SIC
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트랜지스터 (13833)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
FF3MR20KM1HHPSA1 Infineon Technologies FF3MR20KM1HHPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 - 섀시 섀시 기준 기준 기준 Ag-62mmhb - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 반 반 트렌치 트렌치 정지 2000 v - 아니요
FF600R12KE7BPSA1 Infineon Technologies FF600R12KE7BPSA1 310.8200
RFQ
 ECAD 2224 0.00000000 인피온 인피온 기음 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF600R12 기준 Ag-62mmhb - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하프 하프 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 600 a 1.75V @ 15V, 600A 100 µa 아니요 92.3 NF @ 25 v
FF450R45T3E4BPSA1 Infineon Technologies FF450R45T3E4BPSA1 -
RFQ
 ECAD 8656 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
DF14MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies DF14MR12W1M1HFB67BPSA1 158.8800
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 쟁반 활동적인 - 섀시 섀시 기준 기준 DF14MR12 MOSFET (금속 (() - Ag-Easy1b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 24 - 1200V (1.2kv) - - - - - -
FF2MR12KM1HHPSA1 Infineon Technologies FF2MR12KM1HHPSA1 906.9900
RFQ
 ECAD 7065 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 - 섀시 섀시 기준 기준 FF2MR12 기준 Ag-62mmhb - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 반 반 트렌치 트렌치 정지 1200 v - 아니요
FZ1000R45KL3B5NPSA1 Infineon Technologies FZ1000R45KL3B5NPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 8961 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FZ1000R45 1600000 w 기준 A-IHV130 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 단일 단일 트렌치 트렌치 정지 4500 v 1000 a 3.05V @ 15V, 1KA 5 MA 아니요 185 NF @ 25 v
IPT014N10N5ATMA1 Infineon Technologies IPT014N10N5ATMA1 6.6700
RFQ
 ECAD 5431 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 8-Powersfn MOSFET (금속 (() PG-HSOF-8-1 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 - 100 v 362A 10V - - - - -
IPB011N04NF2SATMA1 Infineon Technologies IPB011N04NF2SATMA1 3.2400
RFQ
 ECAD 770 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB011 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 43A (TA), 201a (TC) 6V, 10V 1.15mohm @ 100a, 10V 3.4V @ 249µA 315 NC @ 10 v ± 20V 15000 pf @ 20 v - 3.8W (TA), 375W (TC)
IPD023N04NF2SATMA1 Infineon Technologies IPD023N04NF2SATMA1 1.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD023 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 27A (TA), 143A (TC) 6V, 10V 2.3mohm @ 70a, 10V 3.4V @ 81µA 102 NC @ 10 v ± 20V 4800 pf @ 20 v - 3W (TA), 150W (TC)
IRL40DM247XTMA1 Infineon Technologies IRL40DM247XTMA1 3.1600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 나 MOSFET (금속 (() MG-WDSON-8-904 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 40 v 44A (TA), 211A (TC) 4.5V, 10V 0.82mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 165 NC @ 10 v ± 20V 8400 pf @ 20 v - 2.8W (TA), 63W (TC)
IAUTN06S5N008ATMA1 Infineon Technologies IAUTN06S5N008ATMA1 6.6600
RFQ
 ECAD 7440 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2,000
IGLR60R190D1E8238XUMA1 Infineon Technologies IGLR60R190D1E8238XUMA1 -
RFQ
 ECAD 1791 0.00000000 인피온 인피온 Coolgan ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn Ganfet ((갈륨) PG-TSON-8-6 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 600 v 12.8A (TC) - - 1.6V @ 960µa -10V 157 pf @ 400 v - 55.5W (TC)
IAUC120N06S5L015ATMA1 Infineon Technologies IAUC120N06S5L015ATMA1 1.2811
RFQ
 ECAD 3054 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ -5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-43 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 235A (TJ) 4.5V, 10V 1.5mohm @ 60a, 10V 2.2V @ 94µA 114 NC @ 10 v ± 20V 8193 pf @ 30 v - 167W (TC)
FF300R17KE3HDLA1 Infineon Technologies FF300R17KE3HDLA1 333.1650
RFQ
 ECAD 3207 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF300R17 1450 w 기준 Ag-62mmhb - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 32 단일 단일 트렌치 트렌치 정지 1700 v 404 a 2.45V @ 15V, 300A 3 MA 아니요 27 NF @ 25 v
IPB60R280CFD7ATMA1 Infineon Technologies IPB60R280CFD7ATMA1 2.8500
RFQ
 ECAD 9606 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB60R280 MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 9A (TC) 10V 280mohm @ 3.6a, 10V 4.5V @ 180µA 18 nc @ 10 v ± 20V 807 pf @ 400 v - 51W (TC)
IPA60R160P7XKSA1 Infineon Technologies IPA60R160P7XKSA1 3.8000
RFQ
