전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRGB4064DPBF | - | ![]() | 9264 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 기준 | 101 w | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 10A, 22ohm, 15V | 62 ns | 도랑 | 600 v | 20 a | 40 a | 1.91V @ 15V, 10A | 29µJ (on), 200µJ (OFF) | 21 NC | 27ns/79ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS59N10DPBF | - | ![]() | 4841 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 59A (TC) | 10V | 25mohm @ 35.4a, 10V | 5.5V @ 250µA | 114 NC @ 10 v | ± 30V | 2450 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BSZ0502NSITMA1 | 0.6360 | ![]() | 2510 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSZ0502 | MOSFET (금속 (() | PG-TSDSON-8-FL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 22A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 20a, 10V | 2V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 1600 pf @ 15 v | - | 2.1W (TA), 43W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BC817-16B5003 | 0.0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC817 | 500MW | PG-SOT23-3-11 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 100ma, 1v | 170MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF600R12KE3NOSA1 | - | ![]() | 8344 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 기음 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FF600R12 | 2800 W. | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2 | 2 독립 | - | 1200 v | 850 a | 2.15V @ 15V, 600A | 5 MA | 아니요 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | irfr2905ztrlpbf | - | ![]() | 4332 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001575886 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 55 v | 42A (TC) | 10V | 14.5mohm @ 36a, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | ± 20V | 1380 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | SPW11N60CFDFKSA1 | - | ![]() | 9689 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SPW11N | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | n 채널 | 650 v | 11A (TC) | 10V | 440mohm @ 7a, 10V | 5v @ 500µa | 64 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO200P03SHXUMA1 | 0.5126 | ![]() | 9183 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | BSO200 | MOSFET (금속 (() | PG-DSO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 7.4A (TA) | 10V | 20mohm @ 9.1a, 10V | 1.5V @ 100µa | 54 NC @ 10 v | ± 25V | 2330 pf @ 25 v | - | 1.56W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | auirfr3504z | - | ![]() | 3217 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 42A (TC) | 10V | 9MOHM @ 42A, 10V | 4V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 1510 pf @ 25 v | - | 90W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IPN50R3K0CE | - | ![]() | 6787 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CE | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-3 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 500 v | 2.6A (TC) | 13V | 3ohm @ 400ma, 13v | 3.5V @ 30µA | 4.3 NC @ 10 v | ± 20V | 84 pf @ 100 v | - | 5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7410GTRPBF | - | ![]() | 8741 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 12 v | 16A (TA) | 1.8V, 4.5V | 7mohm @ 16a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 91 NC @ 4.5 v | ± 8V | 8676 pf @ 10 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL100HS121 | 1.2400 | ![]() | 2058 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powervdfn | IRL100 | MOSFET (금속 (() | 6-pqfn n (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 100 v | 11A (TC) | 4.5V, 10V | 42mohm @ 6.7a, 10V | 2.3V @ 10µA | 5.6 NC @ 4.5 v | ± 20V | 440 pf @ 50 v | - | 11.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IPU04N03LA | - | ![]() | 8225 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IPU04N | MOSFET (금속 (() | P-to251-3-1 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000014621 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 25 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 50a, 10V | 2V @ 80µa | 41 NC @ 5 v | ± 20V | 5199 pf @ 15 v | - | 115W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BC847CE6327HTSA1 | 0.3200 | ![]() | 49 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SOT-23 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC847 | 200 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 5ma, 100ma | 420 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR24N15DPBF | - | ![]() | 7877 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 150 v | 24A (TC) | 10V | 95mohm @ 14a, 10V | 5V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 30V | 890 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFU9024NPBF | 1.0900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU9024 | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 55 v | 11A (TC) | 10V | 175mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 350 pf @ 25 v | - | 38W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7469pbf | - | ![]() | 5388 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001565446 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 40 v | 9A (TA) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 9a, 10V | 3V @ 250µA | 23 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2000 pf @ 20 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IKQ120N120CS7XKSA1 | 19.7400 | ![]() | 6026 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop ™ | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 1004 w | PG-to247-3-46 | - | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 205 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 216 a | 360 a | 2V @ 15V, 120A | 10.3mj (on), 5.72mj (OFF) | 710 NC | 44ns/205ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FP75R06KE3BOSA1 | 167.8200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Econopim ™ 3 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FP75R06 | 250 W. | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 95 a | 1.9V @ 15V, 75A | 1 MA | 예 | 4.6 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||
IKW50N65ES5XKSA1 | 7.5300 | ![]() | 7548 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop ™ | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IKW50N65 | 기준 | 274 w | PG-to247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 50A, 8.2OHM, 15V | 70 ns | 도랑 | 650 v | 80 a | 200a | 1.7V @ 15V, 50A | 1.23mj (on), 550µJ (OFF) | 120 NC | 20ns/127ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 64-4112pbf | - | ![]() | 1719 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF600R12KE7BPSA1 | 310.8200 | ![]() | 2224 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 기음 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FF600R12 | 기준 | Ag-62mmhb | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 하프 하프 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 600 a | 1.75V @ 15V, 600A | 100 µa | 아니요 | 92.3 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | AIMZH120R020M1TXKSA1 | 29.1415 | ![]() | 5359 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 튜브 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 448-AIMZH120R020M1TXKSA1 | 240 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB04N03LB g | - | ![]() | 9872 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB04N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 55a, 10V | 2V @ 70µA | 40 nc @ 5 v | ± 20V | 5203 pf @ 15 v | - | 107W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DDB6U180N16RR | - | ![]() | 2421 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 기준 기준 | 515 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 듀얼 듀얼 헬기 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 140 a | 2.2V @ 15V, 100A | 1 MA | 아니요 | 6.3 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSD223P | - | ![]() | 9206 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BSD223 | MOSFET (금속 (() | 250MW | PG-SOT363-PO | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 390ma | 1.2ohm @ 390ma, 4.5v | 1.2V @ 1.5µA | 0.62NC @ 4.5V | 56pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP10R12W1T4B29BOMA1 | 43.5896 | ![]() | 4452 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EasyPIM ™ | 쟁반 | 활동적인 | FP10R12 | - | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 24 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPL65R340CFDAUMA2 | - | ![]() | 3683 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | CoolMOS ™ CFD2 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-powertsfn | IPL65R | MOSFET (금속 (() | PG-VSON-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2A (4 주) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 650 v | 10.9A (TC) | 10V | 340mohm @ 4.4a, 10V | 4.5V @ 400µA | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 100 v | - | 104.2W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | irf6665trpbf | 0.5441 | ![]() | 8156 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 Sh | IRF6665 | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ sh | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,800 | n 채널 | 100 v | 4.2A (TA), 19A (TC) | 10V | 62mohm @ 5a, 10V | 5V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | 530 pf @ 25 v | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4BC20 | - | ![]() | 3400 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 기준 | 60 W. | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRG4BC20 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V, 10A, 50ohm, 15V | - | 600 v | 19 a | 38 a | 1.6V @ 15V, 10A | 120µJ (on), 2.05mj (OFF) | 27 NC | 27ns/540ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고