | 1.0000 | | 3 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Primepack ™ 3+ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FF1800 | 1800000 W. | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3 | 반 반 | 트렌치 트렌치 정지 | 1700 v | 3600 a | 2.2V @ 15V, 1800A | 5 MA | 예 | 105 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPZA60R099P7XKSA1 | 6.6000 | | 5587 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P7 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | IPZA60 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | n 채널 | 600 v | 31A (TC) | 10V | 99mohm @ 10.5a, 10V | 4V @ 530µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 1952 pf @ 400 v | - | 117W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| FT150R12KE3B5BDLA1 | - | | 5340 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Fz900R12KP4HOSA1 | 213.3600 | | 6 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 기음 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FZ900R12 | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 하나의 | - | 1200 v | 900 a | 2.05V @ 15V, 900A | 5 MA | 아니요 | 56 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRF7738L2TR | - | | 2090 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 L6 | AUIRF7738 | MOSFET (금속 (() | DirectFet L6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001515758 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 40 v | 35A (TA), 130A (TC) | 10V | 1.6mohm @ 109a, 10V | 4V @ 250µA | 194 NC @ 10 v | ± 20V | 7471 pf @ 25 v | - | 3.3W (TA), 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7317TRPBF | 1.3600 | | 31 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF731 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 및 p 채널 | 20V | 6.6a, 5.3a | 29mohm @ 6a, 4.5v | 700MV @ 250µA | 27NC @ 4.5V | 900pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PSDC212F0835632NOSA1 | - | | 2089 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 영향을받지 영향을받지 | 448-PSDC212F0835632NOSA1 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPB25N06S3-25 | - | | 6174 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB25N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 25A (TC) | 10V | 24.8mohm @ 15a, 10V | 4V @ 20µA | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 1862 pf @ 25 v | - | 48W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSO613SPVGXUMA1 | 1.1300 | | 24 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | BSO613 | MOSFET (금속 (() | PG-DSO-8-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 3.44A (TA) | 10V | 130mohm @ 3.44a, 10V | 4V @ 1MA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 875 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC817UE6327HTSA1 | 0.5000 | | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | BC817 | 330MW | PG-SC74-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 500ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN (() | 700mv @ 50ma, 500ma | 160 @ 100MA, 1V | 170MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PTFA181001FV4XWSA1 | - | | 3776 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 | PTFA181001 | 1.88GHz | LDMOS | H-37248-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 1µA | 750 MA | 100W | 16.5dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRLR2703 | - | | 1727 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001523052 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 45mohm @ 14a, 10V | 1V @ 250µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 16V | 450 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 94-4849pbf | - | | 2029 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 75 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4CC80SB | - | | 6542 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 주사위 | IRG4CC | 기준 | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 1 | - | - | 600 v | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Irfr18n15dtrlp-inf | - | | 9284 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 3,000 | n 채널 | 150 v | 18A (TC) | 125mohm @ 11a, 10V | 5.5V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | 900 pf @ 25 v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRLU7833 | - | | 7566 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRLU7833 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,025 | n 채널 | 30 v | 140A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 15a, 10V | 2.3V @ 250µA | 50 nc @ 4.5 v | ± 20V | 4010 pf @ 15 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IAUC120N04S6L012ATMA1 | 1.7800 | | 14 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | IAUC120 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 4.5V, 10V | 1.21MOHM @ 60A, 10V | 2V @ 60µA | 80 nc @ 10 v | ± 16V | 4832 pf @ 25 v | - | 115W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IMT65R022M1HXTMA1 | - | | 3711 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | IMT65R | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSS126H6906XTSA1 | 0.7600 | | 9 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS126 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 21MA (TA) | 0V, 10V | 500ohm @ 16ma, 10V | 1.6V @ 8µA | 2.1 NC @ 5 v | ± 20V | 28 pf @ 25 v | 고갈 고갈 | 500MW (TA) |
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일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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