 ECAD 420 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA60R MOSFET (금속 (() PG-to220 20 팩 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 160mohm @ 6.3a, 10V 4V @ 350µA 31 NC @ 10 v ± 20V 1317 pf @ 400 v - 26W (TC)
IPLK80R750P7ATMA1 Infineon Technologies IPLK80R750P7ATMA1 1.7100
RFQ
 ECAD 6393 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 8-powertdfn IPLK80 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 - 800 v - - - - ± 20V - -
IPZA60R024P7XKSA1 Infineon Technologies IPZA60R024P7XKSA1 17.7100
RFQ
 ECAD 6584 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IPZA60 MOSFET (금속 (() PG-to247-4-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 600 v 101A (TC) 10V 24mohm @ 42a, 10V 4V @ 2.03ma 164 NC @ 10 v ± 20V 7144 pf @ 400 v - 291W (TC)
IPP60R360CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R360CFD7XKSA1 3.2300
RFQ
 ECAD 8177 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD7 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R360 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 - 600 v - - - - ± 20V - -
F4100R17N3E4BPSA1 Infineon Technologies F4100R17N3E4BPSA1 217.5700
RFQ
 ECAD 7753 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 3 쟁반 활동적인 - F4100 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 - - -
IPP60R160P7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R160P7XKSA1 3.8000
RFQ
 ECAD 527 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R160 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 20A (TC) 10V 160mohm @ 6.3a, 10V 4V @ 350µA 31 NC @ 10 v ± 20V 1317 pf @ 400 v - 81W (TC)
AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies AIKB50N65DF5ATMA1 6.3600
RFQ
 ECAD 4053 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB AIKB50 기준 PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 - NPT 650 v 50 a - - -
BSZ063N04LS6ATMA1 Infineon Technologies BSZ063N04LS6ATMA1 1.2400
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ063 MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8-FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 15A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 6.3MOHM @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 9.5 nc @ 10 v ± 20V 650 pf @ 20 v - 2.5W (TA), 38W (TC)
BSC096N10LS5ATMA1 Infineon Technologies BSC096N10LS5ATMA1 2.4900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC096 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 40A (TC) 4.5V, 10V 9.6MOHM @ 20A, 10V 2.3V @ 36µA 14.6 NC @ 4.5 v ± 20V 2100 pf @ 50 v - 3W (TA), 83W (TC)
IPA126N10NM3SXKSA1 Infineon Technologies IPA126N10NM3SXKSA1 1.8500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA126 MOSFET (금속 (() PG-to220 20 팩 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 39A (TC) 6V, 10V 12.6MOHM @ 39A, 10V 3.5V @ 46µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 50 v - 33W (TC)
DF80R07W1H5FPB11BPSA1 Infineon Technologies DF80R07W1H5FPB11BPSA1 59.2000
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 DF80R07 20 MW 기준 Ag-Easy1b-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 2 독립 트렌치 트렌치 정지 650 v 40 a 1.72V @ 15V, 20A 12 µA 예 2 NF @ 25 v
BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon Technologies BSZ024N04LS6ATMA1 1.9500
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ024 MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8-FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-BSZ024N04LS6ATMA1DKR 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 24A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 20 v - 2.5W (TA), 75W (TC)
F3L11MR12W2M1B65BOMA1 Infineon Technologies F3L11MR12W2M1B65BOMA1 -
RFQ
 ECAD 9105 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 F3L11MR12 20 MW 기준 Ag-EASY2BM-2 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 3 레벨 인버터 도랑 1200 v 100 a 2.1V @ 15V, 100A 40 µA 예 7.36 NF @ 800 v
IPB60R040CFD7ATMA1 Infineon Technologies IPB60R040CFD7ATMA1 10.5600
RFQ
 ECAD 7749 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB60R040 MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 50A (TC) 10V 40mohm @ 24.9a, 10V 4.5V @ 1.25ma 108 NC @ 10 v ± 20V 4351 pf @ 400 v - 227W (TC)
AIGB30N65F5ATMA1 Infineon Technologies AIGB30N65F5ATMA1 3.8600
RFQ
 ECAD 3644 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB AIGB30 기준 PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 - NPT 650 v 30 a - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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