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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLR3715ZTR | - | ![]() | 3478 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001558456 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 20 v | 49A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 15a, 10V | 2.55V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ± 20V | 810 pf @ 10 v | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 64-8016 | - | ![]() | 4083 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRL1404 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 3.1mohm @ 75a, 10V | 2.7V @ 250µA | 110 NC @ 5 v | ± 16V | 5080 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
IPI50R250CPXKSA1 | - | ![]() | 9551 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | ipi50r | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 500 v | 13A (TC) | 10V | 250mohm @ 7.8a, 10V | 3.5V @ 520µA | 36 nc @ 10 v | ± 20V | 1420 pf @ 100 v | - | 114W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3205ZPBF | 1.8500 | ![]() | 4674 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF3205 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 6.5mohm @ 66a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 3450 pf @ 25 v | - | 170W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFZ34NSPBF | - | ![]() | 5024 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 29A (TC) | 10V | 40mohm @ 16a, 10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 68W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB147N03LGATMA1 | - | ![]() | 8730 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB147N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 14.7mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 250µA | 10 nc @ 10 v | ± 20V | 1000 pf @ 15 v | - | 31W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BSL302SNL6327HTSA1 | - | ![]() | 5720 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | BSL302 | MOSFET (금속 (() | PG-TSOP6-6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 7.1A (TA) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 7.1a, 10V | 2V @ 30µA | 6.6 NC @ 5 v | ± 20V | 750 pf @ 15 v | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | irf7494tr | - | ![]() | 9672 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 150 v | 5.2A (TA) | 44mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250µA | 54 NC @ 10 v | 1750 pf @ 25 v | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPI60R385CP | 1.0300 | ![]() | 78 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 9A (TC) | 10V | 385mohm @ 5.2a, 10V | 3.5V @ 340µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 790 pf @ 100 v | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFBA90N20DPBF | - | ![]() | 8927 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-273AA | MOSFET (금속 (() | Super-220 ™ (TO-273AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 200 v | 98A (TC) | 10V | 23mohm @ 59a, 10V | 5V @ 250µA | 240 NC @ 10 v | ± 30V | 6080 pf @ 25 v | - | 650W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP60R950C6XKSA1 | - | ![]() | 6011 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP60R | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 4.4A (TC) | 10V | 950mohm @ 1.5a, 10V | 3.5V @ 130µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | 280 pf @ 100 v | - | 37W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS38N20DTRRP | - | ![]() | 1722 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001565034 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 43A (TC) | 10V | 54mohm @ 26a, 10V | 5V @ 250µA | 91 NC @ 10 v | ± 20V | 2900 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | auirll014n | - | ![]() | 6502 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001520450 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 80 | n 채널 | 55 v | 2A (TA) | 4V, 10V | 140mohm @ 2a, 10V | 2V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 16V | 230 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | irfs4410ztrlpbf | 2.9100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS4410 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 97A (TC) | 10V | 9mohm @ 58a, 10V | 4V @ 150µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 4820 pf @ 50 v | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DDB6U50N16W1RPBPSA1 | 67.0000 | ![]() | 7042 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | DDB6U50 | 3 정류기 정류기 브리지 | Ag-Easy1b | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 단일 단일 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 50 a | 1.5V @ 15V, 50A | 6.2 µA | 아니요 | 11.1 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IQE030N06NM5ATMA1 | 2.9600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | IQE030N | MOSFET (금속 (() | PG-TSON-8-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 21A (TA), 137A (TC) | 6V, 10V | 3MOHM @ 20A, 10V | 3.3V @ 50µA | 49 NC @ 10 v | ± 20V | 3800 pf @ 30 v | - | 2.5W (TA), 107W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7406PBF | - | ![]() | 7487 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | p 채널 | 30 v | 5.8A (TA) | 4.5V, 10V | 45mohm @ 2.8a, 10V | 1V @ 250µA | 59 NC @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFZ48NL | - | ![]() | 4693 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFZ48NL | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 64A (TC) | 10V | 14mohm @ 32a, 10V | 4V @ 250µA | 81 NC @ 10 v | ± 20V | 1970 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 130W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
BSF053N03LT g | - | ![]() | 6069 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-Wdson | MOSFET (금속 (() | Mg-Wdson-2, Canpak M ™ | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 16A (TA), 71A (TC) | 4.5V, 10V | 5.3MOHM @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 20V | 2700 pf @ 15 v | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | irg4pc30fdpbf | - | ![]() | 8870 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRG4PC30 | 기준 | 100 W. | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | 480v, 17a, 23ohm, 15v | 42 ns | - | 600 v | 31 a | 120 a | 1.8V @ 15V, 17a | 630µj (on), 1.39mj (OFF) | 51 NC | 42ns/230ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD65R400CEAUMA1 | 1.3300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD65R400 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 650 v | 15.1A (TC) | 10V | 400mohm @ 3.2a, 10V | 3.5V @ 320µA | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 710 pf @ 100 v | - | 118W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | irlu8113pbf | - | ![]() | 3466 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 94A (TC) | 4.5V, 10V | 6MOHM @ 15A, 10V | 2.25V @ 250µA | 32 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2920 pf @ 15 v | - | 89W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS3806PBF | - | ![]() | 8549 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS3806 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001557312 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 43A (TC) | 10V | 15.8mohm @ 25a, 10V | 4V @ 50µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1150 pf @ 50 v | - | 71W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS5620TRLPBF | - | ![]() | 3026 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 24A (TC) | 10V | 77.5mohm @ 15a, 10V | 5V @ 100µa | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 1710 pf @ 50 v | - | 144W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMW65R030M1HXKSA1 | 21.6000 | ![]() | 5674 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolsic ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IMW65R | sicfet ((카바이드) | PG-to247-3-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 58A (TC) | 18V | 42mohm @ 29.5a, 18V | 5.7v @ 8.8ma | 48 NC @ 18 v | +20V, -2V | 1643 pf @ 400 v | - | 197W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF9956PBF | - | ![]() | 7090 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF995 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001565670 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 3.5a | 100mohm @ 2.2a, 10V | 1V @ 250µA | 14NC @ 10V | 190pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SPW21N50C3FKSA1 | - | ![]() | 5618 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SPW21N | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | n 채널 | 560 v | 21A (TC) | 10V | 190mohm @ 13.1a, 10V | 3.9V @ 1mA | 95 NC @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 208W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FP50R12N2T4B16BOSA1 | - | ![]() | 3053 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | - | - | - | FP50R12 | - | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 10 | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF776H6327XTSA1 | 0.6000 | ![]() | 927 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-82A, SOT-343 | BF776 | 200MW | PG-SOT343-3D | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 24dB | 4.7V | 50ma | NPN | 180 @ 30MA, 3V | 46GHz | 0.8db ~ 1.3db @ 1.8ghz ~ 6GHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3305 | - | ![]() | 9646 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF3305 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 8mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 150 nc @ 10 v | ± 20V | 3650 pf @ 25 v | - | 330W (TC) |
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