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트랜지스터 (13833)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | irfh4210trpbf | - |  | 7078 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | PQFN (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 25 v | 45A (TA) | 4.5V, 10V | 1.35mohm @ 50a, 10V | 2.1v @ 100µa | 74 NC @ 10 v | ± 20V | 4812 pf @ 13 v | - | 3.6W (TA), 104W (TC) | ||||||||||||||||||
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 | F445MR12W1M1B76BPSA1 | - | | 1455 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EasyPack ™ Coolsic ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | F445MR | 실리콘 실리콘 (sic) | - | Ag-Easy1b-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 24 | 4 n 채널 (채널 교량) | 1200V (1.2kv) | 25A (TJ) | 45mohm @ 25a, 15V | 5.55V @ 10MA | 62NC @ 15V | 1840pf @ 800V | - | ||||||||||||||||||
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| IPP60R125CPXKSA1 | 7.0000 | | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP60R125 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 25A (TC) | 10V | 125mohm @ 16a, 10V | 3.5v @ 1.1ma | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 2500 pf @ 100 v | - | 208W (TC) | ||||||||||||||||
 | FP75R12N2T7BPSA1 | 135.9400 | | 7 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Econopim ™ 2 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FP75R12 | 20 MW | 3 정류기 정류기 브리지 | Ag-Econo2b | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 75 a | 1.55V @ 15V, 75A | 14 µA | 예 | 15.1 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||
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| irl520nstrr | - | | 6939 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 10A (TC) | 4V, 10V | 180mohm @ 6a, 10V | 2V @ 250µA | 20 nc @ 5 v | ± 16V | 440 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 48W (TC) | |||||||||||||||||
 | irll024ntrpbf | 1.0000 | | 147 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | irll024 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 55 v | 3.1A (TA) | 4V, 10V | 65mohm @ 3.1a, 10V | 2V @ 250µA | 15.6 NC @ 5 v | ± 16V | 510 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||
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| IRL3714S | - | | 6906 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL3714S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 20 v | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 18a, 10V | 3V @ 250µA | 9.7 NC @ 4.5 v | ± 20V | 670 pf @ 10 v | - | 47W (TC) | ||||||||||||||||
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 | IRF7526D1 | - | | 2121 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Fetky ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | MOSFET (금속 (() | Micro8 ™ | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | p 채널 | 30 v | 2A (TA) | 4.5V, 10V | 200mohm @ 1.2a, 10V | 1V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 180 pf @ 25 v | Schottky 분리 (다이오드) | 1.25W (TA) | |||||||||||||||||
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| IRF1405S | - | | 1951 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 131A (TC) | 10V | 5.3mohm @ 101a, 10V | 4V @ 250µA | 260 NC @ 10 v | ± 20V | 5480 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||
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 | IRLR3715ZTRL | - | | 5338 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001558946 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 49A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 15a, 10V | 2.55V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ± 20V | 810 pf @ 10 v | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||
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 | IAUC120N04S6N013ATMA1 | 1.7800 | | 6115 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | IAUC120 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 7V, 10V | 1.34mohm @ 60a, 10V | 3V @ 60µa | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 4260 pf @ 25 v | - | 115W (TC) | ||||||||||||||||
 | IRF100P218XKMA1 | - | | 8939 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Strongirfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRF100 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 100 v | 209A (TC) | 6V, 10V | 1.28mohm @ 100a, 10V | 3.8V @ 278µA | 555 NC @ 10 v | ± 20V | 25000 pf @ 50 v | - | 556W (TC) | ||||||||||||||||
| IRF7495TR | - | | 5460 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001559948 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 100 v | 7.3A (TA) | 10V | 22mohm @ 4.4a, 10V | 4V @ 250µA | 51 NC @ 10 v | ± 20V | 1530 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||
| IRF7402PBF | - | | 1765 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF7402 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001551318 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 20 v | 6.8A (TA) | 2.7V, 4.5V | 35mohm @ 4.1a, 4.5v | 700mv @ 250µa (최소) | 22 nc @ 4.5 v | ± 12V | 650 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||
 | FS75R12W2T4BOMA1 | 80.2600 | | 15 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EasyPack ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS75R12 | 375 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | 전체 전체 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 107 a | 2.15V @ 15V, 75A | 1 MA | 예 | 4.3 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||
| IRF7465PBF | - | | 8366 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001563554 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,800 | n 채널 | 150 v | 1.9A (TA) | 10V | 280mohm @ 1.14a, 10V | 5.5V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 30V | 330 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||
| IPB65R110CFDATMA2 | 6.8400 | | 2447 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | CoolMOS ™ CFD2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB65R110 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 31.2A (TC) | 10V | 110mohm @ 12.7a, 10V | 4.5V @ 1.3ma | 118 NC @ 10 v | ± 20V | 3240 pf @ 100 v | - | 277.8W (TC) | ||||||||||||||||
 | BTS114AE3045A | 3.2200 | | 10 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Tempfet® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 50 v | 17A (TC) | 10V | 100mohm @ 9a, 10V | 3.5V @ 1mA | ± 20V | 600 pf @ 25 v | - | 50W |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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